Ждущий одновибратор на транзисторах

Обладая существенными преимуществами по сравнению с электронными лампами, транзисторы обусловили бурное развитие полупроводниковой электроники. Применение транзисторов в сочетании с печатным монтажом

С1 сменит свой знак и достигнет величины»0,6В, то откроется транзистор VT1. Это момент t₂. Далее начинается этап t₂-t₃. Т.к. при закрывании транзистора параллельно К-Э подключен быстро заряжающийся через Rк конденсатор, то напряжение К-Э повторяет напряжение на конденсаторе. Половина периода работы схемы T/2 определяется постоянной времени t=CR_б. Обычно схема мультивибратора симметрична.

Одновибратор служит для формирования импульсов заданной длительности из импульсов любой ширины. Cхема одновибратора представлена на рис.162. Схему одновибратора можно представить в виде двух частей: одна часть - это половинка триггера, другая часть - это половинка мультивибратора.

При подаче питания одновибратор всегда устанавливается в определенное исходное состояние: транзистор VT2 - открыт, VT1 - закрыт. Открывается именно VT2, т.к. его базовый ток значительно больше, чем у VT1. Базовый ток VT1 определяется цепью с сопротивлением (R_б1+R_К1), а базовый ток VT2 - цепью с R_б2 и параллельной ей цепью с R_К1,С1. Т.к. сопротивление R_К всегда меньше сопротивления R_б, то базовый ток VT2 больше. Протекающий через R_К1,С1 ток заряжает конденсатор С1. Полярность напряжения на конденсаторе С1 - плюс слева.

При подаче на базу VT1 положительного импульса тока этот транзистор открывается. Напряжение на конденсаторе С1 прикладывается к переходу Б-Э транзистора VT2 в обратном направлении и VT2 закрывается. За счет действия положительной обратной связи с коллектора транзистора VT2 на базу VT1 через сопротивление R_б1 транзистор VT1 будет поддерживаться в открытом состоянии током, протекающим по цепи: +Uп, R_К1, R_б1, Б-Э транзистора VT1. При этом входной импульс уже может быть снят. Конденсатор С1 начинает перезаряжаться по цепи: +Uп, R_б2, С1, К-Э открытого транзистора VT1. Когда напряжение на конденсаторе С1 в процессе перезаряда сменит знак и достигнет величины»0,6В, достаточной для открытия транзистора VT2, то этот транзистор откроется, цепь обратной связи транзистора VT1 оборвется. Если к этому моменту входной импульс уже закончился, то транзистор VT1 закроется. Если же он не закончился, то VT1 остается открытым до его окончания. При этом напряжение на конденсаторе С1 сохраняется на уровне 0,6В. Когда VT1 закроется, конденсатор С1 начинает заряжаться по цепи: +Uп, R_К1, С1, Б-Э транзистора VT2. Таким образом напряжение на конденсаторе С1 становится равным исходному. В этом исходном состоянии ждущий одновибратор находится до прихода следующего входного импульса.

позволило получить малогабаритные электронные устройства с относительно малым потреблением электроэнергии.

В 1957 г. фирмой General Electric был создан тиристор.

В 1958 г. появился первый полевой транзистор.

Дальнейший скачок в развитии электроники стал возможен с появлением интегральных микроэлектроных схем. Первая интегральная микросхема была анонсирована в 1959 г. американцем Килби. Интегральная микросхема (ИС) – это электронное устройство, элементы которого изготовляются в едином технологическом цикле, т.е. одновременно, на едином основании - подложке. Промышленный выпуск ИС был начат в начале 60-х годов. Первая цифровая интегральная микросхема ТТЛ-логики появилась в 1961 г., первый интегральный операционный усилитель mA709 был разработан в 1964 г. двадцатичетырехлетним американским ученым Р. Видларом (спустя два года после окончания университета, где он получил степень бакалавра). Все это способствовало бурному прогрессу в развитии информационной электроники и микроминиатюризации электронных устройств. Эти тенденции получили еще большее развитие с появлением больших (БИС – 1969 г.), а затем и сверхбольших (СБИС – 1975 г.) интегральных микросхем, которые позволили разработать и внедрить во все сферы деятельности человека микроЭВМ. Основным элементом в таких ЭВМ стал микропроцессор – СБИС, содержащая десятки и сотни тысяч элементов на одном кристалле. Первый четырехразрядный микропроцессор был изготовлен фирмой Intel в 1971 г., а на следующий год - восьмиразрядный.

В настоящее время интегральные микросхемы и дискретные полупроводниковые приборы стали основной элементной базой современных устройств промышленной электроники. Совместно с ними применяются резисторы, конденсаторы, дроссели.

Дата добавления: 2014-01-06