Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Динамика переключения ключей на биполярных транзисторах




 

Качество транзисторного ключа определяется не только его свойствами в статических состояниях, но и скоростью переключателя, т.е. временами его перехода из одного состояния в другое, что определяется динамикой переходных процессов. При анализе переходных процессов в транзисторе, как правило, используется метод заряда базы, в основе которого лежит принцип ее электрической нейтральности.

Процесс переключения транзистора состоит из двух фаз:

Фаза открывания (включения) и фаза закрывания (выключения).

Фаза открывания включает 3-и стадии:

- задержка фронта (tзад);

- формирование фронта (tф+);

- накопление избыточного заряда в базе (tнак).

1. Задержка фронта – обусловлена перезарядом барьерных емкостей Сэ и Ск под действием входного сигнала.

2. Формирование фронта – возрастание тока Iк от 0,1 Iкmax до 0,9 Iкmax, связанное с экспоненциальным ростом числа неосновных носителей в области базы.

3. Накопление избыточного заряда в базе – начинается с момента перехода транзистора из активной области в режим насыщения, когда IБ>IБнас (при S>1) и заканчивается в момент достижения заданного коэффициента S насыщения.

Фаза закрывания включает также три стадии:

- рассасывание избыточного заряда в базе (tрасс);

- формирование отрицательного фронта (tф-);

- установление стационарного закрытого состояния (tуст).

1. Рассасывание избыточного заряда – уменьшение объемного заряда базы (неосновных носителей) до равновесного состояния; при этом Iк не изменяется.

2. Формирование отрицательного фронта – спад тока Iк от 0,9Iк до 0,1 Iк, экспоненциальное уменьшение заряда в базе от граничного значения до нуля.

3. Установление стационарного закрытого состояния – переход от пассивного запирания к глубокой отсечке (перезаряд Ск и Сэ).

Из анализа фаз переключения транзистора следует, что суммарные временные затраты составляют:

 

Очевидно, что для сокращения tвкл необходимо увеличивать IБвкл, но при этом транзистор попадает в область глубокого насыщения, что увеличивает время выключения (tвыкл).

Для сокращения времени выключения tвыкл необходимо увеличить ток выключения IБзап, т.к. это способствует сокращению tрасс. Однако, это приводит к увеличению глубины отсечки, что увеличивает время включения (tвкл).

Появившиеся противоречивые требования возможно удовлетворить несколькими путями (методами).

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 495; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.