Особенности включения транзистора по схеме с ОЭ

Схема с ОЭ струк­турная и принципиальная соответственно представлена на рис. 2 а, б. Напряжение входного сигнала U_вх подается на эмиттер ибазу, источник коллекторного питания и сопротивление нагрузки R_нагр включены между эмиттером и коллектором. Отличие схемы с ОЭ от схемы с ОБ состоит в том, что входным током в ней является малыйпо значению ток базы. Ток эмиттера I_э обуслов­лен количеством дырок, переместившихся через эмиттерный переход в базу, и под. воздействием этого тока в цепи коллектора протекает ток I_к, почти равный току I_э. Небольшаячасть дырок рекомбинирует в области базы с электронами; образуется ток базы I_б; следова­тельно, через источник входного сигнала проходит толь­ко небольшой ток базы I_б=I_э - I_к, поэтому входное сопротивление схемы транзистора с ОЭ значительно выше входного сопротивления схемы с ОБ и состав­ляет сотни ом. Выходное сопротивление в схеме с ОЭ достигает десятков килоом.

Р и с. 2 структурная (а) и принципиальная (б) схемы включения транзистора с ОЭ

Важнейшим достоинством схемыс ОЭ (в отличие от схемы с ОБ) является большой коэффициент усиления по току, представляющий отношение приращения тока коллектора к приращению тока базы И обозначаемый: β=

Коэффициент усиления по напряжению для схемы с ОЭ имеет примернотакую же величину, что и для схемы с ОБ. Это объясняется тем, что выходное напряжение у обеих схем зависит от одних и тех же величин — пере­менной составляющейколлекторного тока и.сопротивле­ния нагрузки, которые примерно равны.

Коэффициент усиления по мощности для схемы с ОЭ, равный К_р=βК_u, значительно выше, чем для схемы с ОБ

Важном особенностью схемы с ОЭ является то, что выходное напряжение имеет сдвиг по фазе на 180° по отношению к входному напряжению.

Дата добавления: 2015-05-06