Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

МОП - транзисторы




В отличие от полевых транзисторов с р-n переходом, в которых затвор имеет непосредственный электрический контакт с ближайшей областью токопроводящего канала, в МДП - транзисторах затвор изолирован от указанной области слоем диэлектрика. По этой причине МДП - транзисторы относят к классу полевых транзисторов с изолированным затвором.

Принцип действия МДП - транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Приповерхностный слой полупроводника является токопроводящим каналом этих транзисторов. МДП - транзисторы выполняют двух типов - со встроенным и индуцированным каналом.

Принципиальное различие между полевыми транзисторами с p-n -переходом и МОП – транзистором состоит в том, что на затворе последнего может быть создан положительный потенциал по отношению к истоку. Это свойство может быть использовано для увеличения тока стока МОП - транзистора.

Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора со встроенным каналом n-типа по виду близки к характеристикам полевого транзистора с р-n переходом.

Режим работы транзистора (Uзи), при котором происходит уменьшение концентрации заряда в канале, называют режимом обеднения.

Режим работы транзистора (Uси), при котором происходит увеличение концентрации заряда в канале, называют режимом обогащения.

В качестве затвора применяют тонкий слой алюминия AL толщиной 0,5 – 1,0 мкм, электрически изолированный от полупроводникового канала тонким слоем (толщиной 40 – 100 нм) окисла кремния SiO2. Подложка выполнена из монокристаллического кремния Si p-типа (легированного атомами бора или фосфора).

Наиболее важное свойство SiO2 состоит в том, что напряжение , приложенное к затвору, не вызывает тока между металлом и полупроводником, а лишь приводит к появлению электрического поля и поверхностных зарядов на границах алюминия и кремния (эффект «МОП - конденсатора»).

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-03; Просмотров: 469; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.