КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Измерительная установка и методика измерений
Теория Лабораторная работа 2-15 Изучение эффекта Холла в полупроводнике
Цель работы: определение постоянной Холла (R), концентрации (n), знака носителей заряда в полупроводнике и их подвижности (u).
Оборудование: лабораторная установка, в которую вмонтированы миллиамперметр, милливольтметр, трансформатор, диодный мостик, потенциометры, переключатель, электромагнит, контакты и полупроводниковый образец.
Эффект Холла (1879 г.) – это возникновение в полупроводнике (металле) с током плотностью , помещенном в перпендикулярное току магнитное поле , электрического поля в направлении, перпендикулярном и . То есть, если металлическую или полупроводниковую пластинку, по которой течет ток I, поместить в перпендикулярное току магнитное поле , то между гранями пластинки, параллельными и полю , и току I, возникает Холловская разность потенциалов Uх. Поместим полупроводниковую пластинку с током плотностью в магнитное поле , перпендикулярное (рис.1). При данном направлении скорость u носителей тока в полупроводнике – электронов – направлена справа налево. Электроны испытывают действие силы Лоренца Fл=quB, (1) которая в данном случае направлена вверх. Распределение зарядов в пластинке определяется по правилу левой руки. Если ладонь левой руки расположить так, чтобы вытянутые пальцы были направлены по направлению вектора плотности тока, а вектор входил в ладонь, то отогнутый большой палец укажет направление силы Лоренца. На рис.1 сила Лоренца направлена вверх.
Рис.1. Возникновение поперечной (холловской) разности потенциалов (на нижней грани - «+», на верхней - «-»).
Таким образом, на верхней грани пластинки возникнет повышенная концентрация электронов (она зарядится отрицательно), а на нижней грани – их недостаток (зарядится положительно). В результате этого между горизонтальными гранями пластинки (верхней и нижней) возникнет дополнительное поперечное электрическое поле, направленное снизу вверх. Когда напряженность EB этого поперечного поля достигнет такой величины, что его действие на заряды будет уравновешивать силу Лоренца, то установится стационарное распределение зарядов в поперечном направлении. Тогда Fл=Fэл, или quB=qEB. За счет возникшего поперечного электрического поля EB=uB между верхней и нижней гранями возникает Холловская разность потенциалов: Uх=аEB=аuB, (2) где а - высота пластинки. Учитывая, что плотность тока: j=qnu, (3) где n – концентрация зарядов, а сила тока I=jS, где S=аd – площадь сечения пластинки, получим для скорости: u=j/(qn)=I/(adqn). С учетом (2) Холловская разность потенциалов: , (4) где (5) носит название постоянной Холла. Поэтому , (6) где I - ток через образец, d =3.10-4м – толщина пластинки. По закону Ома в дифференциальной форме плотность тока j прямо пропорциональна напряженности электрического поля E: j=gE, где g - удельная электропроводимость. С учетом (3): g=qnu, (7) где u=u/E – подвижность зарядов, численно равная средней скорости направленного движения зарядов в электрическом поле с напряженностью, равной 1 В/м. Зная удельную электропроводимость образца (g=0.13(Ом.м)-1), полагая q=е (заряд электрона) и вычислив из экспериментальных данных постоянную Холла по формуле (6), можно вычислить подвижность: u=g/(en)=gR. (8) Итак, по измеренному экспериментально значению постоянной Холла можно: 1) определить концентрацию носителей тока в проводнике (при известных характере проводимости и заряде носителей); 2) судить о природе проводимости полупроводников, так как знак постоянной Холла совпадает со знаком заряда носителей тока.
Установка № 1 Сущность метода измерения холловской разности потенциалов заключается в следующем. Напряжение от сети через понижающий трансформатор Т1 подается на диодный мостик YD1. Выпрямленное напряжение с помощью потенциометра R1 через переключатель SA2 подается на электромагнит ЭМ. Направление магнитного поля в образце О изменяется переключателем SA2, а ток через магнит измеряется миллиамперметром РА1. Ток через образец О регулируется потенциометром R2 и измеряется миллиамперметром РА2. Холловская разность потенциалов измеряется милливольтметром PV1 (см. рис.2).
Рис.2 Электрическая схема установки
Задание 1. Изучите краткую теорию и принцип действия установки и определите цену деления используемых приборов. 2. Включите установку в сеть. Установите контакт SA1 в верхнее положение и потенциометром R2 установите через образец ток 0.1 mA. Для этого тока потенциометром R1 установите три значения тока через электромагнит в пределах от 130 до 160 mA. Для каждого значения тока через электромагнит измерьте холловскую разность потенциалов U- и U+, устанавливая переключатель SA2 вверх и вниз. Проделайте такие же измерения для токов через образец 0.2 mA и 0.3 mA. Результаты измерений занесите в таблицу. Замечание: Контакты А и С подключения милливольтметра, как правило, находятся несимметрично (не находятся на эквипотенциальной поверхности в отсутствие магнитного поля). Поэтому измеряемая разность потенциалов U на самом деле является суммой Холловской разности потенциалов Uх и разности потенциалов Dj, возникшей вследствие несимметричности контактов: U+=Dj+Uх. При изменении направления магнитного поля на противоположное изменится на противоположное и направление силы Лоренца, а значит, изменится знак Холловской разности потенциалов, но знак Dj останется без изменения. Полная разность потенциалов будет: U+=Dj–Uх. Окончательно получим формулу для Холловской разности потенциалов, исключающей влияние несимметричности контактов А и С: Uх=(U+ – U-)/2. (9) 3. По формуле (9) вычислите холловскую разность потенциалов для каждого измерения. Результаты занесите в таблицу.
Таблица 1.
4. По графику зависимости В от I определите В и занесите в таблицу. По формуле (6) рассчитайте R для каждого значения В, определяемого по току через электромагнит. Вычислите среднее значение R, по которому определите концентрацию n, используя формулу (5). 5. Зная R и g, по формуле (8) вычислите u (в м2/(В.с)). 6. Вычислите погрешности R и u.
Установка № 2 Рис.3 Внешний вид установки. Установка состоит из измерительного блока и объекта исследования. Измерительный блок формирует и регулирует силу тока электромагнита Iэм и преобразователя Iп, изменяет полярность тока. Ток преобразователя и электромагнита изменяются в пределах соответственно 0…5мА и 0…10мА. Объект исследования состоит из полупроводникового преобразователя Холла и электромагнита.
Дата добавления: 2015-06-04; Просмотров: 555; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |