Студопедия

КАТЕГОРИИ:

Главная
Случайная страница
Познавательное
Новые статьи
Контакты
Заказать работу

Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

SC – 75A 3 страница


⇐ Предыдущая1314151617181920Следующая ⇒


 

SOT89 (продолжение)

Код Типоно минал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
CB BCX68-10 SIEM NPN VCB0=20B; IC=1A; PD=1Вт; h21=85...160; fT=100МГц B E C
CBC BC868-10 PHIL NPN VCB0=25B; IC=1A; PD=1Вт; h21=160...500; fT>40МГц B E C
CBN 2SC4132 ROHM NPN VCB0=120B; IC=2A; PD=500мВт; h21=56...120; fT>80МГц B E C
CBP 2SC4132 ROHM NPN VCB0=120B; IC=2A; PD=500мВт; h21=82...180; fT>80МГц B E C
CBQ 2SC4132 ROHM NPN VCB0=120B; IC=2A; PD=500мВт; h21=120...270; fT>80МГц B E C
CBR 2SC4132 ROHM NPN VCB0=120B; IC=2A; PD=500мВт; h21=180...390; fT>80МГц B E C
CC BCX68-16 SIEM NPN VCB0=20B; IC=1A; PD=1Вт; h21=100...250; fT=100МГц B E C
CCC BC868-16 PHIL NPN VCB0=25B; IC=1A; PD=1Вт; h21=100...250; fT>40МГц B E C
CD BCX68-25 SIEM NPN VCB0=20B; IC=1A; PD=1Вт; h21=160...375; fT=100МГц B E C
CDC BC68-25 PHIL NPN VCB0=25B; IC=1A; PD=1Вт; h21>160; fT>40МГц B E C
CEC BC869 PHIL PNP VCB0=-25B; IC=-1A; PD=1Вт; h21=85...375; fT>40МГц B E C
CEN 2SC4504 ROHM NPN VCB0=400B; IC=100мA; PD=500мВт; h21=56...120; fT>20МГц B E C
CEP 2SC4504 ROHM NPN VCB0=400B; IC=100мA; PD=500мВт; h21=82...180; fT>20МГц B E C
CEQ 2SC4504 ROHM NPN VCB0=400B; IC=100мA; PD=500мВт; h21=120...270; fT>20МГц B E C
CF BCX69-10 SIEM PNP VCB0=-20B; IC=-1A; PD=1Вт; h21=85...160; fT=100МГц B E C
CFC BC869-10 PHIL PNP VCB0=-25B; IC=-1A; PD=1Вт; h21>160; fT>40МГц B E C
CFQ 2SD2150 ROHM NPN VCB0=40B; IC=3A; PD=500мВт; h21=120...270; fT>290МГц B E C
CFR 2SD2150 ROHM NPN VCB0=40B; IC=3A; PD=500мВт; h21=180...390; fT>290МГц B E C
CFS 2SD2150 ROHM NPN VCB0=40B; IC=3A; PD=500мВт; h21=270...560; fT>290МГц B E C
CG BCX69-16 SIEM PNP VCB0=-20B; IC=-1A; PD=1Вт; h21=100...250; fT=100МГц B E C
CGC BC869-16 PHIL PNP VCB0=-25B; IC=-1A; PD=1Вт; h21=100...250; fT>40МГц B E C
