Студопедия

КАТЕГОРИИ:

Главная
Случайная страница
Познавательное
Новые статьи
Контакты
Заказать работу

Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

SOT-343 22 страница


⇐ Предыдущая78910111213141516Следующая ⇒


SOT323 (продолжение)

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
QI- 2SC4261 HIT NPN VCB0=25B;IC=50MA; PD=100мВт; h21=50...180; fT>1.8ГГц B E C
Q0 KTC4080 KEC NPN VCB0=40B;IC=20MA; PD=100мВт; h21=70...140; fT>550МГц B E C
QR KTC4080 KEC NPN VCB0=40B;IC=20MA; PD=100мВт; h21=40...80; fT>550МГц B E C
QY KTC4080 KEC NPN VCB0=40B;IC=20MA; PD=100мВт; h21=100...200; fT>550МГц B E C
R2s BFR93AW SIEM NPN VCB0=15B;IC=50MA; PD=300мВт; h21=50...200; fT=6000МГц B E C
R9 1SS393 TOSH 2xSHD VR<40B; IF<100мA;VF(IF=100мA)<0.6B; CD=18пФ; A1 A2 K1K2
RBs BF771W SIEM NPN VCB0=20B;IC=80MA; PD=400мВт; h21=50...200; fT=8000МГц B E C
RCs BFR193W SIEM NPN VCB0=20B;IC=80MA; PD=580мВт; h21=50...200; fT=8000МГц B E C
RDs BFR180W SIEM NPN VCB0=10B;IC=4MA; PD=30мВт; h21=30...200; fT=7000МГц B E C
RE 2SA1579E ROHM PNP VCB0=-120B;IC=-50MA; PD=200мВт; h21=390...820; fT>140МГц B E C
Res BFR280W SIEM NPN VCB0=10B;IC=10MA; PD=80мВт; h21=30...200; fT=7500МГц B E C
RFs BFR181W SIEM NPN VCB0=20B;IC=20MA; PD=175мВт; h21=50...200; fT=8000МГц B E C
RGs BFR182W SIEM NPN VCB0=20B;IC=35MA; PD=250мВт; h21=50...200; fT=8000МГц B E C
RHs BFR183W SIEM NPN VCB0=20B;IC=65MA; PD=450мВт; h21=50...200; fT=8000МГц B E C
RR 2SA1579R ROHM PNP VCB0=-120B;IC=-50MA; PD=200мВт; h21=180...390; fT>140МГц B E C
RS 2SA1579S ROHM PNP VCB0=-120B;IC=-50MA; PD=200мВт; h21=270...560; fT>140МГц B E C
RT3 2SC4400 SANYO NPN VCB0=40B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=60...120; fT>750МГц B E C
RT4 2SC4400 SANYO NPN VCB0=40B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=90...180; fT>750МГц B E C
RT5 2SC4400 SANYO NPN VCB0=40B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=135...270; fT>750МГц B E C
S2 KTA2014 KEC PNP VCB0=-50B;IC=-150MA; PD=100мВт; h21=70...140; fT>80МГц B E C
S4 KTA2014 KEC PNP VCB0=-50B;IC=-150MA; PD=100мВт; h21=120...240; fT>80МГц B E C
S6 KTA2014 KEC PNP VCB0=-50B;IC=-150MA; PD=100мВт; h21=200...400; fT>80МГц B E C
S9 1SS395 TOSH SHD VR<10B; IF<100мA;VF(IF=100мA)<0.5B; CD<40пФ; A nc K
SG 2SA1586 TOSH PNP VCB0=-50B;IC=-150MA; PD=100мВт; h21=200...400; fT>80МГц B E C
SGR KTA2014 KEC PNP VCB0=-50B;IC=-150MA; PD=100мВт; h21=200...400; fT>80МГц B E C
SM 2SC4100M ROHM NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=200мВт; h21=39...82; fT>110МГц B E C
SN 2SC4100N ROHM NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=200мВт; h21=56...120; fT>110МГц B E C
SO 2SA1586 TOSH PNP VCB0=-50B;IC=-150MA; PD=100мВт; h21>70...140; fT>80МГц B E C
SO KTA2014 KEC PNP VCB0=-50B;IC=-150MA; PD=100мВт; h21=70...140; fT>80МГц B E C
SP 2SC4100P ROHM NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=200мВт; h21=82...180; fT>110МГц B E C
