Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Механизмы рекомбинации




 

При генерации неравновесные носители заряда получают энергию от внешнего воздействия, например света. Естественно, что при рекомбинации эта энергия должна выделяться.

Наиболее вероятными механизмами рекомбинации являются: излучательная рекомбинация с выделением энергии в виде квантов света: фононная рекомбинация с передачей энергии в виде фононов. Указанные механизмы могут осуществляться как при рекомбинации зона – зона, так и при рекомбинации через ловушки, которые представляют собой уровни энергии в глубине запрещенной зоны и которые образованы дефектами решетки и атомами примеси (рис.2.6).

Энергия фонона обычно не превышает 0,05 эВ, поэтому при межзонной рекомбинации при ΔEg ≈ 1 эВ необходимо испускание не менее 20 фононов. Так как вероятность многофононных процессов мала, то скорость такой рекомбинации в широкозонных полупроводниках ничтожна.

Излучательная межзонная рекомбинация может происходить в результате как прямых, так и непрямых переходов. Скорость излучательной рекомбинации существенно выше фононной и максимальна у прямозонных полупроводников, так как в непрямозонных для выполнения закона сохранения импульса она должна происходить с испусканием фонона. Вероятность же рекомбинации с участием четырех частиц – элек-трона, дырки, фотона и фонона значительно ниже.

Рекомбинация через ловушки состоит в том, что сначала электрон проводимости, а затем дырка захватываются уровнем ловушки. Излишек энергии при этом выделяется в виде фонона, фотона или их комбинации, например при захвате электрона испускается фотон, при захвате дырки –фонон. Качественно скорость рекомбинации в зависимости от концентрации ловушек, их энергии и положения уровня Ферми определяется произведением вероятностей заполнения ловушки электронами и дырками, поэтому, используя уравнения (В.4) и (В.5), получим

~ ,

где Nл – концентрация ловушек; Ел – уровень энергии ловушки. Отсюда видно, что скорость рекомбинации максимальна, когда уровень Ферми совпадает с уровнем ловушки.

Все рассмотренные виды рекомбинации могут протекать одновременно, причем, как правило, рекомбинация через ловушки имеет наибольшую скорость.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2015-06-26; Просмотров: 1215; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.