CGP 2S5053 ROHM NPN VCB0=60B; IC=1A; PD=500мВт; h21=82...180; fT>150МГц B E C
CGQ 2S5053 ROHM NPN VCB0=60B; IC=1A; PD=500мВт; h21=120...270; fT>150МГц B E C
CGR 2S5053 ROHM NPN VCB0=60B; IC=1A; PD=500мВт; h21=180...390; fT>150МГц B E C
CH BCX69-25 SIEM PNP VCB0=-20B; IC=-1A; PD=1Вт; h21=160...375; fT=100МГц B E C
CHC BC869-25 PHIL PNP VCB0=-25B; IC=-1A; PD=1Вт; h21=160; fT>40МГц B E C
CR 2SC4422 HIT NPN VCB0=15B; IC=50мA; PD=400мВт; h21=50-250; fT>4.5ГГц B E C
DA BF622 PHIL NPN VCB0=250B; IC=50мA; PD=1Вт; h21>50; fT>60МГц B E C
DA BF622 SIEM NPN VCB0=250B; IC=50мA; PD=1Вт; h21>50; fT=100МГц B E C
DAP 2SD1664 ROHM NPN VCB0=40B; IC=1A; PD=500мВт; h21=82...180; fT>150МГц B E C
DAQ 2SD1664 ROHM NPN VCB0=40B; IC=1A; PD=500мВт; h21=120...270; fT>150МГц B E C
DAR 2SD1664 ROHM NPN VCB0=40B; IC=1A; PD=500мВт; h21=180...390; fT>150МГц B E C
DB BF623 PHIL PNP VCB0=-250B; IC=-50мA; PD=1Вт; h21>50; fT>60МГц B E C
DB BF623 SIEM PNP VCB0=-250B; IC=-50мA; PD=1Вт; h21>50; fT=100МГц B E C
DBP 2SD1766 ROHM NPN VCB0=40B; IC=2A; PD=500мВт; h21=82...180; fT>100МГц B E C
DBQ 2SD1766 ROHM NPN VCB0=40B; IC=2A; PD=500мВт; h21=120...270; fT>100МГц B E C
DBR 2SD1766 ROHM NPN VCB0=40B; IC=2A; PD=500мВт; h21=180...390; fT>100МГц B E C
DC BF620 PHIL NPN VCB0=300B; IC=50мA; PD=1Вт; h21>50; fT>60МГц B E C
DC BFN23 SIEM NPN VCB0=300B; IC=50мA; PD=1Вт; h21>40; fT=100МГц B E C
DCP 2SD1767 ROHM NPN VCB0=80B; IC=700мA; PD=500мВт; h21=82...180; fT>120МГц B E C
DCQ 2SD1767 ROHM NPN VCB0=80B; IC=700мA; PD=500мВт; h21=120...270; fT>120МГц B E C
DCR 2SD1767 ROHM NPN VCB0=80B; IC=700мA; PD=500мВт; h21=180...390; fT>120МГц B E C
DD BFN23 SIEM NPN VCB0=250B; IC=200мA; PD=1Вт; h21>40; fT>70МГц B E C
DDP 2SD1766 ROHM NPN VCB0=40B; IC=2A; PD=500мВт; h21=82...180; fT>100МГц B E C
DDQ 2SD1766 ROHM NPN VCB0=40B; IC=2A; PD=500мВт; h21=120...270; fT>100МГц B E C
DDR 2SD1766 ROHM NPN VCB0=40B; IC=2A; PD=500мВт; h21=180...390; fT>100МГц B E C

