Студопедия

КАТЕГОРИИ:

Главная
Случайная страница
Познавательное
Новые статьи
Контакты
Заказать работу

Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

SOT – 416 3 страница


⇐ Предыдущая10111213141516171819Следующая ⇒


SOT346 (продолжение)

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
H02 DTC323TK ROHM NPN VCB0=30B; IC=600MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>200МГц;R1=2.2кOм B E C
H03 DTC343TK ROHM NPN VCB0=30B; IC=600MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>200МГц;R1=4.7кOм B E C
H04 DTC314TK ROHM NPN VCB0=30B; IC=600MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>200МГц;R1=10кOм B E C
H07 DTC363TK ROHM NPN VCB0=30B; IC=600MA; PD=200мВт; h21=100...600; fT>200МГц;R1=6.8кOм B E C
H27 DTC363EK ROHM NPN VCB0=30B; IC=600MA; PD=200мВт; h21>70; fT>200МГц; R1/R2=6.8/6.8кOм B E C
H9 1SS344 TOSH SHD VR>20B; VF(IF =500мA)<0.55B; IR(VR =20B)<0.5мкА; CT<120пФ A nc K
HC 2SC2733 HIT NPN UCB0=30B; IC=50MA; PD=150мВт; h21>60; fT>600MГц B E C
HE 2SC3906KE ROHM NPN VCB0=120B; IC=50MA; PD=200мВт; h21=390...820; fT>140МГц B E C
HP 2SA1036KP ROHM PNP VCB0=-40B; IC=-500MA; PD=200мВт; h21=82...180; fT>200МГц B E C
HQ 2SA1036KQ ROHM PNP VCB0=-40B; IC=-500MA; PD=200мВт; h21=120...270; fT>200МГц B E C
HR 2SA1036KR ROHM PNP VCB0=-40B; IC=-500MA; PD=200мВт; h21=180...390; fT>200МГц B E C
HR 2SC3906KR ROHM NPN VCB0=120B; IC=50MA; PD=200мВт; h21=180...390; fT>140МГц B E C
HS 2SC3906KS ROHM NPN VCB0=120B; IC=50MA; PD=200мВт; h21=270...560; fT>140МГц B E C
I9 1SS336 TOSH 2xDI VR<80B; IF<200A;VF(IF =200мA)<1.2B; IR<0.5мкА; tRR<20нc K1 K2 A1 A2
ID- 2SC3127 HIT NPN UCB0=20B; IC=50MA; PD=150мВт; fT>3.5 ГГц B E C
IE 2SC3722KE ROHM NPN VCB0=120B; IC=50MA; PD=200мВт; h21=390...820; fT>140МГц B E C
IG- 2SK360 HIT nMOS UDS=20B; IC=30MA; PD=150мВт; NF=2.0дБ D G S
IJ- 2SC3374 HIT NPN UCB0=20B; IC=20MA; PD=150мВт; h21=20...200; fT>400МГц B E C
IL- 2SC3493 HIT NPN UCB0=15B; IC=20MA; PD=150мВт; h21=30...200; fT>700МГц B E C
IP- 2SC3793 HIT NPN UCB0=20B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=50...200; fT>1.4 ГГц B E C
IR 2SC3722KR ROHM NPN VCB0=120B; IC=50MA; PD=200мВт; h21=120...390; fT>140МГц B E C
IS 2SC3722KS ROHM NPN VCB0=120B; IC=50MA; PD=200мВт; h21=270...560; fT>140МГц B E C
IS- 2SC3513 HIT NPN UCB0=15B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=50...250; fT>4.5 ГГц B E C
J9 1SS337 TOSH 2xDI VR<80B; IF<200A;VF(IF =200мA)<1.2B; IR<0.5мкА; tRR<20нc A1 A2 K1 K2
JC 2SC2735 HIT NPN UCB0=30B; IC=50MA; PD=150мВт; h21>40; fT>600МГц E B C
JM 2SC2059KM ROHM NPN VCB0=25B; IC=20MA; PD=150мВт; h21=39...82; fT>500МГц B E C
JN 2SC2059KN ROHM NPN VCB0=25B; IC=20MA; PD=150мВт; h21=56...120; fT>500МГц B E C
JP 2SC2059KP ROHM NPN VCB0=25B; IC=20MA; PD=150мВт; h21=82...180; fT>500МГц B E C
K14 DTA114GKA ROHM PNP VCB0=-50B;IC=-100MA;PD=200мВт;h21>30;fT>250МГц; R2=10кOм B E C
K15 DTA124GKA ROHM PNP VCB0=-50B;IC=-100MA;PD=200мВт;h21>56;fT>250МГц; R2=22кOм B E C
K16 DTA144GKA ROHM PNP VCB0=-50B;IC=-100MA;PD=200мВт;h21>68;fT>250МГц; R2=47кOм B E C
K19 DTA115GKA ROHM PNP VCB0=-50B;IC=-100MA;PD=200мВт;h21>82;fT>250МГц; R2=100кOм B E C
K24 DTC114GKA ROHM PNP VCB0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;h21>30;fT>250МГц;R2=10кOм B E C
K25 DTC124GKA ROHM PNP VCB0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;h21>56;fT>250МГц;R2=22кOм B E C
K26 DTC144GKA ROHM PNP VCB0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;h21>68;fT>250МГц;R2=47кOм B E C
K29 DTC115GKA ROHM PNP VCB0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;h21>82;fT>250МГц; R2=100кOм B E C
K3B DTA1D3RKA ROHM PNP VCB0=-50B;IC=-30MA;PD=200мВт;h21>20;fT>250МГц; R1/R2=2.7/1кOм B E C
K4B DTC1D3RKA ROHM PNP VCB0=50B;IC=30MA;PD=200мВт;h21>20;fT>250МГц; R1/R2=2.7/1кOм B E C
K9 ISS348 TOSH SHD VR>80B; VF(IF =100мA)<0.7B; IR(VR =80B)<5мкА; CT<100пФ A nc K
KE 2SK1062 TOSH nMOS VDS=60B;ID=200MA; PD=200мВт; RDS(on)=0,6OM; G S D
KF 2SJ168 TOSH pMOS VDS=-60B;ID=-200MA; PD=200мВт; RDS(on)=1.3OM; G S D
KH 2SK1826 TOSH nMOS VDS=50B;ID=50MA; PD=200мВт; RDS(on)=20OM; G S D
KI 2SK1828 TOSH nMOS VDS=20B;ID=50MA; PD=100мВт; RDS(on)=20OM; G S D
KJ 2SK2036 TOSH nMOS VDS=20B;ID=100MA; PD=200мВт; RDS(on)=3.5OM; G S D