SQ 2SC4100Q ROHM NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=200мВт; h21=120...270; fT>110МГц B E C
SY 2SA1586 TOSH PNP VCB0=-50B;IC=-150MA; PD=100мВт; h21=120...240; fT>80МГц B E C
SY KTA2014 KEC PNP VCB0=-50B;IC=-150MA; PD=100мВт; h21=70...140; fT>80МГц B E C
TE 2SC4102E ROHM NPN VCB0=120B;IC=50MA; PD=200мВт; h21=390...820; fT>140МГц B E C
TI- 2SC4260 HIT NPN VCB0=25B;IC=50MA; PD=100мВт; h21=50...180; fT>3ГГц B E C
TR 2SC4102R ROHM NPN VCB0=120B;IC=50MA; PD=200мВт; h21=180...390; fT>140МГц B E C
TS 2SC4102S ROHM NPN VCB0=120B;IC=50MA; PD=200мВт; h21=270...560; fT>140МГц B E C
UI- 2SC4259 HIT NPN VCB0=30B;IC=20MA; PD=100мВт; h21=50...180; fT>700МГц B E C
W1s BFT92W SIEM PNP VCB0=-20B;IC=-25MA; PD=200мВт; h21>15; fT>5000МГц B E C
WCs BCR133W SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=250мВт; h21>30; fT=130МГц B E C
WDs BCR141W SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=250мВт; h21>50; fT=130МГц B E C
Wes BCR148W SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=70MA; PD=250мВт; h21>70; fT=100МГц B E C
WFs BCR112W SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=250мВт; h21>20; fT>140МГц B E C
WGs BCR116W SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=250мВт; h21>70; fT=160МГц B E C
WHs BCR108W SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=250мВт; h21>70; fT=170МГц B E C
Wis BCR158W SIEM D-NPN VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21>70; fT=200МГц B E C
WJs BCR135W SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=250мВт; h21>70; fT=150МГц B E C
WKs BCR119W SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21=120...630; fT>150МГц B E C
WLs BCR146W SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=70MA; PD=250мВт; h21>50; fT=150МГц B E C
WMs BCR183W SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21>30; fT>200МГц B E C
WNs BCR185W SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21>70; fT=200МГц B E C
Wos BCR191W SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21>50; fT>200МГц B E C
WPs BCR192W SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21>70; fT>200МГц B E C
WRs BCR198W SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-70MA; PD=250мВт; h21>70; fT=190МГц B E C
WSs BCR169W SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21=120...630; fT>150МГц B E C
WTs BCR166W SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21>70; fT=160МГц B E C
Wus BCR162W SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21>20; fT>200МГц B E C
WXs BCR196W SIEM D-PNP VCB0=-50B;IC=-70MA; PD=250мВт; h21>50; fT=150МГц B E C
WZs BCR142W SIEM D-NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=250мВт; h21>70; fT=150МГц B E C
XF- 2SC4464 HIT NPN VCB0=15B;IC=5MA; PD=50мВт; h21=40...250; fT>2.5ГГц B E C
XM- 2SC4593 HIT NPN VCB0=15B;IC=50MA; PD=100мВт; h21=40...250; fT>6.5ГГц B E C
XT- 2SC4674 HIT NPN VCB0=12B;IC=8MA; PD=50мВт; h21=50...250; fT>4ГГц B E C

 

SOT323 (продолжение)

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
     
YP 2SD1949P ROHM NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=200мВт; h21=82...180; fT>250МГц B E C
YQ 2SD1949Q ROHM NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=200мВт; h21=120...270; fT>250МГц B E C
YR 2SD1949R ROHM NPN VCB0=50B;IC=500MA; PD=200мВт; h21=180...390; fT>250МГц B E C
ZQ 2PC4081Q PHIL NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21=120...270; fT>100МГц B E C
ZR 2PC4081R PHIL NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21=180...390; fT>100МГц B E C
ZR MSD1819A-RT1 MOT NPN VCB0=60B;IC=100MA; PD=150мВт; h21=210...340 B E C
ZS 2PC4081S PHIL NPN VCB0=50B;IC=100MA; PD=200мВт; h21=270...560; fT>100МГц B E C
                 

 

 

 

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
       
ALs BFT405 SIEM NPN VCB0=15B;IC=12MA; PD=55мВт; h21=50...150; fT>20ГГц B E C E
AMs BFT420 SIEM NPN VCB0=15B;IC=35MA; PD=160мВт; h21=50...150; fT>20ГГц B E C E
ANs BFT450 SIEM NPN VCB0=15B;IC=10MA; PD=450мВт; h21=50...150; fT>15ГГц B E C E
DI- 2SC3867 HIT NPN VCB0=20B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=20...200; fT>1400МГц B E C nc
EC 2SC2732 HIT NPN VCB0=30B;IC=20MA; PD=150мВт; h21>30; fT>700МГц E B C nc
EI- 3SK182 HIT nMOS VDS=20B; ID=50MA; PD=150мВт; PG>10дБ; NF<6.0дБ S D G2 G1
FI- 3SK186 HIT nMOS VDS=12B; ID=35MA; PD=150мВт; PG>16дБ; NF<4.5дБ S D G2 G1
GC 2SC2734 HIT NPN VCB0=20B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=20...200; fT>1.4ГГц E B C nc
HC 2SC2733 HIT NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21>60; fT>600МГц E B C nc
HI- 3SK188 HIT nMOS VDS=22B; ID=35MA; PD=150мВт; PG>18дБ; NF<3.2дБ S D G2 G1
ID- 2SC3127 HIT NPN VCB0=20B;IC=50MA; PD=150мВт; PG=10.5 дБ; fT>3500МГц E B C nc
IG- 2SK360 HIT nMOS VDS=20B; ID=30MA; PCH=150мВт; PG=30дБ; NF=2.0дБ E B C nc
IJ- 2SC3374 HIT NPN VCB0=20B;IC=20MA; PD=150мВт; h21=20...200; fT>400МГц E B C nc
IL- 2SC3493 HIT NPN VCB0=15B;IC=20MA; PD=150мВт; h21=30...200; fT>700МГц E B C nc
IP- 2SC3793 HIT NPN VCB0=20B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=50...200; fT>1400МГц E B C nc
IS- 2SC3513 HIT NPN VCB0=15B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=50...250; fT>4500МГц E B C nc
IT- 3SK162 HIT nMOS VDS=12B; ID=35MA; PD=150мВт; PG>18дБ; NF<3.0дБ S D G2 G1
IV- 2SK668 HIT nFET GaAs; VDS=6.0B; ID=100MA; PCH=150мВт; PG=10дБ; NF=2.5дБ S D S G
IV- 3SK136 HIT nMOS VDS=20B; ID=35MA; PD=150мВт; PG>17дБ; NF<3.3дБ S D G2 G1
IW- 3SK137 HIT nMOS VDS=15B; ID=35MA; PD=150мВт; PG>10дБ; NF<5.0дБ S D G2 G1
IW- 3SK137V HIT nMOS VDS=15B; ID=35MA; PD=150мВт; PG>20дБ; NF<3.0дБ S D G2 G1
IX- 3SK138 HIT nMOS VDS=15B; ID=35MA; PD=150мВт; PG>10дБ; NF<5.0дБ S D G2 G1
IY- 3SK194 HIT nMOS VDS=15B; ID=35MA; PD=150мВт; PG>27дБ; NF<2.5дБ S D G2 G1
IZ- 3SK154 HIT nMOS VDS=15B; ID=35MA; PD=150мВт; PG>22дБ; NF<3.0дБ S D G2 G1
JC 2SC2735 HIT NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21>40; fT>600МГц E B C nc
MI- 2SC4126 HIT NPN VCB0=15B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=50...250; fT>4500МГц E B C nc
MOs BF998W SIEM nMOS VDS=12B; ID=30MA; PD=200мВт; NF=1.0Дб; I DSS=2...18MA; gF=24мСм D S G1 G2
MYs BF1012W SIEM nMOS VDS=16B; ID=40MA; PD=200мВт; NF=1.4Дб; gF=26мСм D S G1 G2
NI- 3SK191 HIT nFET GaAs; VDS=12.0B; ID=80MA; PCH=150мВт; PG>12дБ; NF<3.0дБ S D G2 G1
NI- 3SK191 HIT nFET GaAs; VDS=12.0B; ID=80MA; PCH=150мВт; PG>12дБ; NF<3.0дБ S D G2 G1
PAs BFP136W SIEM NPN VCB0=20B;IC=150MA; PD=1000мВт; h21=80...250; fT>5900МГц E C E B

