С изолированным затвором

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы. Общие сведения

Полевые транзисторы

Основные принципы работы полевого транзистора были разработаны Лилиенфельдом и Хейлом в начале 30х годов. Первый МДП-транзистор был изготовлен Кангом и Аталлой в 1960 г. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом был разработан Шокли в 1952 г. и изготовлен Дейки и Россом в 1953 г. Полевые транзисторы с диодом Шотки впервые были изготовлены на основе арсенида галлия в 1967 г.

Полевые транзисторы содержат три полупроводниковые области исток, сток и канал, а так же управляющий электрод затвор. Исток и сток сильно легированные области полупроводника.

По структуре и способу управления проводимостью канала различают три типа полевых транзисторов:

- полевые транзисторы с изолированным затвором, между металлическим затвором и каналом расположен слой диэлектрика (МДП-транзисторы);

- полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупро-водник (с диодом Шоттки), металлический электрод затвора образует выпрямляющий контакт с каналом, на который в рабочем режиме подается обратное напряжение;

- полевые транзисторы с управляющем p-n-переходом, в качестве затвора используют слой полупроводника образующий с каналом p-n-переход, в рабочем режиме имеющий обратное включение

Полевые транзисторы по типу проводимости канала подразделяются на транзисторы с каналом n или p -типа.

Если канал n-типа, то рабочими носителями являются электроны и на сток подается положительный потенциал. В случае канала p-типа рабочими носителями являются дырки и на сток подается отрицательный потенциал.

В полевых транзисторах используется движение носителей заряда одного знака, которые под действием электрического поля, созданого вдоль канала, перемещаются от истока к стоку.

Характерной особенностью полевых транзисторов является малый ток затвора. Входное сопротивление полевых транзисторов на постоянном токе составляет 10⁸ ¸10¹⁰ Ом. Поэтому полевые транзисторы являются приборами, управляемыми напряжением, в отличие от биполярных транзисторов, которые управляются током.

Структура МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа показана на рис. 4.1. В подложке p-типа с невысокой концентрацией акцепторов»10¹⁵см^-3 методами диффузии или ионного легирования сформированы сильно легированные истоковая и стоковая области с концентрацией примеси»10¹⁹см^-3.

1 – металлизация, 2 – диэлектрическая пленка, 3 – кремниевая подложка

Рис. 4.1

Расстояние между стоковой и истоковой областями называется длиной канала L и составляет от десятых долей до нескольких микрометров. На поверхности полупроводника создается тонкий слой подзатворного диэлектрика толщиной от 10 до 100 нм. В большинстве случаев, это термически выращенная двуокись кремния. Металлические слои образуют выводы стока, истока и затвора.

Работа транзистора. Предположим, что заряд в диэлектрике равен нулю. Тогда при равенстве нулю напряжения между истоком и затвором U_зи=0 проводящий канал в полупроводнике p-типа будет отсутствовать и между стоком и истоком оказываются два встречно включенных p-n-перехода. Поэтому при подаче напряжения на сток ток, протекающий через транзистор будет ничтожно мал.

При подаче на затвор отрицательного напряжения U_зи<0 поверхностный слой обогащается дырками, а ток, прототекающий через транзистор, остается ничтожно малым. Транзистор закрыт.

При подаче на затвор возрастающего положительного потенциала в подложке сначала образуется обедненный дырками слой, а затем- инверсионный слой электронов, образующий проводящий канал. Через транзистор начинает протекать ток зависящий от напряжения на затворе.

Каналы образующиеся под действием внешнего напряжения и отсутствующие в равновесном состоянии называются индуцированными. Толщина индуцированного канала составляет 1-2 нм и практически не изменяется. Модуляция проводимости канала осуществляется за счет изменения концентрации носителей. Напряжение на затворе, при котором образуется проводящий канал, называется пороговым напряжением.

Если поверхностный слой полупроводника между стоком и истоком легировать донорами, то проводящий канал будет существовать и при нулевом напряжении на затворе. Пороговое напряжение при этом будет отрицательным. Такие транзисторы называются МДП-транзисторами с встроенным каналом.

Обозначения МДП-транзисторов и полярности рабочих напряжений для включения по схеме с общим истоком показаны на рис. 4.2-4.5.

МДП-транзистор с индуцированным n-каналом-рис. 4.2,

МДП-транзистор с индуцированным p-каналом-рис. 4.3,

МДП-транзистор со встроенным n-каналом-рис. 4.4,

МДП-транзистор со встроенным p-каналом-рис. 4.5.

В МДП-транзисторах с p-каналом области истока и стока p⁺ типа формируются в подложке n-типа.

МДП-транзистор со встроенным каналом работает как при положительном, так и при отрицательном напряжении на затворе, тогда как МДП-транзистор с индуцированным каналом работает только при одной полярности напряжения на затворе.

Дата добавления: 2014-01-07