SOT346 (продолжение)

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
KK 2SK2823 TOSH nMOS VDS=20B;ID=100MA; PD=200мВт; RDS(on)=7OM; G S D
KM 2SK2009 TOSH nMOS VDS=30B;ID=200MA; PD=200мВт; RDS(on)=1.2OM; G S D
KN 2SJ305 TOSH pMOS VDS=-30B;ID=-200MA; PD=200мВт; RDS(on)=2.4OM; G S D
KP 2SK2033 TOSH nMOS VDS=20B;ID=100MA; PD=200мВт; RDS(on)=8OM; G S D
KQ 2SJ343 TOSH pMOS VDS=-50B;ID=-50MA; PD=200мВт; RDS(on)=20OM; G S D
KS 2SJ345 TOSH pMOS VDS=-20B;ID=50MA; PD=200мВт; RDS(on)=20OM; G S D
L14 DTB114GK ROHM PNP VCB0=-50B;IC=-500MA;PD=200мВт;h21>56;fT>200МГц; R2=10кOм B E C
L24 DTD114GK ROHM NPN VCB0=50B;IC=500MA;PD=200мВт;h21>56;fT>200МГц;R2=10кOм B E C
L9 1SS349 TOSH SHD VR>20B; VF(IF =1A)<0.55B; IR(VR =20B)<50мкА; CT=250пФ A nc K
LE 2SC2412KLNE ROHM NPN VCB0=50B; IC=150MA; PD=200мВт; h21=390...820; fT>180МГц B E C
LG 2SC2712GR TOSH NPN VCB0=50B; IC=150MA; PD=150мВт; h21=200...400; fT>80МГц B E C
LL 2SC2712BL TOSH NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=150мВт; h21=350...700; fT>80МГц B E C
LO 2SC2712O TOSH NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=150мВт; h21=70...140; fT>80МГц B E C
LR 2SC2412KLNR ROHM NPN VCB0=50B; IC=150MA; PD=200мВт; h21=180...390; fT>180МГц B E C
LS 2SC2412KLNS ROHM NPN VCB0=50B; IC=150MA; PD=200мВт; h21=270...560; fT>180МГц B E C
LY 2SC2712Y TOSH NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=150мВт; h21=120...240; fT>80МГц B E C
N9 1SS379 TOSH 2xDI VR>10B; VF(IF =100мA)<0.5B; IR(VR =10B)<20мкА; CT<40пФ A1 K2 K1 K2
O9 1SS377 TOSH 2xDI VR>10B; VF(IF =100мA)<0.5B; IR(VR =10B)<20мкА; CT<40пФ A1 A2 K1 K2
P9 1SS379 TOSH 2xDI VR<80B; IF<100A;VF(IF =200мA)<1.3B; IR<0.01мкА; A1 K2 K1 K2
QA RN1421 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=1/1кOм B E C
QB RN1422 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=2.2/2.2кOм B E C
QC RN1423 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=4.7/4.7кOм B E C
QD RN1424 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=10/10кOм B E C
QE RN1425 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=0.47/10кOм B E C
QF RN1426 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=1/10кOм B E C
QG RN1427 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=2.2/10кOм B E C
QI 2SC4196 HIT NPN UCB0=25B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=50...180; fT>1.8ГГц B E C
R1A MMST3904 ROHM NPN VCB0=25B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=50...180; fT>1.8ГГц B E C
R1B MMST2222 ROHM NPN VCB0=25B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=50...180; fT>1.8ГГц B E C
R1C MMST1130 ROHM NPN VCB0=30B; IC=200MA; h21=120...360; B E C
R1C MMSTA20 ROHM NPN VCB0=40B; IC=200MA; h21>120; fT>125MГц B E C
R1G MMSTA06 ROHM NPN VCB0=80B; IC=500MA; h21>100; fT>100MГц B E C
R1K MMST6428 ROHM NPN VCB0=60B; IC=200MA; h21=250...650; fT>100MГц B E C
R1M MMSTA13 ROHM NPN VCB0=30B; IC=500MA; h21>10000; fT>125MГц B E C
R1P MMST2222A ROHM NPN VCB0=75B; IC=600MA; h21=100...300; fT>250MГц B E C
R1N MMSTA14 ROHM NPN VCB0=30B; IC=500MA; h21>20000; fT>125MГц B E C
R1O MMST5088 ROHM NPN VCB0=35B; IC=200MA; h21=300...900; fT>50MГц B E C
R1R MMST5089 ROHM NPN VCB0=30B; IC=200MA; h21=400...1200; fT>50MГц B E C
R2A MMST3906 ROHM PNP VCB0=-40B; IC=-200MA; h21=100...300; fT>250MГц B E C
R2B MMST2907 ROHM PNP VCB0=-60B; IC=-600MA; h21=100...300; fT>200MГц B E C
R2C MMSTA70 ROHM PNP VCB0=-60B; IC=-200MA; h21=160...400; fT>125MГц B E C
R2F MMST2907A ROHM PNP VCB0=-60B; IC=-600MA; h21=100...300; fT>200MГц B E C
R2G MMSTA56 ROHM PNP VCB0=-80B; IC=-500MA; h21>100; fT>50MГц B E C
R2K MMST8598 ROHM PNP VCB0=-60B; IC=-200MA; h21=100...300; fT>150MГц B E C
R2P MMST5086 ROHM PNP VCB0=-50B; IC=-200MA; h21=150...500; fT>40MГц B E C
R2O MMST5087 ROHM PNP VCB0=-50B; IC=-200MA; h21=250...800; fT>40МГц B E C
R2Q SST7157 ROHM PNP VCB0=-60B;IC=-200MA; h21>100; B E C
R2T MMST4403 ROHM PNP VCB0=-40B; IC=-600MA; h21=100...300; fT>200МГц B E C
R2U MMSTA63 ROHM PNP VCB0=-30B; IC=-300MA; h21>5000; fT>125МГц B E C
R2V MMSTA64 ROHM PNP VCB0=-30B; IC=-300MA; h21>10000; fT>125МГц B E C
R2X MMST4401 ROHM PNP VCB0=60B; IC=600MA; h21=100...300; fT>250МГц B E C
R9 1SS392 TOSH 2xSHD VR>40B; VF(IF =100мA)<0.6B; IR(VR =40B)<5мкА; CT<25пФ A1 A2 K1 K2
R93 SSTTIS93 ROHM PNP VCB0=-40B; IC=-800MA; h21=100...300; fT>50МГц B E C
RA RN2421 TOSH dPNP VCE0=-50B;IC=-800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=1/1кOм B E C
RAT MMST28 ROHM NPN VCB0=80B; IC=500MA; h21>10000; fT>125МГц B E C
RB RN2422 TOSH dPNP VCE0=-50B;IC=-800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=2.2/2.2кOм B E C
RBR MMST6838 ROHM NPN VCB0=50B; IC=200MA; h21>200; fT>50МГц B E C
               

SOT346 (продолжение)

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
RC RN2423 TOSH dPNP VCE0=-50B;IC=-800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=4.7/4.7кOм B E C
RD RN2424 TOSH dPNP VCE0=-50B;IC=-800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=10/10кOм B E C
RE 2SA1514KE ROHM PNP VCE0=-120B; IC=-50MA; PD=200мВт; h21=390...820; fT>140МГц B E C
RE RN2425 TOSH dPNP VCE0=-50B;IC=-800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=0.47/10кOм B E C
RF RN2426 TOSH dPNP VCE0=-50B;IC=-800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=1/10кOм B E C
RFQ SST6839 ROHM PNP VCB0=-50B; IC=-200MA; h21>100; fT>50МГц B E C
RG RN2427 TOSH dPNP VCE0=-50B;IC=-800MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=2.2/10кOм B E C
RR 2SA1514KR ROHM PNP VCE0=-120B; IC=-50MA; PD=200мВт; h21=180...390; fT>140МГц B E C
RS 2SA1514KS ROHM PNP VCE0=-120B; IC=-50MA; PD=200мВт; h21=270...560; fT>140МГц B E C
RVZ MMST4126 ROHM PNP VCB0=-25B; IC=-200MA; h21=120...360; fT>250МГц B E C
RZC MMST4124 ROHM NPN VCB0=30B; IC=200MA; h21=120...360; fT>300МГц B E C
S9 1SS394 TOSH SHD VR>10B; VF(IF =100мA)<0.5B; IR(VR =10B)<20мкА; CT<40пФ A nc K
SM 2SC3082KM ROHM NPN VCB0=30B; IC=50MA; PD=200мВт; h21=39...82;fT>110МГц B E C
SN 2SC3082KN ROHM NPN VCB0=30B; IC=50MA; PD=200мВт; h21=56...120;fT>110МГц B E C
SP 2SC3082KP ROHM NPN VCB0=30B; IC=50MA; PD=200мВт; h21=82...180;fT>110МГц B E C
SQ 2SC3082KQ ROHM NPN VCB0=30B; IC=50MA; PD=200мВт; h21=120..270;fT>110МГц B E C
T9 1SS396 TOSH 2xSHD VR>40B; VF(IF =100мA)<0.6B; IR(VR =40B)<5мкА; CT<25пФ A1 K2 K1 A2
TC 2SC2736 HIT NPN UCB0=30B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=30...200; fT>1.4ГГц B E C
TE 2SC33906KE ROHM NPN VCB0=120B; IC=50MA; PD=200мВт; h21=390..820;fT>140МГц B E C
TI- 2SC4197 HIT NPN UCB0=25B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=30...200; fT>1.4ГГц B E C
TR 2SC33906KR ROHM NPN VCB0=120B; IC=50MA; PD=200мВт; h21=390..820;fT>140МГц B E C
TS 2SC33906KS ROHM NPN UCB0=25B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=50...180; fT>3ГГц B E C
UA 2SB852KA ROHM PNP VCB0=-40B; IC=-300MA; PD=200мВт; h21>1000;fT>200МГц B E C
UB 2SB852KB ROHM PNP VCB0=-40B; IC=-300MA; PD=200мВт; h21>5000;fT>200МГц B E C
UI- 2SC4229 HIT NPN UCB0=30B; IC=20MA; PD=150мВт; h21=50...180; fT>700MГц B E C
WA 2SD1383KA ROHM NPN VCB0=40B; IC=300MA; PD=300мВт; h21>1000;fT>250МГц B E C
WB 2SD1383KB ROHM NPN VCB0=40B; IC=300MA; PD=200мВт; h21>5000;fT>250МГц B E C
X_ 2SB1051K ROHM PNP VCB0=32B; IC=-1000MA; PD=200мВт; h21=390;fT>150МГц B E C
X9 ISS398 TOSH 2xDI VR>400B; IF<100мA VF(IF =100мA)<1.3B; IR<1.0мкА; A1 K2 K1 A2
XA RN1401 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц; R1/R2=4.7/4.7кOм B E C
XB RN1402 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT>250МГц;R1/R2=10/10кOм B E C
XB_ 2SC4416 HIT NPN UCB0=25B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=50...180; fT>3ГГц E B C
XC RN1403 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц;R1/R2=22/22кOм B E C
XD RN1404 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц;R1/R2=47/47кOм B E C
XE RN1405 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц; R1/R2=2.2/47кOм B E C
XF RN1406 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц; R1/R2=4.7/4.7кOм B E C
XH RN1407 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц;R1/R2=10/47кOм B E C
XI RN1408 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц;R1/R2=22/47кOм B E C
XJ RN1409 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц;R1/R2=47/22кOм B E C
XK RN1410 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц;R1=4.7кOм B E C
XM RN1411 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц;R1=10кOм B E C
XM_ 2SC4591 HIT NPN UCB0=15B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=40...250; fT>6.5ГГц B E C
XN RN1412 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц;R1=22кOм B E C
XP RN1413 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц;R1=47кOм B E C
XQ RN1414 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц;R1/R2=1/10кOм B E C
XS RN1415 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц; R1/R2=2.2/10кOм B E C
XT RN1416 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц; R1/R2=4.7/10кOм B E C
XU RN1417 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц; R1/R2=10/4.7кOм B E C
XU_ 2SC4680 HIT NPN UCB0=12B; IC=50MA; PD=150мВт; h21>100 B E C
XW RN1418 TOSH dNPN VCE0=50B;IC=100MA;PD=200мВт;fT=200МГц;R1/R2=47/10кOм B E C
YA RN2401 TOSH dNPN VCE0=-50B;IC=-100MA;PD=200мВт;fT=200МГц; R1/R2=4.7/4.7кOм B E C
YB RN2402 TOSH dPNP VCE0=-50B; IC=-100MA; PD=200мВт; fT=200МГц; R1/R2=10/10кOм B E C
YC RN2403 TOSH dPNP VCE0=-50B; IC=-100MA; PD=200мВт; fT=200МГц; R1/R2=22/22кOм B E C
YD RN2404 TOSH dPNP VCE0=-50B; IC=-100MA; PD=200мВт; fT=200МГц; R1/R2=47/47кOм B E C

 

⇐ Предыдущая10111213141516171819Следующая ⇒


Поделиться с друзьями:

Дата добавления: 2015-06-27; Просмотров: 383; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.028 сек.