 

SOT-343 (продолжение)

 

Код Типономинал Фирма Функ ция Особенности Цоколевка
       
QI- 2SC196 HIT NPN VCB0=25B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=50...180; fT>1800МГц E B C nc
RCs BFP193W SIEM NPN VCB0=20B;IC=80MA; PD=580мВт; h21=50...200; fT=8000МГц E C E B
RDs BFP180W SIEM NPN VCB0=10B;IC=4MA; PD=30мВт; h21=30...200; fT>6200МГц E C E B
REs BFP280W SIEM NPN VCB0=10B;IC=10MA; PD=80мВт; h21=30...200; fT>7000МГц E C E B
RFs BFP181W SIEM NPN VCB0=20B;IC=20MA; PD=175мВт; h21=50...200; fT=8000МГц E C E B
RGs BFP182W SIEM NPN VCB0=20B;IC=35MA; PD=250мВт; h21=50...200; fT>8300МГц E C E B
RHs BFP183W SIEM NPN VCB0=20B;IC=65MA; PD=450мВт; h21=50...200; fT=8000МГц E C E B
RIs BFP196W SIEM NPN VCB0=20B;IC=100MA; PD=700мВт; h21=50...200; fT>7200МГц E C E B
TC 2SC2736 HIT NPN VCB0=30B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=30...200; fT>1400МГц E B C nc
TI- 2SC4197 HIT NPN VCB0=25B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=50...180; fT>3000МГц E B C nc
VI- 2SC4229 HIT NPN VCB0=30B;IC=20MA; PD=150мВт; h21=50...180; fT>700МГц E B C nc
WI- 3SK197 HIT nMOS VDS=12B; ID=35MA; PD=150мВт; PG=24.6дБ; NF<5.5дБ S D G2 G1
XB- 2SC4416 HIT NPN VCB0=25B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=50...180; fT>3000МГц B E C nc
XC- 2SC4415 HIT NPN VCB0=30B;IC=20MA; PD=150мВт; h21=50...180; fT>700МГц C B E B
XE- 2SK1092 HIT nFET GaAs; VDS=4B; ID=150MA; PD=150мВт; PG>8дБ; NF<3.5дБ S D nc G
XI- 3SK196 HIT nMOS VDS=12B; ID=35MA; PD=150мВт; PG=32дБ; NF=1.0дБ S D G2 G1
XM- 2SC4591 HIT NPN VCB0=15B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=40...250; fT>6500МГц E B C nc
XN- 2SC4592 HIT NPN VCB0=15B;IC=50MA; PD=150мВт; h21=40...250; fT>7000МГц C E B E
XR- 3SK228 HIT nFET GaAs; VDS=12.0B; ID=50MA; PD=150мВт; PG>17дБ; NF<2.0дБ S D G2 G1
XS- 3SK229 HIT nFET GaAs; VDS=12.0B; ID=50MA; PD=150мВт; PG>17дБ; NF<2.0дБ S D G2 G1
XV- 2SC4680 HIT NPN VCB0=12B;IC=50MA; PD=150мВт; h21>100 E B C nc
                   

SOT-353

⇐ Предыдущая78910111213141516Следующая ⇒


Поделиться с друзьями:

Дата добавления: 2015-06-27; Просмотров: 350; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.02 сек.