SOT89 (продолжение)

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
DE 2SD1834 ROHM NPN VCB0=60B; IC=1A; PD=500мВт; h21>2000 B E C
DE BFN18 SIEM NPN VCB0=300B; IC=200мA; PD=1Вт; h21>30; fT>70МГц B E C
DF BF621 PHIL PNP VCB0=-300B; IC=-50мA; PD=1Вт; h21>50; fT>60МГц B E C
DF BFN21 SIEM PNP VCB0=-300B; IC=-50мA; PD=1Вт; h21>40; fT=100МГц B E C
DF_ 2SD1898 ROHM NPN VCB0=80B; IC=1A; PD=2Вт; h21=82...390; fT>100МГц B E C
DG BFN17 SIEM PNP VCB0=-250B; IC=-200мA; PD=1Вт; h21>40; fT=100МГц B E C
DGQ 2SD1963 ROHM NPN VCB0=50B; IC=3A; PD=500мВт; h21=120...270; fT>150МГц B E C
DGR 2SD1963 ROHM NPN VCB0=50B; IC=3A; PD=500мВт; h21=180...390; fT>150МГц B E C
DGS 2SD1963 ROHM NPN VCB0=50B; IC=3A; PD=500мВт; h21=270...560; fT>150МГц B E C
DH BFN19 SIEM PNP VCB0=-300B; IC=-200мA; PD=1Вт; h21>30; fT=100МГц B E C
DJQ 2SD2098 ROHM NPN VCB0=50B; IC=5A; PD=500мВт; h21=120...270; fT>150МГц B E C
DJR 2SD2098 ROHM NPN VCB0=50B; IC=5A; PD=500мВт; h21=180...390; fT>150МГц B E C
DJS 2SD2098 ROHM NPN VCB0=50B; IC=5A; PD=500мВт; h21=270...560; fT>150МГц B E C
DKP 2SC4672 ROHM NPN VCB0=60B; IC=2A; PD=500мВт; h21=82...180; fT>210МГц B E C
DKQ 2SC4672 ROHM NPN VCB0=60B; IC=2A; PD=500мВт; h21=120...270; fT>210МГц B E C
DLN 2SD2167 ROHM NPN VCB0=31B; IC=2A; PD=500мВт; h21=56...120; fT>100МГц B E C
DLQ 2SD2167 ROHM NPN VCB0=31B; IC=2A; PD=500мВт; h21=120...270; fT>100МГц B E C
DLP 2SD2167 ROHM NPN VCB0=31B; IC=2A; PD=500мВт; h21=82...180; fT>100МГц B E C
DM 2SD2170 ROHM NPN VCB0=90B; IC=2A; PD=500мВт; h21=1000...10000; fT>80МГц B E C
DO 2SA1201 TOSH PNP VCE0=-120B; IC=-800мA; PD=500мВт; h21>70...140; fT=120МГц B E C
DP 2SD2195 ROHM NPN VCB0=100B; IC=2A; PD=500мВт; h21=1000...10000; fT>80МГц B E C
DQN 2SD2211 ROHM NPN VCB0=160B; IC=1500мA; PD=500мВт; h21=56...120; fT>80МГц B E C
DQP 2SD2211 ROHM NPN VCB0=160B; IC=1500мA; PD=500мВт; h21=82...180; fT>80МГц B E C
DQQ 2SD2211 ROHM NPN VCB0=160B; IC=1500мA; PD=500мВт; h21=120...270; fT>80МГц B E C
DR 2SC4643 HIT NPN VCB0=15B; IC=50мA; PD=400мВт; h21=40-250; fT>5.5ГГц B E C
DR 2SD2212 ROHM NPN VCB0=60B; IC=2A; PD=500мВт; h21=1000...10000; fT>80МГц B E C
DTP 2SD2391 ROHM NPN VCB0=60B; IC=2A; PD=500мВт; h21=82...180; fT>210МГц B E C
DTQ 2SD2391 ROHM NPN VCB0=60B; IC=2A; PD=500мВт; h21=120...270; fT>210МГц B E C
DY 2SA1201 TOSH PNP VCE0=-120B; IC=-800мA; PD=500мВт; h21>120...240; fT=120МГц B E C
E01 DTDG14GP ROHM D-NPN VCB0=60B; IC=1A; PD=500мВт; h21>300; fT>80МГц; R2=10кOм B E C
ED BCV28 SIEM PNP VCB0=-40B; IC=-500мA; PD=1Вт; h21>100; fT=200МГц; B E C
EE BCV48 SIEM PNP VCB0=-80B; IC=-500мA; PD=1Вт; h21>400; fT=200МГц; B E C
EF BCV29 SIEM NPN VCB0=40B; IC=500мA; PD=1Вт; h21>100; fT=150МГц; B E C
EG BCV49 SIEM NPN VCB0=80B; IC=500мA; PD=1Вт; h21>400; fT=150МГц; B E C
FGs BFQ19S SIEM NPN VCB0=20B; IC=75мA; PD=1Вт; h21=40...220; fT=5500МГц; B E C
FO 2SA1202 TOSH PNP VCE0=-80B; IC=-400мA; PD=500мВт; h21>70...140; fT=120МГц; B E C
FY 2SA1202 TOSH PNP VCE0=-80B; IC=-400мA; PD=500мВт; h21>120...240; fT=120МГц; B E C
GA BAW78A SIEM DI VR<50B; IF<1A;VF(IF =1A)<1.6B; IR<1.0мкА; CD<10пФ; tRR<1000нc A K nc
GB BAW78B SIEM DI VR<100B; IF<1A;VF(IF =1A)<1.6B; IR<1.0мкА; CD<10пФ; tRR<1000нc A K nc
GC BAW78C SIEM DI VR<200B; IF<1A;VF(IF =1A)<1.6B; IR<1.0мкА; CD<10пФ; tRR<1000нc A K nc
GD BAW78D SIEM DI VR<400B; IF<1A;VF(IF =1A)<1.6B; IR<1.0мкА; CD<10пФ; tRR<1000нc A K nc
GE BAW79A SIEM 2xDI VR<50B; IF<1A;VF(IF =1A)<1.6B; IR<1.0мкА; CD<10пФ; tRR<1000нc A1 K1 K2 A2
GF BAW79B SIEM 2xDI VR<100B; IF<1A;VF(IF =1A)<1.6B; IR<1.0мкА; CD<10пФ; tRR<1000нc A1 K1 K2 A2
GG BAW79C SIEM 2xDI VR<200B; IF<1A;VF(IF =1A)<1.6B; IR<1.0мкА; CD<10пФ; tRR<1000нc A1 K1 K2 A2
GH BAW79D SIEM 2xDI VR<400B; IF<1A;VF(IF =1A)<1.6B; IR<1.0мкА; CD<10пФ; tRR<1000нc A1 K1 K2 A2
GO KTC4375 KEC NPN VCB0=30B; IC=1.5A; PD=500мВт; h21=100...200; fT>120МГц B E C
GY KTC4375 KEC NPN VCB0=30B; IC=1.5A; PD=500мВт; h21=160...320; fT>120МГц B E C
HO 2SA1203 TOSH PNP VCB0=-30B; IC=-1.5A; PD=500мВт; h21=100...200; fT=200МГц B E C
HO KTA1663 KEC PNP VCB0=-30B; IC=-1.5A; PD=500мВт; h21=100...200; fT>120МГц B E C
HY 2SA1203 TOSH PNP VCE0=-30B; IC=-1.5A; PD=500мВт; h21>160...320; fT=120МГц; B E C
HY KTA1663 KEC PNP VCB0=-30B; IC=-1.5A; PD=500мВт; h21=160...320; fT>120МГц B E C
JO 2SA1384 TOSH NPN VCE0=-30B; IC=-100мA; PD=500мВт; h21>50...150; fT>50МГц B E C
JR 2SA1384 TOSH NPN VCE0=-30B; IC=-100мA; PD=500мВт; h21>30...90; fT>50МГц B E C
KA 2SC4409 TOSH NPN VCE0=80B; IC=2A; PD=500мВт; h21>120...240; fT=100МГц B E C
KA BSS87 SIEM nMOS VDS=240B; ID=290мA; PD=1Вт; gF=50мс; RDS=10Oм G D S
KB 2SC4539 TOSH NPN VCE0=30B; IC=1.2A; PD=500мВт; h21>120...400; fT=100МГц B E C

