Перспективные силициды для электроники

В технической физике и автоматике используется силицид ванадия V₃Si как сверхпроводник, силицид рения ReSi как полупроводник. Многие силициды входят в состав жаростойких материалов, например силицид молибдена MoSi₂.

Одно из наиболее интересных соединений кремния и железа – полупроводниковый дисилицид железа . Поскольку ширина его запрещенной зоны составляет около 0,8 эВ, что близко к минимуму поглощения в кварцевом оптоволокне. Поэтому дисилицид железа является перспективным соединением для создания эффективно излучающих свет гетероструктур. К тому же, дисилицид железа нетоксичен, устойчив к температутрным воздейсвтиям (до 930⁰ С). Кроме применения в оптоэлектронике, возможно создание на его основе термоэлектрических преобразователей.

Другим перспективным материалов в области электроники является дисилицид рения . Так как рений является тугоплавким металлом (Т_пл=3186^оС), то и силициды на его основе также имеют высокую температуру плавления: - 1960⁰С, - 1820⁰С, - 1980⁰С. Ширина запрещенной зоны дисилицида рения составляет 0,12 эВ, область излучения – 10 мкм, что соответствует 3-му окну прозрачности атмосферы. При этом данный материал не токсичен. Все эти свойства делают дисилицид рения очень привлекательным для фотоэлектроники.

Список используемой литературы

1. Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко. Кремний – материал наноэлектроники. М.: Техносфера, 2007.

2. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. - М.: Мир, 1986.

3. Итальянцев А.Г. Генерация неравновесных точечных дефектов и сопутствующие ей эффекты при физико-химических воздействиях на поверхность кристаллов. Дис. Черноголовка 2009.

4. Бабушкина Е.В. Электронная структура дисилицидов молибдена, вольфрама и рения. Дис. Воронеж 2005.

5. Чусовитин Е. А. Формирование и свойства наногетероструктур на основе кремния и дисилицида железа. Дис. Владивосток 2009.

Дата добавления: 2015-08-31