КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Указания к ответу на теоретический вопрос
Методические указания к выполнению контрольной работы Тема 10.2 Импульсные преобразователи постоянного напряжения Тема 10.1 Стабилизаторы Назначение и классификация стабилизаторов. Коэффициент стабилизации. Устройство и принцип действия параметрических и компенсационных стабилизаторов напряжения и тока. Особенности импульсного метода регулирования постоянного напряжения. Классификация импульсных преобразователей. Импульсные преобразователи напряжения с параллельной емкостной коммутацией, с резонансной коммутацией: принцип построения, работа. Вопросы для самоконтроля 1. Чем отличаются стабилизаторы параметрического и компенсационного типов? 2. По каким схемам могут быть построены стабилизаторы на стабилитронах? 3. Какие стабилизаторы применяют для стабилизации переменного напряжения?
Указания к выполнению контрольной и лабораторных работ.
Контрольная работа выполняется в отдельной тетради в клеточку. Условия задач переписываются. Оставляют поля шириной 25-30мм для замечаний рецензента, а в конце тетради - 2-3 страницы для рецензии. Формулы и расчеты пишутся чернилами, а чертежи и схемы делаются карандашом; на векторных диаграммах указывается масштаб. Решение задач обязательно ведется в Международной системе единиц (СИ). Задачи, выполненные не по своему варианту, не засчитываются и возвращаются учащемуся. Лабораторные и практические работы выполняются в период экзаменационно-лабораторной сессии. К этим работам учащееся допускаются после сдачи контрольной работы. По каждой работе составляется отчет по установленной форме. Сдача экзаменов разрешается учащимся, которые получили положительные оценки по контрольной работе и имеет зачет по лабораторным работам.
Контрольная работа содержит два вопроса по теории и задачу на расчет выпрямителей. Прежде чем приступить к решению задач контрольной работы, следует изучить методические указания, к решению задач данной темы. В методических указаниях даются разъяснения, как следует отвечать на данный вопрос, разбираются типовые примеры с пояснением хода решения, что позволяет учащимся составить правильный план при индивидуальном выполнении контрольной работы.
Для правильного и качественного ответа следует изучить соответствующий материал из рекомендованной литературы. Ответ на вопрос должен быть конкретным с пояснением физической сущности работы того или иного устройства. При описании прибора или устройства следует обязательно пояснить свой ответ электрическими схемами, графиками и чертежами. Во многих вопросах требуется сравнить различные электронные приборы с точки зрения особенностей их работы, отметить их преимущества и недостатки, рассказать о применении. Так, при сравнении электронных ламп и полупроводников следует отметить такие преимущества полупроводниковых приборов, как малые габаритные размеры, массу, механическую прочность, мгновенность действия (т. е. отсутствие накаливаемого катода), малую потребляемую мощность, большой срок службы и т. д. Наряду с этим надо указать их недостатки: зависимость параметров полупроводников от температуры окружающей среды и нестабильность характеристик (разброс параметров. При изучении основ электроники определенную трудность представляет тема «Интегральные схемы микроэлектроники» ввиду недостаточного количества литературы по этому вопросу. Учащимся следует знать, что в связи с все более частым применением электронных устройств для решения разнообразных сложных технических проблем при их проектировании возникают новые требования к электронной аппаратуре, основными из которых являются: надежность элементов я электрических соединений, миниатюризация элементов, снижение потребляемой мощности. Создание новых сложных электронных изделий стало возможным па основе внедрения в электронную технику принципов элементарной интеграции — объединения в одном сложном миниатюрном элементе многих простейших элементов (диодов, транзисторов, резисторов и т. п.у. Полученный в результате такого объединения сложный элемент называют интегральной микросхемой. Таким образом, интегральные микросхемы — это микроэлектронике изделия, состоящие из активных элементов (транзисторов, диодов), пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, дросселей) и соединительных проводов, которые изготовлены в едином технологическом процессе, электрически соединены между собой, заключены в общий корпус и представляют собой неразделимое целое. По технологии изготовления интегральные микросхемы подразделяют на: 1) гибридные, выполняемые в виде пленок, наносимых на поверхность диэлектрического материала, и навесных бескорпусных элементов — транзисторов, конденсаторов и т. п., прикрепляемых к основанию; 2) полупроводниковые, в которых все элементы формируются в полупроводниковом материале. Полупроводниковые и гибридные микросхемы подразделяют на схемы с малой (до 30 элементов), средней (до 150 элементов), большой (более 150 элементов/ и сверхбольшой (1000 элементов и более) степенями интеграции. В отличие от гибридных интегральных схем, состоящих из двух различных типов элементов (тонкопленочных резисторов, конденсаторов- соединительных проводников и навесных транзисторов, дросселей, конденсаторов большой емкости), полупроводниковые интегральные микросхемы состоят из единого кристалла полупроводника, отдельные области которого выполняют функции транзистора, диода, резистора или конденсатора. Собранную интегральную микросхему помещают в металлический или пластмассовый корпус, имеющий внешние выводы для включения в общую электронную схему установки. Как было отмечено, основными преимуществами интегральных микросхем являются их высокая надежность, малые размеры и масса. Большие интегральные схемы, содержащие до нескольких тысяч элементов, имеют массу, не превышающую нескольких грамм. Плотность активных элементов в микросхеме достигает 1000—10 000 на 1 см3. Среднее время безотказной работы устройства, содержащего 108 элементов, может достигать до 10 000 ч, что значительно превышает время работы устройств, собранных из отдельных транзисторов, диодов, резисторов. Интегральные микросхемы обладают также высокими быстродействием и экономичностью, что позволяет значительно снизить расход электроэнергии и уменьшить габариты и массу источников питания электронных устройств. В настоящее время интегральные микросхемы имеют наиболее широкое применение в цифровых и релейных электронных устройствах, в частности в ЭВМ.
Дата добавления: 2017-02-01; Просмотров: 63; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |