Биполярные транзисторы. Принцип действия, статические и динамические параметры транзисторов

Биполярные транзисторы называются так, потому что у них два вида носителей заряда.

БТ имеют два n-p перехода и три вывода.

p-n-p - транзистор прямой проводимости (обычно дискретные)

(стрелка всегда НА эмиттере)

n-p-n - транзистор обратной проводимости (чаще аналоговые)

(стрелка всегда ОТ эмиттера)

Для изготовления нужно три фотошаблона и должны выполняться следующее условия:

1. Максимальное количество примесей ВСЕГДА в области эмиттера. Минимальные в области базы

(ρ_Б>>ρ_Э (на два порядка) и ρ_Б>ρ_К (на один порядок))

2. Ширина базы всегда меньше длины пробега носителей заряда (дырки или электрона): w<α_P(n)

(написано «так как от генерации до рекомбинации»)

Различают два режима работы БТ:

1. Нормальный: эмиттерный переход включается в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. Это примерно 93% используемых схем. В отечественных справочниках параметры даны ТОЛЬКО для этого режима.

2. Инверсный: эмиттерный переход – в обратном, коллекторный – в прямом. Параметры транзисторов разные. Используются в основном в схемах аналоговых ключей, так как на открытом транзисторе меньше падение напряжения.

Дата добавления: 2015-03-31