Уравнение баланса массы

Уравнение Гиббса - Томпсона

CR - C (p) =(σVм C (p) / кТСс)/R = α/R, где

C (p) - равновесная концентрация рассматриваемого компонента (при R стремящемуся к бесконечности, то есть к формированию плоской поверхности), соответствующая линии растворимости на диаграмме состояния при рассматриваемой температуре,

Сс - концентрация рассматриваемого компонента в частице новой фазы,

Vм - объем молекулы соединения,

σ - коэффициент поверхностного натяжения,

к - постоянная Больцмана,

Т - температура процесса.

Сс dR/dt = D dC/dr|r=R = (D/R)(Cср – CR) = (Dα/R²)[(R/Rк) – 1)

где ∆ = Cср - C (p) - пересыщение твердого раствора,

Rк = α/∆ - критический радиус частицы.

При R > Rк (рис.11) частица растет, при R < Rк (рис.12) частица растворяется.

Рис.11. Схематическое распределение концентрации компонента В в зоне роста частицы AmBn (R > Rк)

Рис.12. Схематическое распределение концентрации компонента В в зоне растворения частицы AmBn (R < Rк)

Дата добавления: 2014-01-07