Студопедия

КАТЕГОРИИ:

Главная
Случайная страница
Познавательное
Новые статьи
Контакты
Заказать работу

Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

SC – 75A 1 страница


⇐ Предыдущая1314151617181920Следующая ⇒


Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
  DTC143TE ROHM D-NPN VCB0=50B; IC=100MA; PD=150мВт; h21=100...600; fT>250МГц R1=4.7кOм B E C
  DTC114TE ROHM D-NPN VCB0=50B; IC=100MA; PD=150мВт; h21=100...600; fT>250МГц R1=10кOм B E C
  DTC124TE ROHM D-NPN VCB0=50B; IC=100MA; PD=150мВт; h21=100...600; fT>250МГц R1=22кOм B E C
  DTC144TE ROHM D-NPN VCB0=50B; IC=100MA; PD=150мВт; h21=100...600; fT>250МГц R1=47кOм B E C
  DTA123EE ROHM D-NPN VCB0=50B; IC=100MA;PD=150мВт; h21>20; fT>250МГц R1/R2=2.2/2.2кOм B E C
  DTA143EE ROHM D-NPN VCB0=50B; IC=100MA;PD=150мВт; h21>20; fT>250МГц R1/R2=4.7/4.7кOм B E C
  DTA114EE ROHM D-NPN VCB0=50B; IC=100MA;PD=150мВт; h21>30; fT>250МГц R1/R2=10/10кOм B E C
  DTA124EE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC(max)=100MA;PD=150мВт;h21>56; fT>250МГц R1/R2=22/22кOм B E C
  DTA144EE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC(max)=100MA;PD=150мВт;h21>68; fT>250МГц R1/R2=47/47кOм B E C
  DTA115EE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC(max)=100;PD=150мВт;h21>82; fT>250МГц R1/R2=100/100кOм B E C
  DTC123EE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21>20; fT>250МГц R1/R2=2.2/2.2кOм B E C
  DTC143EE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21>20; fT>250МГц R1/R2=4.7/4.7кOм B E C
  DTC114EE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21>30; fT>250МГц R1/R2=10/10кOм B E C
  DTC124EE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC(max)=100MA;PD=150мВт;h21>56; fT>250МГц R1/R2=22/22кOм B E C
  DTC144EE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC(max)=100;PD=150мВт;h21>68; fT>250МГц R1/R2=47/47кOм B E C
  DTC115EE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC(max)=100MA;PD=150мВт;h21>82; fT>250МГц R1/R2=100/100кOм B E C
  DTA143XE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21>20; fT>250МГц R1/R2=4.7/4.7кOм B E C
  DTA124XE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21>68; fT>250МГц R1/R2=22/47кOм B E C
  DTC143XE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21>30; fT>250МГц R1/R2=4.7/10кOм B E C
  DTA124XE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21>68; fT>250МГц R1/R2=22/47кOм B E C
  DTA123YE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21>33; fT>250МГц R1/R2=2.2/10кOм B E C
  DTA114YE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21>68; fT>250МГц R1/R2=10/47кOм B E C
  DTC123YE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21>33; fT>250МГц R1/R2=2.2/10кOм B E C
  DTC114YE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21>68; fT>250МГц R1/R2=10/47кOм B E C
  DTC115TE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21=100...600; fT>250МГц R1=100кOм B E C
  DTA114WE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21>24; fT>250МГц R1/R2=10/4.7кOм B E C
  DTA144WE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC(max)=100MA;PD=150мВт;h21>56; fT>250МГц R1/R2=47/22кOм B E C
  DTC114WE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21>24; fT>250МГц R1/R2=10/4.7кOм B E C

 

SOT – 416 (продолжение)

