Униполярные транзисторы. Общее

Параметры транзистора как четырехполюсника. Эквивалентная схема транзистора как четырехполюсника с h-параметрами.

Малосигнальная эквивалентная схема транзистора при включении с ОЭ, основные параметры.

Малосигнальная эквивалентная схема транзистора при включении с ОБ, основные параметры.

МЭС используются при расчете маломощных усилительных каскадов. Эти схемы наглядно выглядят через физические параметры α/β, r_Б, r_Э, r_К, С_К, μ (коэффициент обратной связи по напряжению).

Схема с Общей Базой

При обычных инженерных расчетах обратная связь по напряжению учитывается не включением источника напряжения, а изменением r_Б и r_Э.

r’_Б = r_Б + r_Э/(2*(1-α))

r’_Э ≈r_Э/2

МЭС используются при расчете маломощных усилительных каскадов. Эти схемы наглядно выглядят через физические параметры α/β, r_Б, r_Э, r_К, С_К, μ (коэффициент обратной связи по напряжению).

Схема с Общим Эмиттером

I_К=α*I_Э+I_КО, I_КО – ток не основных носителей

I_Э=I_К+ I_Б

I_К=α* (I_К+ I_Б)+I_КО

I_К = (α/1-α)*I_Б + I_КО*(1/α-1)

β= α/1-α

I_К = β*I_Б + I_КО*(β+1)

r_КЭ = r_K/(β+1)

Cкэ=(β+1)Ск

Обычно пользуются второй схемой.

Со стороны внешних зажимов транзистора не измерить все внутренние физические параметры. Для этого сам транзистор рассматривают как четырехполюсник.

Четырёхполюсник можно описать разными парами уравнений, в зависимости от того, чем задаваться: I, U или комбинациями, учитывая то, что БТ имеет начальное входное сопротивление и большое выходное сопротивление. Целесообразно задаваться на входе током (режим холостого хода), а на выходе напряжением (режим к.з.).

h-параметры.

Входное сопротивление при коротком замыкании на выходе

Коэффициент обратной связи по напряжению

Коэффициент передачи по входному току, при коротком замыкании на выходе (α – ОБ, β)

Выходная проводимость при холостом ходе на входе

Называют это гибридные параметры, так как измерив h-параметры со стороны внешних элементов, рассчитываются все физические параметры по формуле из справочника h_21Э = β

Модель Эберса-Молла

(получение статических характеристик транзисторов)

α_I – инверсное, α_N – нормальное - во всех пакета она есть, в любом учебнике.

Но в Отечественном есть β_Н = (α_N/(1- α_N), а α_I – нет.

Поэтому мы не можем ввести отечественные транзисторы.

(один вид носителей – основные)

Полупроводниковый слой, по которому проходит рабочий ток, называется каналом. Принцип действия транзисторов основа на изменении проводимости канала под воздействием внешнего управляющего поля (напряжения).

//БТ, имеющие маленькое входное сопротивление, управляются током. А УТ управляются напряжением.

Существует два вида УТ:

1. С объёмным каналом (полевые транзисторы с управляющим p-n переходом)

2. С приповерхностным каналом (транзисторы МДП (металл-диэлектрик полупроводник) и МОП):

a. Со встроенным ПК

b. С индуцированным ПК

Дата добавления: 2015-03-31