Студопедия

КАТЕГОРИИ:



Мы поможем в написании ваших работ!

Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Мы поможем в написании ваших работ!

Биполярные транзисторы





Биполярный транзистор – это трехэлектронный полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами и обладающий усилительными свойствами. Транзисторы имеют три области и три электрода: э - эмиттер (на схемах обозначается стрелкой), к – коллектор и б – база. И соответственно различают эмиттерный и коллекторный p-n переходы. Различают две структуры транзисторов:

1-биполярные транзисторы с прямой проводимостью или p-n-p типа (рис. 2.16а);

2-биполярные транзисторы с обратной проводимостью или n-p-n типа (рис.2.16б).

 

 

а) б)

 

Рис. 2.16. Структура и обозначение биполярных транзисторов:

а- с прямой проводимостью; б- с обратной проводимостью.

 

Размеры обозначения транзисторов в схемах по ЕСКД приведены на рис. 2.17.

 

 

Рис. 2.17.

 

При включении транзистора в электрическую схему в зависимости от того, какой из его электродов является общим для цепи входного сигнала и выходного сигнала различают:

Схему включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) (рис.2.18а). Эта схема включения обладает большим коэффициентом усиления по напряжению и току, так же средними значениями входного и выходного сопротивлений.

Схему включения транзистора с общей базой (ОБ) (рис.2.18б). Эта схема включения обладает большим коэффициентом усиления по напряжению, но коэффициент передачи по току меньше единицы. Входное сопротивление мало, а выходное велико.

Схему включения с общим коллектором (ОК) (рис.2.18.в). Эта схема включения обладает большим коэффициентом усиления по току, но коэффициент передачи по напряжению меньше единицы. Входное сопротивление велико, а выходное мало.

 

а) б) в)

 

Uвх=Uбэ; Uвых=Uкэ Uвх=Uбэ; Uвых=Uкб Uвх=Uбк; Uвых=Uкэ

Iвх=Iб; Iвых=Iк Iвх=Iэ; Iвых=Iб Iвх=Iб; Iвых=Iэ.

Рис.2.18. Схемы включения биполярного транзистора: а-с общим эмиттером; б-с общей базой; в-с общим коллектором.

 

В зависимости от направления смещения p-n перехода в транзисторах различают три его режима работы:



1) Режим отсечки - режим, при котором оба p-n перехода смещены в обратном направлении. Транзистор закрыт и через него протекают лишь небольшие тепловые токи обратно смещенных p-n переходов.

2) Режим насыщения - режим, при котором оба p-n перехода смещены в прямом направлении. Транзистор открыт и через него протекает максимальный ток, определяемый только внешними цепями (U и R).

3) Активный режим - режим, при котором эмиттерный p-n переход смещен в прямом, а коллекторный - в обратном направлениях. При этом транзистор обладает усилительными свойствами.

Для обеспечения активного режима работы транзистора между базой и эмиттером необходимо создать отпирающую разность потенциалов Eсм – отпирающее смещение. Для p-n-p типа транзистора это напряжение смещения должно быть отрицательным (рис.2.19а), а для n-p-n типа – положительным (рис.2.19б).

 

 

а) б)

Рис.2.19.

 

Для обеспечения обратного смещения коллекторного p-n перехода на коллектор транзистора должен быть подан потенциал той же полярности, что и на базу транзистора, но большей величины, то есть должно выполняться условие: ׀Eсм׀<׀Eпит׀.

Рассмотрим принцип работы транзистора в схеме включения с ОЭ (рис.2.20).

 

 

Рис.2.20. Принцип работы транзистора в схеме включения с ОЭ.

 

Так как на базе транзистора положительный потенциал по отношению к эмиттеру, то электроны от минуса источника питания, через эмиттер и открытый эмиттерный p-n переход инжектируются в базу, где они диффундируют к коллекторному p-n переходу, являясь не основными носителями в базе. Частично электроны рекомбинируют с основными носителями в области базы – с дырками, создавая ток базы Iб. Так как в транзисторах базу делают тонкой и слабо легированной, то число рекомбинированных зарядов не велико, ток базы мал и основная часть зарядов достигают коллекторного p-n перехода, где попадают под ускоряющее поле потенциала коллектора. Для электронов, как не основных носителей в базе, коллекторный p-n переход открыт и через него они устремляются к коллектору, а затем через R нагрузки к плюсу источника питания, создавая ток коллектора. Очевидно, что Iэ=Iб+Iк.

Так как сопротивление обратно смещенного коллекторного p-n перехода очень велико (сотни кОм) для основных носителей, то включение Rн величиной единицы кОм в коллекторную цепь мало повлияет на общее сопротивление цепи. Тогда очевидно, что, управляя на входе малой мощностью Pвх=Uбэ*Iбэ можно получить пропорциональный цикл в выходной цепи значительно большей мощности: Pвых=Iк*Rн=Iк*Uкэ, Iкэ>>Iб, Uкэ>>Uбэ.

Основные параметры транзистора.

Основные параметры транзистора делятся на предельно-допустимые, усилительные и высокочастотные.





Дата добавления: 2014-01-03; Просмотров: 523; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Рекомендуемые страницы:

Читайте также:
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2021) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление
Генерация страницы за: 0.003 сек.