Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Статические ВАХ транзистора




При расчете и анализе электронных схем удобно пользоваться входными и выходными ВАХ транзистора. ВАХ снимают при относительно медленных изменениях тока и напряжения, поэтому их называют статическими. Статические характеристики транзистора в схемах ОЭ и ОК примерно одинаковы, поэтому рассмотрим характеристики только для: ОБ и ОЭ.

Схема ОБ.

Зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и базой - это выходные характеристики. Они снимаются при постоянном токе эмиттера:

Iк = f(Uкб)| Iэ=const

Для p-n-p транзистора напряжение Uкб отрицательное (см. рис.2.3).

 

 

ВАХ имеет три явно выраженные области:

1 - крутая область, где зависимость Iк от Uкб сильная; (при заданном токе эмиттера и отсутствии напряжения коллекторного источника (Uкб=0) дырки все равно перебрасываются в коллектор под действием внутренней разности потенциалов j 0. С увеличением тока эмиттера требуется несколько большее положительное напряжение, поэтому начальные участки характеристик смещены влево).

2 - пологая или линейная область, где зависимость Iк от Uкб слабая; (небольшой подъем при увеличении Uкб. Некоторое увеличение тока Iк объясняется увеличением коэффициента передачи тока a вследствие возникающего эффекта Эрли - эффекта модуляции толщины базового слоя, а также из-за роста тока Iк0 = f(Uкб) Эффект модуляции базы связан с расширением коллекторного перехода lк за счет увеличения объемного заряда, вызванного повышением напряжения Uкб)

3 - область пробоя коллекторного перехода. (Коллекторное напряжение не может повышаться произвольно - возможен электрический пробой коллекторного перехода (область 3). Электрический пробой может перейти в тепловой и транзистор выходит из строя. Предельно-допустимая величина Uкб max указывается в справочниках.)

Некоторое возрастание тока Iк при повышении напряжения Uкб, вызванное эффектом модуляции базы, характеризуют дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода rк: rк(б) = duкб/diк|iэ = const

Нижняя ветвь семейства ВАХ - это зависимость:

Iк = f (Uкб)|Iэ=const

В области 2 выходные характеристики практически линейны и сопротивление можно считать постоянным. Тогда для этой области Iк = f(Uкб) можно представить в более корректной форме:




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 744; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.