КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Физические процессы в p-n-переходе
Основным элементом большинства полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход (р-n-переход), представляющий собой переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электронную электропроводность, другая – дырочную. Разность потенциалов φк в переходе, обусловленную градиентом концентрации носителей заряда, называют контактной разностью потенциалов
где k – постоянная Больцмана; е – заряд электрона; Т – температура; Na и Nд – концентрации акцепторов и доноров в дырочной и электронной областях соответственно; рр и рn – концентрации дырок в р- и n-областях соответственно; ni – концентрация собственных носителей. Обычно контактная разность потенциалов имеет порядок десятых долей вольта. Полупроводниковый прибор с р-n-переходом, имеющий два омических вывода, называют полупроводниковым диодом (далее диод). Одна из областей р-n-структуры (р+), называемая эмиттером, имеет концентрацию основных носителей заряда на несколько порядков больше, чем другая область, называемая базой. Статическая вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода изображена на рисунке 1. Здесь же пунктиром показана теоретическая ВАХ электронно-дырочного перехода, определяемая соотношением
I = I 0 (е U /(m φт) – 1) где I 0 – обратный ток насыщения (ток экстракции, обусловленный неосновными носителями заряда); U – напряжение на р-n-переходе; φт = kT/ e – температурный потенциал; m – поправочный коэффициент: m = 1 для германиевых p-n-переходов и m = 2 для кремниевых p-n-переходов при малом токе. Кремниевые диоды имеют существенно меньшее значение обратного тока по сравнению с германиевыми вследствие более низкой концентрации неосновных носителей заряда. Обратная ветвь ВАХ у кремниевых диодов при данном масштабе практически сливается с осью абсцисс. Прямая ветвь ВАХ у кремниевых диодов расположена значительно правее, чем у германиевых. Влияние температуры. На вольт-амперную характеристику диода существенное влияние оказывает температура окружающей среды. При увеличении температуры обратный ток насыщения увеличивается примерно в 2 раза у германиевых и в 2,5 раза у кремниевых диодов на каждые 10 °С. Для германиевых диодов I 0(T) = I 01 2(T – T1)/10
где ток I 01, измерен при температуре Т1.
Максимально допустимое увеличение обратного тока диода определяет максимально допустимую температуру диода, которая составляет 80 ÷ 100°С для германиевых диодов и 150 ÷ 200 °С для кремниевых. Минимально допустимая температура диодов лежит в пределах – (60 ÷ 70)°С. Если через кремниевый диод протекает прямой постоянный ток, то при увеличении температуры падение напряжения на диоде уменьшается с темпом
d U /d T = – 2,5 мВ/°С
На рисунке 1 влияние повышения температуры на прямой ветви кремниевого диода показано штрихпунктирной линией. Дифференциальным сопротивлением диода называют отношение приращения напряжения на диоде к вызванному им приращению тока:
rдиф = d U /d I
Из выражения (4) следует, что
rдиф = φт/ I
Пробой диода. При обратном напряжении диода свыше определенного критического значения наблюдается резкий рост обратного тока рисунок 2. Это явление называют пробоем диода. Пробой диода возникает в результате воздействия сильного электрического поля в p-n-переходе (рисунок 2, кривая а) (электрический пробой может быть туннельным или лавинным), либо в результате разогрева перехода при протекании тока большого значения и при недостаточном теплоотводе, не обеспечивающем устойчивость теплового режима перехода (рисунок 2, кривая б) (тепловой пробой). Электрический пробой при определенных условиях обратим, т. е. он не приводит к повреждению диода, и при снижении обратного напряжения свойства диода сохраняются. Тепловой пробой является необратимым. Нормальная работа диода в качестве элемента с односторонней проводимостью возможна лишь в режимах, когда обратное напряжение не превышает пробивного значения. Возможность теплового пробоя диода учитывается указанием в паспорте на прибор допустимого обратного напряжения и температурного диапазона работы. Напряжение пробоя зависит от типа диода и температуры окружающей среды. Значение допустимого обратного напряжения устанавливается с учетом исключения возможности электрического пробоя и составляет (0,5 ÷ 0,8)· U проб. Емкости диода. Принято говорить об общей емкости диода С Д, измеренной между выводами диода при заданных напряжении смещения и частоте. Общая емкость диода равна сумме барьерной емкости С 6, диффузионной емкости С диф и емкости корпуса прибора С К. Барьерная (зарядная) емкость обусловлена нескомпенсированным объемным зарядом, сосредоточенным по обе стороны от границы р-n-перехода. Барьерная емкость равна отношению приращения заряда на р-n-переходе к вызвавшему его приращению напряжения:
где ε – диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала; S – площадь р-n-перехода. Из формулы (6) следует, что барьерная емкость зависит от площади перехода S, напряжения U, приложенного к переходу, а также от концентрации примесей. Модельным аналогом барьерной емкости может служить емкость плоского конденсатора, обкладками которого являются р- и n-области, а диэлектриком служит р-n-переход, практически не имеющий подвижных зарядов. Значение барьерной емкости колеблется от десятков до сотен пикофарад; изменение этой емкости при изменении напряжения может достигать десятикратной величины. Диффузионная емкость. Изменение величины объемного заряда неравновесных электронов и дырок, вызванное изменением прямого напряжения, можно рассматривать как следствие наличия так называемой диффузионной емкости, которая включена параллельно барьерной емкости. Диффузионная емкость
С диф ≈ I ПРτ е /kT
где τ – время жизни носителей заряда; I ПР – прямой ток. Значения диффузионной емкости могут иметь порядок от сотен до тысяч пикофарад. Поэтому при прямом напряжении емкость p-n-перехода определяется преимущественно диффузионной емкостью, а при обратном напряжении – барьерной емкостью. Схема замещения полупроводникового диода изображена на рисунке. 3. Здесь С Д – общая емкость диода, зависящая от режима работы; R П – сопротивление перехода, значение которого определяют с помощью статической ВАХ диода (R П = U/I); rб – распределенное электрическое сопротивление базы диода, его электродов и выводов. Иногда схему замещения на высоких частотах дополняют емкостями С ВХ, С ВЫХ и индуктивностью выводов.
Дата добавления: 2017-01-14; Просмотров: 2528; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |