МДП-транзисторы

Комплементарные МДП-транзисторы.

В комплементарных МДП ИС (КМОП) на одном кристалле изготавливаются МДП-транзисторы с n- и p-каналами. Для этого один из транзисторов делают в специальном кармане. В структуре, показанной на рис. 4.8, используется р-карман, в котором формируется n-канальный транзистор.

Рис. 4.8

МДП-транзисторы, получаемые методом двойной диффузии.

Структура такого МДП-транзистора аналогична структуре n-p-n транзистора рис. 4.9. Отличие в том, что n⁺слой, выполняющий роль истока, имеет почти такую же площадь, что и р-слой канала. Для этого диффузию донорной примеси для n⁺слоя проводят через то же самое окно в окисле, через которое проводили диффузию акцепторной примеси для р-слоя. Это позволяет получить толщину р-слоя, которая близка к длине канала около 1 мкм и менее, что обеспечивает граничную частоту усиления ~30 ГГц.

Рис. 4.9

Дата добавления: 2014-01-07