Семестр. Раздел 1. Модели компонентов электронных схем

СОДЕРЖАНИЕ РАЗДЕЛОВ ДИСЦИПЛИНЫ

Раздел 1. Модели компонентов электронных схем

Модели независимых и зависимых источников. Модели пассивных компонентов.

Виды аппроксимации характеристик: линейная; кусочно-линейная; нелинейная; кусочно-нелинейная.

Методы нелинейной аппроксимации: выбранных точек; наименьших квадратов; выравнивания.

Модели диода и стабилитрона: статическая кусочно-линейная; нелинейная; малосигнальная; динамическая большого сигнала.

Модели биполярного транзистора: статическая кусочно-линейная; нелинейная (Эберса-Молла); малосигнальные; динамическая большого сигнала.

Модели полевого транзистора: кусочно-линейная; кусочно-нелинейная; малосигнальная.

Модели операционного усилителя и компаратора: статические кусочно-линейные; малосигнальные.

Построение вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов в программной среде Multisim.

Раздел 2. Статический анализ

Графические методы: эквивалентного генератора; двух узлов; сложения характеристик.

Аналитические методы: метод узловых потенциалов.

Численные методы: метод простых итераций; метод Ньютона.

Статический анализ в программной среде Multisim.

Раздел 3. Малосигнальный анализ в области средних частот

Метод эквивалентных схем. Обобщенный матричный метод узловых потенциалов. Анализ схем с идеальными операционными усилителями. Малосигнальный анализ в программной среде Multisim.

Раздел 4. Малосигнальный анализ в диапазоне частот

Аналитический расчет АЧХ и ФЧХ. Малосигнальный анализ в диапазоне частот в программной среде Multisim.

Раздел 5. Анализ устойчивости

Общее условие устойчивости схемы «в малом». Анализ устойчивости схемы по критериям Гурвица и Михайлова.

Раздел 6. Анализ чувствительности и допусков

Абсолютная, относительная и полуотносительная чувствительности и их аналитический расчет для простых функций. Чувствительность к изменению температуры. Анализ чувствительности и допусков в программной среде Multisim.

Раздел 7. Анализ переходных процессов

Малосигнальный аналитический анализ переходных процессов операторным методом. Анализ переходных процессов в программной среде Multisim.

Содержание лекций

Лекция 1. Обзорная лекция по разделу 1 «Модели компонентов электронных схем» (2 часа).

Лекция 2. Обзорная лекция по разделам 2, 3 и 4 «Статический анализ», «Малосигнальный анализ в области средних частот» и «Малосигнальный анализ в диапазоне частот» (2 часа).

Лекция 3. Обзорная лекция по разделам 5, 6 и 7 «Анализ устойчивости», «Анализ чувствительности и допусков» и «Анализ переходных процессов» (2 часа).

Содержание практических занятий

Практическое занятие 1. Определение параметров моделей полупроводниковых компонентов.

Практическое занятие 2. Статический и малосигнальный анализ.

Практическое занятие 3. Анализ устойчивости и чувствительности.

Содержание лабораторных занятий

Лабораторное занятие 1. Ввод и редактирование электронных схем в программе Multisim 10. Работа с виртуальными измерительными приборами. Построение входных и выходных ВАХ полупроводниковых приборов. (4 часа).

Литература

Дата добавления: 2014-12-25