Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Датчик, работающий на эффек­те Холла




Благодаря развитию микроэлектроники широ­кое распространение получили датчики углового положения, ра­ботающие на эффекте Холла (рис. 2.5).


 

Рис. 7.5. Эффект Холла

 

Эффект Холла (рис. 7.5) возникает в по­лупроводниковой пластине, вне­сенной в магнитное поле, при пропускании через нее электриче­ского тока. Если поместить эле­мент толщиной h в магнитном поле таким образом, чтобы на­правление индукции В магнитного поля было перпендикулярно плос­кости пластины, и пропустить ток Iп через пластину, то между противоположными гранями пластины возникает ЭДС Холла:

,

где К – постоянная Холла, м2/А.

Чувствительность элемента Холла зависит от соотношения между длиной и шириной пласти­ны и повышается при уменьшении се толщины. У пленки толщина h равна 10-6 м, у пластины из полупроводникового кристалла – 10-4 м. Для изготовления элементов Холла используется германий (Се), кремний (Si), арсенид галлия (GаАs), арсенид индия (InАs), антимонид индия (InSb).

Очевидно, что путем изменения магнитного поля от 0 до Вmax с помощью магнитного экрана на выходе магнитоуправляемой интегральной схемы можно получить (при подключении к ее выходу со­ответствующей нагрузки) дискретный сигнал высокого или низкого уровня. Объединив магнитоуправляемую схему с магнитной системой в жестко сконструированный пластмассовый корпус, получают микропереключатель, работающий на эффекте Холла, который устанавливается в традиционный распределитель, например, поворотный механизм вакуумного автомата. Ротор 2 (замыкатель) (рис. 7.6), жестко связанный с валиком 4 распределителя, выполнен­ного из магнитопроводящего материала, и содержит число полю­сов-экранов 3, равное числу, цилиндров двигателя. При прохожде­нии экранов в зазоре между интегральной схемой 7 и магнитом 5 происходит периодическое шунтирование магнитного потока, и на выходе микропереключателя формируется сигнал о положении ко­ленчатого вала в виде прямоугольных импульсов.


Рис. 7.6. Схема микропереключате­ля, работающего на эффекте Холла (а), и зависимости напряжения чув­ствительного элемента Холла (Uп) и напряжения (Uд) на выходе датчика Холла от угла поворота ротора α (б): 1 – магнитоуправляемая интег­ральная схема; 2 – ротор; 3 – эк­ран; 4 – валик распределителя; 5 – магнит; 6 – корпус микропереклю­чателя

 

Величина ЭДС Холла очень мала и поэтому должна быть усиле­на вблизи кристалла для того, чтобы устранить влияние радио - и - электропомех. Поэтому конструктивно элемент Холла и преобразо­вательная схема выполняются в виде интегральной микросхемы (рис. 7.7). Его магнитоуправляемая интегральная схема содержит усилитель У, пороговый элемент St, выходной каскад и стабили­затор напряжения СТ.

Недостатком интегральной системы является повышенная чувствительность к внешним воздействиям.

 


 

Рис. 7.7. Структурная магнитоуправляемая интеграль­ная схема микропереключателя, работающего на эффекте Холла: ЭХ − чувстви­тельный элемент Холла; В − индукция поля; У − уси­литель; Si − триггер Шмитта; − транзистор выходного каскада с открытым выходом; СТ − источник стабилизированного напряжения; Rн − нагрузка

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-12-27; Просмотров: 1189; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.