Запоминающий элемент динамической памяти

Запоминающий элемент ПЗУ.

Также как и в ОЗУ для запоминания бита информации в ПЗУ предусматривается наличие элемента памяти. У однократно программируемых устройств в качестве запоминающего элемента используют проволочную перемычку между проводником адреса и проводником данных. Обычно, такая перемычка выполняется из материала с высоким удельным сопротивлением с целью получения малых токов пережигающих эти перемычки при программировании. ПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым светом в качестве устройства запоминающего бит информации используют полевой транзистор с плавающим затвором (ПЛМОП). При программировании у такого транзистора в плавающем затворе наводится заряд, который имеет длительное время жизни после программирования и формирует проводящий канал транзистора. При освещении такого транзистора ультрафиолетовым светом заряд в плавающем затворе рассасывается и транзистор закрывается, т.е. проводимость канала становится равна нулю. Таким образом, запомненное значение бита информации определяется состоянием канала полевого транзистора.

запоминание осуществляется на псевдоконденсаторе С затвор - исток транзистора VT2. Транзисторы VT1 и VT3 предназначены для управления записью и чтением информации. Если “1” будем кодировать высоким уровнем (+5В), то для записи “1” этот сигнал нужно подать на шину записи. При наличии выборки данной ячейки -- на ШАзп подан высокий уровень, транзистор VT1 откроется и псевдоконденсатор С зарядится до высокого уровня напряжения. Для чтения запомненной информации шину чтения предварительно заряжают высоким уровнем, и при подаче высокого уровня на ШАчт -- выборка данной ячейки при чтении, откроется транзистор VT3.

Рис. 79. Динамический запоминающий элемент.

Наличие высокого уровня напряжения на затворе транзистора VT2 приводит и к его открытию, и предварительный заряд с шины чтения стечет через открытые транзисторы VT2 и VT3. При чтении “1” на выходе (на шине чтения) получаем низкий уровень, т.е. инверсию единицы. Хотя затворные и истоковые цепи МОП транзисторов имеют высокие сопротивления, псевдоконденсатор С довольно быстро разряжается, что приводит к потере запомненной информации, чтобы зто не происходило нужно примерно каждые 3мсек подзаряжать конденсатор С. Этот процесс называют регенерацией памяти.

Дата добавления: 2014-12-24