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
  DTC144WE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC(max)=100MA;PD=150мВт;h21>56; fT>250МГц R1/R2=47/22кOм B E C
  DTA143TE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21=100...600; fT>250МГц R1=4.7кOм B E C
  DTA114TE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21=100...600; fT>250МГц R1=10кOм B E C
  DTA124TE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21=100...600; fT>250МГц R1=22кOм B E C
  DTA144TE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21=100...600; fT>250МГц R1=47кOм B E C
  DTA115TE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт;h21=100...600; fT>250МГц R1=100кOм B E C
A3 ISS360 TOSH 2xDI VR<80B; IF<100A;VF(IF =100мA)<1.2B; IR<0.5мкА; tRR<4нc K1 K2 A1 A2
AN 2SC4618 ROHM NPN VCB0=40B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=56...120; fT>300МГц B E C
AP 2SC4618 ROHM NPN VCB0=40B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=82...180; fT>300МГц B E C
AQ 2SC4618 ROHM NPN VCB0=40B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=120...270; fT>300МГц B E C
B3 1SS361 TOSH 2xDI VR<80B; IF<100A;VF(IF =100мA)<1.2B; IR<0.5мкА; tRR<4нc A1 A2 K1 K2
BQ 2SC4617 ROHM NPN VCB0=50B; IC=150MA; PD=200мВт; h21=120...270; fT>180МГц B E C
BR 2SC4617 ROHM NPN VCB0=50B; IC=150MA; PD=200мВт; h21=180...390; fT>180МГц B E C
BS 2SC4617 ROHM NPN VCB0=50B; IC=150MA; PD=200мВт; h21=270...560; fT>180МГц B E C
C3 1SS362 TOSH 2xDI VR<80B; IF<80A;VF(IF =80мA)<1.2B; IR<0.5мкА; tRR<4нc A1 K2 K1 A2
E11 DTA113ZE ROHM D-PNP VCB0=50B; IC=100MA; PD=150мВт; h21>33; fT>250МГц R1/R2=1/10кOм B E C
E13 DTA143ZE ROHM D-PNP VCB0=50B; IC=100MA; PD=150мВт; h21>80; fT>250МГц R1/R2=4.7/4.7кOм B E C
E21 DTC113ZE ROHM D-NPN VCB0=50B; IC=100MA; PD=150мВт; h21>33; fT>250МГц R1/R2=1/10кOм B E C
E23 DTC143ZE ROHM D-NPN VCB0=50B; IC=100MA; PD=150мВт; h21>80; fT>250МГц R1/R2=4.7/4.7кOм B E C
E32 DTA123JE ROHM D-PNP VCB0=50B; IC=100MA; PD=150мВт; h21>80; fT>250МГц R1/R2=2.2/47кOм B E C
E42 DTC123JE ROHM D-NPN VCB0=50B; IC=100MA; PD=150мВт; h21>80; fT>250МГц R1/R2=2.2/47кOм B E C
E56 DTA144VE ROHM D-PNP VCB0=50B; IC=100MA; PD=150мВт; h21>33; fT>250МГц R1/R2=47/10кOм B E C
E66 DTC144VE ROHM D-NPN VCB0=50B; IC=100MA; PD=150мВт; h21>33; fT>250МГц R1/R2=47/10кOм B E C
FQ 2SA177A ROHM PNP VCB0=50B; IC=150MA; PD=200мВт; h21=120...270; fT>140МГц B E C
FR 2SA177A ROHM PNP VCB0=50B; IC=150MA; PD=200мВт; h21=180...390; fT>140МГц B E C
FS 2SA177A ROHM PNP VCB0=50B; IC=150MA; PD=200мВт; h21=270...560; fT>140МГц B E C
JM 2SC4649 ROHM NPN VCB0=25B; IC=20MA; PD=150мВт; h21=39...82; fT>500МГц B E C
JN 2SC4649 ROHM NPN VCB0=25B; IC=20MA; PD=150мВт; h21=56...120; fT>500МГц B E C
JP 2SC4649 ROHM NPN VCB0=25B; IC=20MA; PD=150мВт; h21=82...180; fT>500МГц B E C
K19 DTA115GE ROHM D-PNP VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт; h21>82; fT>250МГц R2=100кOм B E C
K29 DTC115GE ROHM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA;PD=150мВт; h21>82; fT>250МГц R2=100кOм B E C
K3B DTA1D3RE ROHM D-PNP VCB0=50B; IC(max)=100MA; PD=150мВт; h21>20; fT>250МГц B E C
K4B DTA1D3RE ROHM D-NPN VCB0=50B; IC(max)=100MA; PD=150мВт; h21>20; fT>250МГц B E C
KI 2SK1830 TOSH nFET VDS=20B; IC=50MA; PD=200мВт; RDS(on)=20Oм G S D
KK 2SK2825 TOSH nFET VDS=20B; IC=100MA; PD=200мВт; RDS(on)=10Oм G S D
KP 2SK2035 TOSH nFET VDS=20B; IC=100MA; PD=200мВт; RDS(on)=8Oм G S D
KS 2SJ347 TOSH pFET VDS=-20B; IC=-50MA; PD=200мВт; RDS(on)=20Oм G S D
  1SS385 TOSH 2xSHD VR>10B; VF(IF =100мA)<0.5B; IR(VR =10B)<20мкА; CT<20пФ A1 A2 K1K2
SM 2SC4619 ROHM NPN VCB0=30B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=39...82; fT>110МГц B E C
SN 2SC4619 ROHM NPN VCB0=30B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=56...120; fT>110МГц B E C
SP 2SC4619 ROHM NPN VCB0=30B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=82...180; fT>110МГц B E C
SQ 2SC4619 ROHM NPN VCB0=30B; IC=50MA; PD=150мВт; h21=120...270; fT>110МГц B E C
XA RN1101 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=4.7/4.7кOм B E C

 

 

SOT – 416 (продолжение)

 

Код Типоно минал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
XB RN1102 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=10/10кOм B E C
XC RN1103 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=22/22кOм B E C
XD RN1104 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=47/47кOм B E C
XE RN1105 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=2.2/47кOм B E C
XF RN1106 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=4.7/4.7кOм B E C
XH RN1107 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=10/47кOм B E C
XI RN1108 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=22/47кOм B E C
XJ RN1109 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=47/22кOм B E C
XK RN1110 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1=4.7кOм B E C
XM RN1111 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1=10кOм B E C
XN RN1112 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1=22кOм B E C
XP RN1113 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1=47кOм B E C
XQ RN1114 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=1/10кOм B E C
XS RN1115 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=2.2/10кOм B E C
XT RN1116 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=4.7/10кOм B E C
XU RN1117 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=10/4.7кOм B E C
XW RN1118 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=47/10кOм B E C
YA RN2101 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=4.7/4.7кOм B E C
YB RN2102 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=10/10кOм B E C
YC RN2103 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=22/22кOм B E C
YD RN2104 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=47/47кOм B E C
YE RN2105 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=2.2/47кOм B E C
YF RN2106 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=4.7/4.7кOм B E C
YH RN2107 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=10/47кOм B E C
YI RN2108 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=22/47кOм B E C
YJ RN2109 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=47/22кOм B E C
YK RN2110 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1=4.7кOм B E C
YM RN2121 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1=10кOм B E C
YN RN2112 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1=22кOм B E C
YP RN2113 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1=47кOм B E C
YQ RN2114 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=1/10кOм B E C
YS RN2115 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=2.2/10кOм B E C
YT RN2116 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=4.7/10кOм B E C
YU RN2117 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=10/4.7кOм B E C
YW RN2118 TOSH D-NPN VCE0=50B; IC=150MA; PD=100мВт; fT>250МГц; R1/R2=47/10кOм B E C

 

 

SOT89

Код Типоно минал Фир ма Функ ция Особенности Цоколевка
     
  BCX68 SIEM NPN VCB0=20B; IC=1A; PD=1Вт; h21=85...375; fT>100МГц B E C
  BCX69 SIEM PNP VCB0=-20B; IC=-1A; PD=1Вт; h21=85...375; fT>100МГц B E C
1A SXT3904 SIEM NPN VCB0=40B; IC=200MA; PD=1Вт; h21=100...300; fT>300МГц B E C
1D SXTA42 SIEM NPN VCB0=300B; IC=500MA; PD=1Вт; h21>40; fT>50МГц B E C
1E SXTA43 SIEM NPN VCB0=200B; IC=500MA; PD=1Вт; h21>40; fT>50МГц B E C
10Y BZV49-C10 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=9.4...10.6B; IL(VR=5.0B)<20 Ом; IZM=250мА A K A
11Y BZV49-C11 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=10.4...11.6B; IL(VR=5.0B)<20 Ом; IZM=250мА A K A
12Y BZV49-C12 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=11.4...12.7B; IL(VR=5.0B)<25 Ом; IZM=250мА A K A
13Y BZV49-C13 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=12.4...14.1B; IL(VR=5.0B)<30 Ом; IZM=250мА A K A
15Y BZV49-C15 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=13.8...15.6B; IL(VR=5.0B)<30 Ом; IZM=250мА A K A
16Y BZV49-C16 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=15.3...17.1B; IL(VR=5.0B)<40 Ом; IZM=250мА A K A
18Y BZV49-C18 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=16.8...19.1B; IL(VR=5.0B)<45 Ом; IZM=250мА A K A
20Y BZV49-C20 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=18.8...21.2B; IL(VR=5.0B)<55 Ом; IZM=250мА A K A
22Y BZV49-C22 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=20.8...23.3B; IL(VR=5.0B)<55 Ом; IZM=250мА A K A
24Y BZV49-C24 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=22.8...25.6B; IL(VR=5.0B)<70 Ом; IZM=250мА A K A
27Y BZV49-C27 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=25.1...28.9B; IL(VR=5.0B)<80 Ом; IZM=250мА A K A
2A SXT3906 SIEM PNP VCB0=-40B; IC=-200MA; PD=1Вт; h21=100...300; fT>250МГц B E C
2D SXTA92 SIEM PNP VCB0=-300B; IC=-500MA; PD=1Вт; h21>25; fT>50МГц B E C
2E SXTA93 SIEM PNP VCB0=-200B; IC=-500MA; PD=1Вт; h21>25; fT>50МГц B E C
2F SXT2907A SIEM PNP VCB0=-60B; IC=-600MA; PD=1Вт; h21=100...300; fT>200МГц B E C
2P SXT2222A SIEM NPN VCB0=75B; IC=600MA; PD=1Вт; h21=100...300; fT>300МГц B E C
2Y4 BZV49-C2V4 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=2.2...2.6B; IL(VR=5.0B)<100 Ом; IZM=250мА A K A
2Y7 BZV49-C2V7 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=2.5...2.9B; IL(VR=5.0B)<100 Ом; IZM=250мА A K A
30Y BZV49-C30 PHIL DZ VZ(IZT=2.0MA)=28.0...32.0B; IL(VR=2.0B)<80 Ом; IZM=250мА A K A
33Y BZV49-C33 PHIL DZ VZ(IZT=2.0MA)=31.0...35.0B; IL(VR=2.0B)<80 Ом; IZM=250мА A K A
36Y BZV49-C36 PHIL DZ VZ(IZT=2.0MA)=34.0...38.0B; IL(VR=2.0B)<90 Ом; IZM=250мА A K A
39Y BZV49-C39 PHIL DZ VZ(IZT=2.0MA)=37.0...41.0B; IL(VR=2.0B)<130 Ом; IZM=250мА A K A
3Y0 BZV49-C3V0 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=2.8...3.2B; IL(VR=5.0B)<95 Ом; IZM=250мА A K A
3Y3 BZV49-C3V3 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=3.1...3.5B; IL(VR=5.0B)<95 Ом; IZM=250мА A K A
3Y6 BZV49-C3V6 PHIL DZ VZ(IZT=5.0MA)=3.4...3.8B; IL(VR=5.0B)<90 Ом; IZM=250мА A K A

 

⇐ Предыдущая1314151617181920Следующая ⇒


Поделиться с друзьями:

Дата добавления: 2015-06-27; Просмотров: 378; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2025) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.