Связь между концентрациями носителей заряда в примесном и собственном полупроводниках
Концентрация электронов в собственном полупроводнике определяется выражением
.
Соответственно, концентрация дырок
.
Выразим отсюда NC и NV:
и .
В полупроводнике п -типа концентрация электронов
.
Концентрация дырок
.
Таким образом, концентрацию электронов или дырок в примесном полупроводнике (вне зависимости от типа полупроводника) можно выразить через уровень Ферми данного полупроводника и собственного полупроводника и концентрацию собственных носителей заряда при данной температуре. Тогда
.
Таким образом, произведение концентраций электронов и дырок в данном полупроводнике при данной температуре есть величина постоянная, не зависящая от характера и количества содержащихся в нем примесей и равная квадрату концентрации электронов или дырок в беспримесном полупроводнике при той же температуре.
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление