Униполярные транзисторы. Принцип действия МДП транзисторов со встроенным каналом n-типа. Статические характеристики и малосигнальные параметры

(УТ с приповерхностным каналом с изолированным затвором)

Полевые транзисторы со встроенным каналом на электрических схемах изображают условными графическими обозначениями, приведенными на рис. 4.8.

Рис. 4.8. Условные графические обозначения МДП-транзистора со встроенным каналом n -типа (а) и p -типа (б)

Uси

Режим обогащения (притянуть из подложки электроны) –Uзи+

Режим обеднения +Uзи-

В транзисторах со встроенным каналом ток в цепи стока будет протекать и при нулевом напряжении на затворе. Для его прекращения необходимо к затвору приложить положительное напряжение (при структуре с каналом р-типа), равное или большее напряжения отсечки. При этом дырки из инверсного слоя будут практически полностью вытеснены вглубь полупроводника и канал исчезнет. При приложении отрицательного напряжения канал расширяется и ток снова увеличивается. Таким образом, МДП-транзисторы со встроенными каналами работают в режимах как обеднения, так и обогащения.

Как и полевые транзисторы с управляющим?—п-переходом, МДП-транзисто-ры при малых напряжениях сток—исток ведут себя подобно линейному сопротивлению. При увеличении этого напряжения ширина канала уменьшается вследствие падения на нем напряжения и уменьшении напряженности электрического поля. Особенно сильно это проявляется в той части канала, которая находится вблизи стока. Перепады напряжения, создаваемые током стока Id, приводят к неравномерному распределению смещения на затворе вдоль канала, причем оно уменьшается по мере приближения к стоку.

Стоковые характеристики Стоко-затворные характеристики

Если есть дополнительный вывод:

S=dIc/dUзи при Uси = const и Uпи=const

Sп=dIc/dUпи при Uси = const и Uзи=const

Rси

Rз до 10¹² Ом

Дата добавления: 2015-03-31