Динамические параметры полевого транзистора

Малосигнальные параметры

Стоко-затворные характеристики

Выходные (стоковые) характеристики

А – т. Насыщения

I – крутая область (линии под углом)

Транзистор можно использовать как регулируемое сопротивление (резистор) Rvar

II – пологая область (работы всех аналоговых и цифровых схем)

III – область простоя (нерабочая)

Ic=f(Uзи) при Uси = const

1. S(крутизна)= [мА/В]

Во II области Ic=Ic кон*(1- Uзи/Uзи отс)² S=(2* Iс кон/Uзи отс) *(1- Uзи/Uзи отс) =Sнач*(1- Uзи/Uзи отс)

2. Внутреннее сопротивление [кОм]

3. Rвх _(зи) = (10⁶-10⁹) Ом

4. μ(k)= ∆Uси/∆Uзи при Iс=const = S*Rси - усиление

Физический смысл: Во сколько раз изменение напряжения на затворе больше влияет на ток в начале, чем изменение напряжения Uси

Cзс, Cзи, Cис – внутренние ёмкости между каждыми электродами – ед. пФ

Малосигнальная эквивалентная схема замещения транзистора

Cз=Сзи+(1+k)Сзс

Rк – сопротивление канала в крутой области

Rз – сопротивление затвор-истока ≈10⁶ Ом

Дата добавления: 2015-03-31