КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Определение параметров неосновных носителей заряда в полупроводниках
Модифицированный метод Ван-дер-Пау (для планарного размещения зондов) При измерении эффекта Холла методом Ван-дер-Пау в тонких полупроводниковых слоях возникают трудности с установкой зондов. В связи с этим данный метод был модифицирован так, чтобы было возможно планарное размещение контактов, т. е. на поверхности исследуемого слоя или образца (один из таких вариантов для образца в форме параллелепипеда приведен на рис. 2.4 и используется в настоящей работе). При измерении проводимости ток подводится через зонды 1 и 4, а разность потенциалов измеряют между зондами 2 и 3. Проводимость для этой конфигурации контактов подсчитывают по формуле: (2.41) где L — поправочный множитель, учитывающий геометрию образца (см. табл. 2.2). Затем геометрию измерений меняют: через зонды 1 и 2 пропускают ток, а между другой парой (3 и 4) определяют падение напряжения. Из полученных данных находят . Истинную проводимость находят по формуле: (2.42)
При определении постоянной Холла ток I подводится через зонды 1 и 3, между другой парой контактов (2 и 4) измеряют падение напряжения. Для этой конфигурации контактов постоянная Холла равна:
(2.43) Где — изменение напряжения между зондами 2 и 4 после включения магнитного поля, k — поправочный множитель, учитывающий геометрию образца и конфигурацию зондов (см. табл. 2.2). Затем повторяют измерения, изменив назначение контактов: через 2 и 4 подают ток а с 1 и 3 снимают разность напряжений . По этим данным определяют . Истинная постоянная Холла находится как среднее арифметическое : (2.44) При электрических измерениях на полупроводниковых образцах обычно сталкиваются с проблемой учета контактной разности потенциалов и других паразитных ЭДС. Точный расчет поправок возможен здесь лишь для простейших случаев. Для исключения (или значительного уменьшения) вклада контактных потенциалов в измеряемые напряжения до недавнего времени применяли компенсационные методы измерений (к измерительным зондам подключался внешний источник напряжения так, чтобы полностью компенсировать измеряемую разность потенциалов). Последнее время для этих целей используют электрометрические цифровые вольтметры (входное сопротивление ). В обоих случаях создаются условия, когда можно пренебречь протеканием тока через зонды, между которыми измеряется напряжение, и, следовательно, пренебречь падением напряжения на контактах. Ошибки, связанные с медленно меняющимися во времени помехами, удается значительно уменьшить, если проводить измерения при разных направлениях тока. В ошибку при определении постоянной Холла дает вклад и несимметричное размещение зондов. Исключить его можно, выполняя измерения при двух (противоположных) направлениях магнитного поля. Таким образом, для точного определения проводимости и постоянной Холла при каждом значении тока необходимо сделать четыре измерения для и восемь для , а полученные данные усреднить. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ 1. В чем состоит суть явления, получившего название "эффект Холла"? Какие величины характеризуют этот эффект? 2. Что означают термины сильное магнитное поле, слабое магнитное поле? 3. Используя уравнения движения для носителей заряда, получите связь между током, протекающим через образец, и ЭДС Холла. 4. Подсчитайте величину падения напряжения в результате протекания тока через образец германия n - или p -типа проводимости и ЭДС Холла, сравните их (численные значения тока, магнитной индукции, концентрации носителей и их подвижности задает преподаватель). Форма образца — куб с ребром 1 см, расположение контактов и ориентация векторов и такие же, как на рис.2.1. 5. Каким образом механизмы рассеяния влияют на величину постоянной Холла? 6. Используя уравнения движения для носителей заряда, покажите, что в случае биполярной проводимости при наличии магнитного поля и электроны, и дырки будут накапливаться на одной и той же грани образца. Выведите формулу для постоянной Холла в случае биполярной проводимости. 7. Качественно нарисуйте и объясните температурные зависимости постоянной Холла в области примесной и собственной проводимости в полупроводниках n- и p -типа проводимости. 8. Какие особенности имеет эффект Холла в классически сильных магнитных полях? 9. В чем заключается метод Ван-дер*Пау для измерения проводимости и постоянной Холла?
ЗАДАНИЯ 1. Измерьте проводимость полупроводниковых образцов при нескольких значениях тока (количество образцов определяет преподаватель). 2. Для тех же образцов при тех же значениях тока измерьте ЭДС Холла и определите постоянную Холла при нескольких значениях магнитной индукции. Покажите, что в пределах экспериментальной ошибки постоянная Холла не зависит от величины тока и магнитной индукции. 3. Из полученных данных определите концентрацию носителей, их тип и холловскую подвижность. Экспериментальное значение подвижности сравните с известными в литературе. 4. Используя результаты данной работы и лабораторной работы "Температурная зависимость термоэдс в полупроводниках", определите для образца германия эффективную плотность состояний в зоне проводимости при комнатной температуре (или в валентной зоне для образца p -типа — ) и эффективную массу электронов проводимости (дырок).
Литература 1. Ю.А. Байков, В.М. Кузнецов “Физика конденсированного состояния” М, Бином, 2011. 2. Г.И. Епифанов “Физика твёрдого тела” СП. б. Лань. 2009. 3. В.Л. Матухин, В.Л. Ермаков “ Физика твёрдого тела ” СП. б. Лань. 2009.
Целью работы является экспериментальное определение подвижности, времени жизни и длины диффузии неосновных носителей заряда в германии.
Дата добавления: 2014-11-20; Просмотров: 633; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |