Электронно-дырочный переход

Рассмотрим физические процессы в p-n переходе. Основным элементом большинства полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход (p-n переход). Он представляет собой переходной слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электронную электропроводность, а другая – дырочную. Толщина p-n перехода составляет порядок от единиц до сотых долей микрометра.

По соотношению концентраций основных носителей зарядов в p- и n- областях перехода различают симметричные p-n переходы, когда n_n = p_p, и несимметричные p-n переходы, когда n_n > p_p или n_n < p_p. В последних случаях различие может составлять 100 – 1000 раз и тогда область с большей концентрацией примеси называют эмиттером, а с меньшей – базой. В полупроводниковых приборах используются несимметричные p-n переходы.

В зависимости от площади перехода p-n переходы разделяются на точечные и плоскостные. В зависимости от толщины области изменения концентрации примеси вблизи границы перехода p-n – на резкие переходы и плавные переходы. Переходы, образованные между двумя полупроводниками с различной шириной запрещенной зоны, называются гетеропереходами.

Для упрощения рассмотрим симметричный p-n переход, двумерная модель которого показана на рис. 3.3. Равновесное состояние перехода, окрестность границы раздела которого представлена на рис. 3.3, соответствует нулевому внешнему напряжению. Поскольку концентрация электронов в n -области значительно больше, чем в p- области (n_n >> n_p), часть электронов из n -области диффундирует в p- область. При этом в p- области вблизи перехода появятся избыточные электроны. Их рекомбинация с дырками приведет к появлению нескомпенсированных отрицательных зарядов акцепторных ионов. С другой стороны от границы – в n -области образуются нескомпенсированные положительные заряды донорных ионов. Последнее явление эквивалентно уходу – диффузии дырок из p -области в n- область. Ионизация атомов примеси зарядами, пересекшими границу раздела, снижает в p-n переходе концентрацию подвижных носителей заряда, формируя обедненный слой с пониженной электропроводностью.

Таким образом, в результате диффузии свободных электронов и дырок по обе стороны границы раздела накапливаются равные по величине и противоположные по знаку нескомпенсированные пространственные (объемные) заряды, образуя в p-n переходе двойной электрический слой разноименно заряженных ионов. В этом слое с пониженной концентрацией подвижных носителей заряда, имеющем толщину около 10^–4 – 10^–5 см, возникает электрическое поле, направленное из n- области в p -область. Напряженность этого поля составляет величину порядка 10⁶ В/м. За пределами перехода полупроводники p - и n- областей электрически нейтральны, и поле в них отсутствует. Возникшее в p-n переходе электрическое поле препятствует дальнейшей диффузии основных носителей зарядов, вытесняя из перехода свободные электроны в n -область, а дырки – в p -область. Однако то же самое поле является ускоряющим для неосновных носителей зарядов – дырок в n -области и свободных электронов в p -области. Происходит их перемещение через p-n переход– дрейф, возникают дрейфовые токи. Движение зарядов прекращается, когда наступает динамическое равновесие – дрейфовые и диффузионные токи, направленные навстречу друг другу, уравниваются. Поэтому при отсутствии внешнего поля результирующий ток через

p-n переход равен нулю.

Рис. 3.3. Равновесное состояние p-n перехода

Появившееся вблизи перехода электрическое поле обуславливает потенциальный барьер (контактную разность потенциалов) φ_K (рис. 3.3). Его величина составляет для германия Ge φ_K = 0,3 0,4 В, для кремния Si φ_K = 0,7 0,8 В. Когда к переходу прикладывается внешнее напряжение, электрическое состояние перехода становится неравновесным. В зависимости от полярности внешнего напряжения потенциальный барьер φ повышается или понижается по сравнению с его величиной φ_K в равновесном состоянии.

Подключение внешнего источника напряжения плюсом к p -области, а минусом к n -области, называют прямымвключением p-n перехода. Напряжение U, приложенное к переходу таким образом, называется прямым U = U_ПР, а протекающий через него ток i – прямым током i = i_ПР. Увеличение прямого напряжения уменьшает и напряженность электрического поля, и контактную разность потенциалов (φ = φ_K – U_ПР). Происходит диффузия основных носителей зарядов – в переход с двух сторон поступают электроны и дырки диффузионного тока, сопротивление перехода уменьшается, величина прямого тока увеличивается.

Подключение внешнего источника напряжения плюсом к n -области, а минусом к p -области, называют обратнымвключением p-n перехода. Напряжение U, приложенное к переходу таким образом, называется обратным U = U_ОБР, а протекающий через него ток – обратным током.Увеличение обратного напряжения увеличивает в переходе электрическое поле, увеличивает контактную разность потенциалов (φ = φ_K +U_ОБР) и толщину обедненного слоя. В этом случае диффузия основных носителей заряда через переход отсутствует и происходит экстракция неосновных носителей заряда, ускоряющихся в суммарном поле контактной разности потенциалов и внешнего источника напряжения. Их дрейф создает обратный ток p-n перехода. При увеличении обратного напряжения до некоторой величины ток не увеличивается, так как в p - и n- областях число неосновных носителей в единицу времени определяется лишь температурой.

Зависимость тока через переход от приложенного к нему напряжения U, выраженная графически, называется вольт-амперной характеристикой (ВАХ). Пример ВАХ p-n перехода приведен на рис. 3.4. Теоретический анализ явлений в p-n переходе в равновесном и неравновесном состояниях, приводит к аналитическому выражению ВАХ:

, (3.2)

где – ток, обусловленный дрейфом неосновных носителей заряда,

– термический потенциал, ( – заряд электрона).

При комнатной температуре (T ≈ 300 К) ≈0,025 В. Приведенная формула хорошо описывает участки 1 и 2 ВАХ, указанные на рис. 3.4.

При прямом напряжении (участок 1), когда U > 0,1 В, ток возрастает по экспоненте и может превышать значение на много порядков. Этот ток , обусловленный при прямом включении основными носителями, может достигать больших значений, т. к. основных носителей заряда в областях n и p много.

При обратном включении (участок 2) ток быстро достигает значения, равного . При определенной температуре ток – величина постоянная, зависящая только от концентрации неосновных носителей n_p и p_n, значение которой определяется только температурой полупроводника, поэтому ток называют тепловым током.

Участки 1 и 2 ВАХ иллюстрируют важнейшее свойство p-n перехода – его одностороннюю проводимость. Сопротивление p-n перехода в прямом направлении мало (порядка 10 Ом), а в обратном направлении – велико (10⁵ – 10⁶ Ом).

Рис. 3.4. ВАХ p-n перехода

При дальнейшем увеличении обратного напряжения происходит резкое увеличение тока через переход – пробой p-n перехода (участок 3 на графике ВАХ). Существуют три основных вида пробоя: туннельный, лавинный (электрический) и тепловой.

Туннельный пробой связан с туннельным эффектом – переходом электронов сквозь потенциальный барьер без изменения энергии.

Лавинный пробой связан с образованием лавины носителей заряда под действием сильного электрического поля, в котором носители на длине свободного пробега приобретают энергию, достаточную для образования новых электронно-дырочных пар путем ударной ионизации атомов полупроводника (4 на графике ВАХ). Туннельный и лавинный пробои не сопровождаются разрушением p-n перехода.

Тепловой пробой возникает из-за перегрева p-n перехода или отдельного его участка. При этом происходит интенсивная генерация пар электрон–дырка. Ток увеличивается, вызывая дальнейший разогрев перехода. Этот процесс, также лавинообразный, завершается расплавлением перегретого участка p-n перехода и выходом прибора из строя.

Наличие при обратном включении p-n перехода (участок 2 на графике ВАХ) слоя, обедненного подвижными носителями заряда, и зависимость толщины этого слоя от величины обратного напряжения U_ОБР свидетельствуют о присущей переходу электрической емкости, называемой барьерной. При прямом включении p-n перехода существенной становится диффузионная емкость С_ДФ, обусловленная изменением заряда неосновных носителей, происходящим в результате их диффузии.

При создании полупроводниковых приборов с теми или иными функциональными свойствами используют определенные участки вольт-амперной характеристики p-n перехода. Участок ВАХ p-n перехода, используемый в конкретном случае, называется рабочим.

Дата добавления: 2014-11-16