Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

МОП-транзисторы с индуцированным каналом




Рисунок 5.6. МОП-транзисторы с индуцированным каналом

а) МОП - транзистор n-типа;

б) МОП - транзистор р-типа;

в) МОП - транзистор р-типа с выводом от подложки;

г) структурная схема МОП - транзистора;

д) принципиальная схема МОП – транзистора.

В МДП - транзисторе с индуцированным каналом n-типа канал проводимости тока специально не создается, он образуется благодаря притоку электронов из полупроводниковой пластины в случае приложения к затвору напряжения положительной полярности относительно истока, что обеспечивает работу МОП - транзистора в режиме обогащения.

Проводимость канала возрастает с повышением приложенного к затвору напряжения. Таким образом, транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения.

Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с индуцированным каналом n-типа близки по виду аналогичным характеристикам транзистора со встроенным каналом и имеют тот же характер зависимости Ic = F(Ucи). Отличие в том, что управление током транзистора осуществляется напряжением одной полярности, совпадающей с полярностью напряжения Ucи.

Рисунок 5.5. ВАХ МОП-транзистора с индуцированным каналом

 

При обращении с МОП-транзисторами необходимо соблюдать предосторожность в связи с тем, что его изолирующий слой из окисла кремния SiO2 достаточно чувствителен и может быть поврежден статическим зарядом от пальцев рук.





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-03; Просмотров: 381; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.