Влияние температуры на ток р-n-переход

Напряжения на p-n-переходе

Сопротивления диода

Прямое напряжение на р-n-переходах

Контактная разность потенциалов

Примеры решения задач

Имеется сплавной германиевый p-n-переход с концентрацией

N_Д = 10³∙N_a, причем на каждые 108 атомов германия приходится один атом акцепторной примеси. Определить контактную разность потенциалов при температуре Т = 300 К (концентрации атомов N и ионизованных атомов n_i принять равными n_i = 4,4∙10²² и 2,5∙10¹³ см^–3 соответственно).

Решение.

Определим концентрацию акцепторных атомов

N_a = N/10⁸ = 4,4∙10²²/10⁸ = 4,4∙10¹⁴ см^–3.

(N = 4,4 10²² см^–3 – концентрация атомов германия). Концентрация атомов доноров N_Д = 4,4 10¹⁷ см^–3.

Контактная разность потенциалов

φ_к = kT/ е ln(N_aN_Д)/n_i² = 0,0258 ln [(4,4∙10¹⁷∙4,4∙10¹⁴)/(2,5∙10¹³)²] = 0,33 B.

Германиевый сплавной p-n-переход имеет обратный ток насыщения I ₀ = 1 мкА, а кремниевый с такими же размерами ток I ₀ = 10^–8 А.

Вычислить и сравнить прямые напряжения на переходах при Т = 293 К, если через каждый диод протекает прямой ток 100 мА.

Решение.

Ток диода определим по формуле

	(1)

I = I ₀ (е^eU/(kT) – 1) = I ₀ (е^U/φт – 1)

где I ₀ – обратный ток насыщения.

Для германиевого р-n-перехода

– 23

– 19

100∙10^–3 = 10^–6 (e^{1,602 10 U/(1,38 10 293)} –1), откуда U = 288 мВ.

Аналогично, для кремниевого p-n-перехода при I ₀ = 10^–8 А U = 407 мВ.

Германиевый диод, имеющий обратный ток насыщения I ₀ = 25 мкА, работает при прямом напряжении, равном 0,1 В и Т = 300 К. Определить сопротивление диода постоянному току R ₀ и дифференциальное сопротивление г_диф.

Решение.

Найдем ток диода при прямом напряжении U = 0,l В по формуле (1)

I = 1,17 мА.

Тогда сопротивление диода постоянному току

R ₀ = U/I = 0,1/(1,17 10–3) = 85 Ом.

Вычислим дифференциальное сопротивление, используя формулу

1/г_диф = d I /d U = I ₀(e/kT)е^eU/kT = 25∙10^–6 38,6 48 = 46∙10^–3 См.

Откуда г_диф = 1/(46∙10^–3) = 21,6 Ом.

Приближенно с учетом того, что I >> I ₀,

	(2)

1/г_диф = dI/dU = (e /kT)(I + I₀) ≈ I (e /kT)

Откуда г_диф ≈ kT/ eI = φ_т/ I = (1,38∙10^–23 ∙300)/1,602∙10^–19 ∙1,17∙10^–3) = 22 Ом.

В идеальном р-n-переходе обратный ток насыщения I ₀ = 10^–14 А при Т= 300 К и I ₀ = 10^–9 А при Т = 125 °С.

Определить напряжения на p-n-переходе в обоих случаях, если прямой ток равен 1 мА.

Решение.

Из уравнения (1) имеем I/I ₀ = е^eU/(kT).

Логарифмируя и решая это уравнение относительно U получаем

	(3)

U = φ_т ln(I/I ₀ + 1).

При Т = 300 К U = 0,026 ln(10^–3/10^–14 + 1) = 0,026∙25,3 = 0,66 В.

При T = 125°С U = 0,036 ln(10^–3/10^–9 + 1) = 0,5 B.

Такая температурная зависимость характерна для кремниевых диодов.

Определить, во сколько раз увеличивается обратный ток насыщения р-n-перехода, если температура увеличивается: а) от 20 до 80°С длягерманиевого диода; б) от 20 до 150°С для кремниевого диода.

Решение.

Зависимость обратного тока насыщения от температуры:

	(4)

I ₀ = k∙T^m e^Ugo/(φT)

где k - постоянная; Е _go = e∙ U _go – ширина запрещенной зоны при T = 0 К; (φ_т = kT/e – температурный потенциал).

Известно, что для германия m = 1, η = 2, U _go = 0,785 В; для кремния

m = 2, η = l,5, U _go = 1,21 В.

Следовательно, для германия обратный ток насыщения

I ₀ = kT² e^{–0,785/(φт)} . При Т = 80⁰С, или Т = 353 К, имеем

φ_т = 353/11600 = 0,0304 В.

Таким образом

I _{0(Т = 80}^о_С) = k∙(353)² e ^{–0,785/0,0304}. При T = 20°С, или T = 293 К,

φ_т = 293/11600 = 0,0253 В.

Тогда I _{0(Т =20}^о_С) = k(293)² e ^{–0,785/0,0253}.

Следовательно,

(I _{0(Т =20}^о_С) )/(I _{0(Т =20}^о_С) ) = (k(353)² e ^{–0,785/0,0304})/(k(293)² e ^{–0,785/0,0253}) = 263.

Для кремниевого диода I ₀ = kT^1,5 e^{–1,21/(2φT)}.

При Т = 150°С, или Т = 423 К, температурный потенциал
φ_т = 423/11600 = 0,0364 В;

Тогда I _{0(Т = 150}^о_С) = k(423)^1,5 e ^{–1,21/2 0,0364}.

Tак как при температуре Т = 20 °С, или Т = 293 К, φ_т = 0,025 В, то

I _{0(Т =20}^о_С) = k(293)^1,5 e ^{–1,21/(2 0,0253)}.

Отношение токов (I _{0(Т = 150}^о_С) )/(I _{0(Т =20}^о_С) ) = 2568.

Дата добавления: 2017-01-14