 

SOT89 (продолжение)

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
KB BSS192 SIEM pMOS VDS=-240B; ID=-150мA; PD=1Вт; gF=120мСм; RDS=3.5Oм G D S
KC 2SC4540 TOSH NPN VCE0=50B; IC=1A; PD=500мВт; h21>120...400; fT=100МГц B E C
KD 2SC4541 TOSH NPN VCE0=50B; IC=3A; PD=1500мВт; h21>120...400; fT=100МГц B E C
LA 2SC1681 TOSH PNP VCE0=--60B; IC=-2A; PD=500мВт; h21>120...400; fT=100МГц B E C
LA KTD1003 KEC NPN VCB0=60B; IC=1.0A; PD=500мВт; h21=800...1600; fT>250МГц B E C
LB 2SC1734 TOSH PNP VCE0=-40B; IC=-1.2A; PD=500мВт; h21>120...400; fT=100МГц B E C
LB KTD1003 KEC NPN VCB0=60B; IC=1.0A; PD=500мВт; h21=1200...2400; fT>250МГц B E C
LC 2SC1735 TOSH PNP VCE0=-60B; IC=-1A; PD=500мВт; h21=120...400; fT=100МГц B E C
LC KTD1003 KEC NPN VCB0=60B; IC=1.0A; PD=500мВт; h21=2000...3200; fT>250МГц B E C
LD 2SC1736 TOSH PNP VCE0=-60B; IC=-3A; PD=500мВт; h21=120...400; fT=100МГц B E C
N01 DTDM12ZP ROHM D-NPN VCB0=30B; IC=3A; PD=500мВт; h21>68; fT>80МГц B E C
p1A PXT3904 PHIL NPN VCB0=60B; IC=200мA; PD=1Вт; h21=100...300; fT>300МГц B E C
p1B PXT2222 PHIL NPN VCB0=60B; IC=600мA; PD=1Вт; h21=100...300; fT>250МГц B E C
p1D PXTA42 PHIL NPN VCB0=300B; IC=500мA; PD=1Вт; h21>40; fT>50МГц B E C
p1E PXTA43 PHIL NPN VCB0=200B; IC=500мA; PD=1Вт; h21>40; fT>50МГц B E C
p1N PXTA14 PHIL NPN VCB0=30B; IC=300мA; PD=1Вт; h21>20000; fT>125МГц B E C
p1P PXT2222A PHIL NPN VCB0=75B; IC=600мA; PD=1Вт; h21=100...300; fT>300МГц B E C
p2A PXT3906 PHIL PNP VCB0=-40B; IC=-200мA; PD=1Вт; h21=100...300; fT>250МГц B E C
p2B PXT2907 PHIL PNP VCB0=-60B; IC=-600мA; PD=1Вт; h21=100...300; fT>200МГц B E C
p2D PXTA92 PHIL PNP VCB0=-300B; IC=-500мA; PD=1Вт; h21>40; fT>50МГц B E C
p2E PXTA93 PHIL PNP VCB0=-200B; IC=-500мA; PD=1Вт; h21>40; fT>50МГц B E C
p2F PXT2907A PHIL PNP VCB0=-60B; IC=-600мA; PD=1Вт; h21=100...300; fT>200МГц B E C
p2F PXT2907A PHIL PNP VCB0=-60B; IC=-600мA; PD=1Вт; h21=100...300; fT>200МГц B E C
p2T PXT4403 PHIL PNP VCB0=-40B; IC=-600мA; PD=1Вт; h21=100...300; fT>200МГц B E C
p2V PXTA64 PHIL PNP VCB0=-30B; IC=-300мA; PD=1Вт; h21>10000; fT>125МГц B E C
p2X PXT4401 PHIL NPN VCB0=40B; IC=600мA; PD=1Вт; h21=100...300; fT>250МГц B E C
PO KTC4376 KEC NPN VCB0=35B; IC=0.8A; PD=500мВт; h21=100...200; fT>120МГц B E C
PY KTC4376 KEC NPN VCB0=35B; IC=0.8A; PD=500мВт; h21=160...320; fT>120МГц B E C
RCs BFQ193 SIEM NPN VCB0=20B; IC=80мA; PD=600мВт; h21=50...200; fT=7500МГц B E C
RO 2SA1204 TOSH PNP VCE0=-35B; IC=-800мA; PD=500мВт; h21>100...200; fT=120МГц B E C
RO KTA1664 KEC PNP VCB0=-35B; IC=-0.8A; PD=500мВт; h21=100...200; fT>120МГц B E C
RY 2SA1204 TOSH PNP VCE0=-35B; IC=-800мA; PD=500мВт; h21>160...320; fT=120МГц B E C
