КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Условия обеспечения статических состояний
Ключевой режим биполярного транзистора. Главная особенность такого режима состоит в том, что под воздействием входного сигнала транзистор находится либо в режиме насыщения (Uкэ≈0), либо в режиме отсечки (Iк≈0). При этом реализуется только два состояния: «включено» и «выключено», т.е. обеспечивается только два дискретных значения: «0» и «1» (По аналогии с двоичным счислением). АВ – активный режим (область II) Открытое состояние: - насыщение; Закрытое состояние: - отсечка Включенное состояние Выключенное состояние
Запирание транзистора требует обратных напряжений на переходах КБ и БЭ. Однако, транзистор будет считаться выключенным (режим пассивного запирания), если напряжение 0<UБэ<Uпор, где Uпор – это прямое напряжение на БЭ, при котором практически отсутствует ток базы, а значит и Iк. В выключенном состоянии Iк0, протекая через RБ создает на RБ падение напряжения UrБ, которое является прямым для перехода БЭ. Поэтому очевидно, что запертое состояние транзистора Т обеспечивается при условии UrБ<Uпор, но UrБ=Iк0*RБ, следовательно Iк0*RБ<Uпор Условием запирания транзистора при любой температуре [] будет выполнение требований к RБ: - для режима пассивного запирания. Однако, режим пассивного запирания является недостаточно надежным в ряде случаев. Поэтому на практике при запирании транзистора применяется режим глубокой отсечки, при котором: UБэ<0. Это требует подачи напряжения Uзап на переход БЭ (например, по следующей схеме). Условием режима глубокой отсечки будет: -для режима глубокой отсечки. Поскольку Iк0 существует при любой температуре, то это приводит к тому, что в закрытом состоянии Uкэз≠Ек: Вторым устойчивым состоянием транзистора является режим насыщения открытого транзистора, при котором оба p-n перехода смещены в прямом направлении. В соответствии с зависимостью Iк=β*IБ, при росте IБ растет и Iк. Однако, этот рост Iк не может быть безграничным, т.к. его максимальное значение зависит от Ек и Rн, поэтому Iкmax=Eк/Rн. Значение тока Iк, которое соответствует Iкmax и не может возрастать при увеличении Iб, называют коллекторным током насыщения Iкнас (β*IБ=Ек/Rн) – момент достижения этого равенства соответствует переходу транзистора в режим насыщения. Откуда ток базы насыщения IБнас может быть определен: IБнас=Iкнас/β. Минимальное значение IБ, при котором его приращение не приводит к изменению тока коллектора называют базовым током насыщения. I – режим отсечки; II – активный режим; III – режим насыщения Очевидно, что в реальных схемах может быть, что IБ>IБнас, поэтому для количественной оценки глубины насыщения вводят параметры: - степень насыщения - - коэффициент насыщения - Обычно S>>1. С увеличением N или S уменьшается Uкэнас. При N>3, Uкэнас≈const, [Uкэнас=(0,08-1)В]. Поэтому более высокие степени насыщения нецелесообразны. Важнейшее свойство транзисторного ключа в режиме насыщения – независимость Iк от температуры и параметров транзистора.
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 359; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |