КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Частотные свойства транзисторов
На частотные свойства транзисторов большое влияние оказывают ёмкости p-n переходов. С увеличением частоты емкостное сопротивление переходов уменьшается, а шунтирующее действие емкостей возрастает. Т-образные схемы транзисторов с ОБ и с ОЭ помогут оценить частотные свойства схем включения транзисторов. Из ВАХ схем включения известно, что при определённых значениях IЭ и IБ ток коллектора практически не зависит от UКБ. Однако если учесть такое влияние (а оно есть за счет эффекта Эрли), то: , где - дифференциальное сопротивление запертого коллекторного p-n перехода. С учетом последнего уравнения, Т-образная эквивалентная схема с ОБ может иметь вид:
Влияние CЭБ базы на высоких частотах мало, т.к. rЭ диф также мало. Особенно вредное влияние оказывает CКБ, т.к. на высоких частотах емкостное сопротивление оказывается значительно меньше, чем rК диф и с повышением частоты Iк уменьшается даже при iЭ=const (т.к. CКБ и rК диф включены параллельно). С учётом эффекта Эрли для схемы с ОЭ получим: (1)
С учетом последнего уравнения Т-образная эквивалентная схема с ОЭ может иметь вид:
Где Последнее слагаемое в уравнении (1) на высоких частотах носит комплексный характер. При учёте ёмкости коллекторного перехода СК его сопротивление состоит их параллельно включенных или Следовательно, в схеме с ОЭ
- граничные частоты в схеме с ОЭ и ОБ, соответственно. Второй причиной уменьшения усилительных свойств транзисторов на высоких частотах является отставание по фазе переменного тока IК от переменного тока IЭ, что обусловлено инерционностью процесса переноса носителей заряда через базу, а также инерционностью процессов накопления и рассасывания зарядов в базе. Время пролёта носителей через базу у обычных транзисторов ≈0,1мкс. На частотах от единиц до десятков МГц это приводит к увеличению IБ и как следствие, к снижению коэффициента передачи по току. Векторные диаграммы токов транзистора на разных частотах.
φ – сдвиг фаз между токами IЭ и IК; IБ на высоких частотах равен геометрической разности токов IЭ и IК; - коэффициент передачи на заданной частоте; - коэффициент передачи на низких частотах. Из сказанного следует, что схема с ОБ является более высокочастотной чем с ОЭ. Для определения α и β на высоких частотах f могут быть использованы формулы: . - коэффициенты усиления при . Для расширения частотного диапазона транзисторов необходимо увеличивать скорость перемещения неосновных носителей через базу, уменьшать толщину базы и ёмкость коллекторного перехода.
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 369; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |