Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметра. Статический ВАХ транзистора с ОБ и ОЭ

Транзистором – полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрических сигналов по мощности, имеет трехслойную полупроводниковую структуру и содержит два p-n перехода. Существуют транзисторы типов p-n-p и n-p-n.

Внешние напряжения подключают к транзистору таким образом, чтобы эмиттерный переход оказался смещенным в прямом направлении, а коллекторный - в обратном.

Напряжение Uэ действует в прямом направлении, и дырки из эмиттера в большом количестве будут диффундировать в область базы. Диффузионный поток электронов, основных носителей заряда в базе, также возрастает.

Осовная функция эмиттерного перехода сводится к ИНЖЕКЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА (ДЫРОК) В БАЗУ.

Iэ = Iэp + Iэn

Iк = Iкp + Iк0

Iб = Iбp + Iэn - Iк0

принцип действия основан на создании транзитного потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и управления выходным током за счет изменения входного тока. Следовательно, биполярный транзистор управляется током.

В соответствии с первым законом Кирхгофа:

Iэ = Iк + Iб;

Iк = a Iэ + Iк0;

Iб = (1- a)Iэ - Iк0

Дата добавления: 2015-05-06