Полевые транзисторы с изолированным затвором

Транзисторы этого типа называют так же МДП-транзисторами (металл- диэлектрик- полупроводник). Эти транзисторы бывают со встроенным или с индуцированным каналом.

Основу МДП-транзистора со встроенным каналом составляет пластина с полупроводником n-или p-типа, расположенной на подножке из другого типа (p- или n- типа) проводимости (рис.2.33).

Рис.2.33. МДП-транзистор и его условно – графическое обозначение.

Поверхность пластины покрыта слоем диэлектрика толщиной1мкм. На этот слой наносится металл для подсоединения контакта – затвора. Пластина по краям соединяется с контактами – источником и стоком.

Принцип работы МДП-транзистора заключается в изменении толщины проводящего слоя канала между истоком и стоком под действием электрического поля, создаваемого потенциалом затвора. Если на затвор подать положительный потенциал, то в канале p-типа вблизи затвора произойдет обеднение и в результате возрастет сопротивление канала. И наоборот, если на затвор подать отрицательный потенциал, то произойдет обогащение и сопротивление канала уменьшится. Изменяя потенциал на затворе, можно менять ток стока, то есть в выходной цепи транзистора.

В отличие от полевых транзисторов с p-n переходом для транзисторов с изолированным затвором нет ограничений на полярность управляющего напряжения на затворе. (В транзисторах с p-n переходом недопустима полярность, при которой p-n переход открывается).

Полевые транзисторы нашли широкое применение в электронике, там они имеют очень большое входное сопротивление (Rвх10Ом ….10Ом). Параметры этих транзисторов меньше зависят от температуры и могут работать на очень низких температурах. Обладают высокой временной стабильностью параметров и высокой радиационной стойкостью. Эти транзисторы более компактно располагаются в кристалле и позволяют получить высокую степень интеграции (число элементов в одном кристалле).

Недостатком МДП-транзисторов является их высокая чувствительность к статическому электричеству, которое может привести к пробою тонкого слоя изоляции между каналом и затвором.

Дата добавления: 2014-01-03