Выходные характеристики транзистора ОЭ

Uкб

Iк = aIэ + ------- + Iк0.

rк(б)

Повышение температуры приводит к увеличению тока Iк0 и смещению характеристик вверх.

Аналогичное воздействие на коллекторные характеристики оказывает зависимость a от температуры: при повышении температуры a несколько возрастает.

Входные характеристики транзистора ОБ представляют собой зависимость:

I_э = f (U_эб)|_Uкб=const

Входная характеристика при более высоком напряжении Uкб, располагается левее и выше. Это обуславливается эффектом модуляции базы: градиент концентрации дырок в базе увеличивается, что и приводит к возрастанию тока эмиттера.

Схема ОЭ.

Необходимы два источника питания: Uкэ и Uбэ. Uбэ определяет падение напряжения на эмиттерном переходе. Напряжение на коллекторном переходе равно разности Uкэ и Uб.

Iк = f(Uкэ)| Iб=const

1-линия насыщения (область двойной инжекции),

2-область нормального активного режима,

3- область электрического пробоя.

¾ коэффициент передачи базового тока транзистора ОЭ.

Коэффициент b показывает связь тока коллектора с входным током - током базы. Если для транзисторов a = 0,9...0,99, то b = 9...99. Таким образом, включение транзистора по схеме ОЭ позволяет усиливать входной ток

U_кэ

I_к = b I_б + ------- + I_ко(э)

r_к(э)

где rк(э) = rк(б)/(1+b); Iко(э) = (1+b) Iк0.

Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода rк(э) в схеме ОЭ меньше.

При нулевом токе базы протекает начальный, или сквозной ток:

Iко(э)» Iэо = (1+b) Iк0

в схеме ОЭ при нулевом входном токе в коллекторной цепи

транзистора течет ток в (1+b) раз больше, чем в схеме ОБ.

Если эмиттерный переход перевести в закрытое состояние, т.е. подать на вход напряжение Uбэ>0, то коллекторный ток уменьшится до величины Iк0. Область, лежащая ниже характеристики, соответствующей Iб=0, называется областью отсечки.

b=a/(1-a) Пробой коллекторного перехода в схеме ОЭ наступает при меньшем коллекторном напряжении, чем в схеме ОБ (примерно в 1,5...2 раза).

Дата добавления: 2015-05-06