Статические и динамические характеристики

Принцип действия БТ

Движение основных носителей: Ослабляя потенциальный барьер эм.перехода, усиливаем движение основных носителей (p в данном случае) из области эмиттера в область коллектора, лишь частично комбинируя в базе. α – коэффициент передачи тока эмиттера:

α = = (0,95…0,99) Iэ=Iб+Iк

Движение неосновных носителей: В основном учитывается движение основных носителей из области базы в область коллектора (в Б примесей мало). Sk>Sэ,

Iко – неосновные носители, αIэ – основные носители, Ik= Iко+ αIэ (поэтому и БТ. Два вида носителей).

Статические:

1. Статический коэффициент усиления β>1 (от единиц (3…5) для высокоточны до 200 для низкоточных).

2. Внутренние сопротивления

r_Б (омическое сопротивление базы) ≈(100…200) Ом

r_Э = ≤26 Ом (чем мощнее, тем меньше сопротивление)

r_К = (десятки-сотни) Ом

3. Ток закрытого транзистора I_{КО Si} (ед-дес мкА) << I_{КО Ge} (дес-сотни мкА). А U_прямое лучше у Ge

4. Коэффициент обратной связи по напряжению = (10^-3 – 10^-5)

*Эффект модуляции толщины базы состоит в следующем: изменение напряжения на коллекторе изменяет ширину обедненной области p-n перехода, в свою очередь изменение ширины обедненной области p-n перехода вызовает изменение ширины базы, а изменение ширины базы изменяет коэффициент передачи эмиттерного тока.
Изменение коэффициента передачи биполярного транзистора вследствие модуляции ширины базы при изменении коллекторного напряжения Uк получило название эффект Эрли.*

Uэп = Uэб – Iб * r_б

Uкп = Uкб + Iб * r_б

Динамические:

5. Cк бар – барьерная ёмкость коллекторного перехода определяет частоту кол.перехода.

Для низких частот Cк бар ≈ (100-200) пФ

Для высоких частот Cк бар ≈ (ед-дес) пФ

6. При переменном токе , где α₀ – статический коэффициент (0,95-0,99)

ω – текущее значение частоты, на которой будет работать данный транзистор.

ω_гр – предельная частота, максимально значимая частота для данного транзистора, при которой α (или β) уменьшаются до 0,7 от α₀ (α = 0,7α₀, на 3дБ)

Дата добавления: 2015-03-31