Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Указания к ответу на теоретический вопрос




Методические указания к выполнению контрольной работы

Тема 10.2 Импульсные преобразователи постоянного напряжения

Тема 10.1 Стабилизаторы

Назначение и классификация стабилизаторов. Коэффициент стабилизации.

Устройство и принцип действия параметрических и компенсационных стабилизаторов напряжения и тока.

Особенности импульсного метода регулирования постоянного напряжения.

Классификация импульсных преобразователей. Импульсные преобразователи напряжения с параллельной емкостной коммутацией, с резонансной коммутацией: принцип построения, работа.

Вопросы для самоконтроля

1. Чем отличаются стабилизаторы параметрического и компенсационного типов?

2. По каким схемам могут быть построены стабилизаторы на стабилитронах? 3. Какие стабилизаторы применяют для стабилизации переменного напряжения?

 

Указания к выполнению контрольной и лабораторных работ.

 

Контрольная работа выполняется в отдельной тетради в клеточку. Условия задач переписываются. Оставляют поля шириной 25-30мм для замечаний рецензента, а в конце тетради - 2-3 страницы для рецензии. Формулы и расчеты пишутся чернилами, а чертежи и схемы делаются карандашом; на векторных диаграммах указывается масштаб. Решение задач обязательно ведется в Международной системе единиц (СИ). Задачи, выполненные не по своему варианту, не засчитываются и возвращаются учащемуся.

Лабораторные и практические работы выполняются в период экзаменационно-лабораторной сессии. К этим работам учащееся допускаются после сдачи контрольной работы. По каждой работе составляется отчет по установленной форме.

Сдача экзаменов разрешается учащимся, которые получили положительные оценки по контрольной работе и имеет зачет по лабораторным работам.

 

 

Контрольная работа содержит два вопроса по теории и за­дачу на расчет выпрямителей. Прежде чем приступить к решению задач контрольной работы, сле­дует изучить методические указания, к решению задач данной темы. В методических указаниях даются разъяснения, как следует отвечать на данный вопрос, разбираются типовые примеры с пояснением хода решения, что позволяет учащимся составить правильный план при индивидуальном выполнении контрольной работы.

 

 

Для правильного и качественного ответа следует изучить соответст­вующий материал из рекомендованной литературы. Ответ на вопрос должен быть конкретным с пояснением физической сущности работы того или иного устройства. При описании прибора или устройства сле­дует обязательно пояснить свой ответ электрическими схемами, графи­ками и чертежами.

Во многих вопросах требуется сравнить различные электронные приборы с точки зрения особенностей их работы, отметить их преиму­щества и недостатки, рассказать о применении. Так, при сравнении электронных ламп и полупроводников следует отметить такие преиму­щества полупроводниковых приборов, как малые габаритные размеры, массу, механическую прочность, мгновенность действия (т. е. отсутст­вие накаливаемого катода), малую потребляемую мощность, большой срок службы и т. д. Наряду с этим надо указать их недостатки: зависи­мость параметров полупроводников от температуры окружающей среды и нестабильность характеристик (разброс параметров.

При изучении основ электроники определенную трудность представ­ляет тема «Интегральные схемы микроэлектроники» ввиду недостаточ­ного количества литературы по этому вопросу. Учащимся следует знать, что в связи с все более частым применением электронных устройств для решения разнообразных сложных технических проблем при их проек­тировании возникают новые требования к электронной аппаратуре, основными из которых являются: надежность элементов я электриче­ских соединений, миниатюризация элементов, снижение потребляемой мощности. Создание новых сложных электронных изделий стало возможным па основе внедрения в электронную технику принципов эле­ментарной интеграции — объединения в одном сложном миниатюрном элементе многих простейших элементов (диодов, транзисторов, резисто­ров и т. п.у. Полученный в результате такого объединения сложный эле­мент называют интегральной микросхемой. Таким образом, интеграль­ные микросхемы — это микроэлектронике изделия, состоящие из ак­тивных элементов (транзисторов, диодов), пассивных элементов (рези­сторов, конденсаторов, дросселей) и соединительных проводов, которые изготовлены в едином технологическом процессе, электрически соеди­нены между собой, заключены в общий корпус и представляют собой неразделимое целое.

По технологии изготовления интегральные микросхемы подразде­ляют на: 1) гибридные, выполняемые в виде пленок, наносимых на по­верхность диэлектрического материала, и навесных бескорпусных элементов — транзисторов, конденсаторов и т. п., прикрепляемых к основанию; 2) полупроводниковые, в которых все элементы формиру­ются в полупроводниковом материале.

Полупроводниковые и гибридные микросхемы подразделяют на схемы с малой (до 30 элементов), средней (до 150 элементов), большой (более 150 элементов/ и сверхбольшой (1000 элементов и более) степе­нями интеграции.

В отличие от гибридных интегральных схем, состоящих из двух различных типов элементов (тонкопленочных резисторов, конденсато­ров- соединительных проводников и навесных транзисторов, дросселей, конденсаторов большой емкости), полупроводниковые интегральные микросхемы состоят из единого кристалла полупроводника, отдельные области которого выполняют функции транзистора, диода, резистора или конденсатора. Собранную интегральную микросхему помещают в металлический или пластмассовый корпус, имеющий внешние выводы для включения в общую электронную схему установки.

Как было отмечено, основными преимуществами интегральных микросхем являются их высокая надежность, малые размеры и масса. Большие интегральные схемы, содержащие до нескольких тысяч эле­ментов, имеют массу, не превышающую нескольких грамм. Плотность активных элементов в микросхеме достигает 1000—10 000 на 1 см3. Среднее время безотказной работы устройства, содержащего 108 эле­ментов, может достигать до 10 000 ч, что значительно превышает время работы устройств, собранных из отдельных транзисторов, диодов, ре­зисторов. Интегральные микросхемы обладают также высокими быстро­действием и экономичностью, что позволяет значительно снизить расход электроэнергии и уменьшить габариты и массу источников питания элек­тронных устройств. В настоящее время интегральные микросхемы имеют наиболее широкое применение в цифровых и релейных электронных устройствах, в частности в ЭВМ.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2017-02-01; Просмотров: 63; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.018 сек.