RY KTA1664 KEC PNP VCB0=-35B; IC=-0.8A; PD=500мВт; h21=160...320; fT>120МГц B E C
SA 2SC2982 TOSH NPN VCE0=30B; IC=2A; PD=500мВт; h21>140...240; fT=140МГц B E C
SB 2SC2982 TOSH NPN VCE0=30B; IC=2A; PD=500мВт; h21>200...330; fT=140МГц B E C
SC 2SC2982 TOSH NPN VCE0=30B; IC=2A; PD=500мВт; h21>300...450; fT=140МГц B E C
SCO KSC2881 SAMS NPN VCE0=30B; IC=2A; PD=500мВт; h21>300...450; fT=140МГц B E C
SCY KSC2881 SAMS NPN VCB0=120B; IC=800мA; PD=500мВт; h21=120...240; fT>120МГц B E C
SD 2SC2982 TOSH NPN VCE0=30B; IC=2A; PD=500мВт; h21>420...600; fT=140МГц B E C
SDO KSA1201 SAMS PNP VCB0=-120B; IC=-800мA; PD=500мВт; h21=80...160; fT>120МГц B E C
SDO KSA1203 SAMS PNP VCB0=-30B; IC=-1.5A; PD=500мВт; h21=100...200; fT>120МГц B E C
SDY KSA1201 SAMS PNP VCB0=-120B; IC=-800мA; PD=500мВт; h21=120...240; fT>120МГц B E C
SDY KSA1203 SAMS PNP VCB0=-30B; IC=-1.5A; PD=500мВт; h21=160...320; fT>120МГц B E C
SHO KSC2883 SAMS NPN VCB0=30B; IC=1500мA; PD=500мВт; h21=100...200; fT>120МГц B E C
SHY KSC2883 SAMS NPN VCB0=30B; IC=1500мA; PD=500мВт; h21=160...320; fT>120МГц B E C
SLG KSB798 SAMS PNP VCB0=-30B; IC=-1A; PD=2Вт; h21=200...400; fT>110МГц B E C
SLO KSB798 SAMS PNP VCB0=-30B; IC=-1A; PD=2Вт; h21=90...180; fT>110МГц B E C
SLY KSB798 SAMS PNP VCB0=-30B; IC=-1A; PD=2Вт; h21=135...270; fT>110МГц B E C
SSA KSC2982 SAMS NPN VCB0=30B; IC=2A; PD=500мВт; h21=140...240; fT>150МГц B E C
SSB KSC2982 SAMS NPN VCB0=30B; IC=2A; PD=500мВт; h21=200...330; fT>150МГц B E C
SSC KSC2982 SAMS NPN VCB0=30B; IC=2A; PD=500мВт; h21=300...450; fT>150МГц B E C
SSD KSC2982 SAMS NPN VCB0=30B; IC=2A; PD=500мВт; h21=420...600; fT>150МГц B E C
SYR KSD1621 SAMS NPN VCB0=30B; IC=2A; PD=500мВт; h21=100...200; fT>150МГц B E C
SYS KSD1621 SAMS NPN VCB0=30B; IC=2A; PD=500мВт; h21=140...280; fT>150МГц B E C
SYT KSD1621 SAMS NPN VCB0=30B; IC=2A; PD=500мВт; h21=200...400; fT>150МГц B E C
SYU KSD1621 SAMS NPN VCB0=30B; IC=2A; PD=500мВт; h21=280...560; fT>150МГц B E C
SZR KSB1121 SAMS PNP VCB0=-30B; IC=-2A; PD=500мВт; h21=100...200; fT>150МГц B E C
SZS KSB1121 SAMS PNP VCB0=-30B; IC=-2A; PD=500мВт; h21=140...280; fT>150МГц B E C
SZT KSB1121 SAMS PNP VCB0=-30B; IC=-2A; PD=500мВт; h21=200...400; fT>150МГц B E C
SZU KSB1121 SAMS PNP VCB0=-30B; IC=-2A; PD=500мВт; h21=280...560; fT>150МГц B E C
TA 2SA1314 TOSH PNP VCE0=-20B; IC=-2A; PD=500мВт; h21>140...280; fT=140МГц B E C

 

⇐ Предыдущая1314151617181920Следующая ⇒


Поделиться с друзьями:

Дата добавления: 2015-06-27; Просмотров: 427; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2025) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.