Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Статистика свободных носителей заряда




 

Распределение уровней по энергиям задает один из возможных законов распределения электронов по энергиям, однако, распределение электронов по энергиям будет соответствовать распределению уровней по энергиям только в том случае, если все свободные уровни данной зоны будут заняты электронами.

Наиболее простым частным случаем будет собственный полупроводник при Т =0. В этом случае все возможные уровни валентной зоны заполнены, и распределение электронов по энергиям будет строго соответствовать закону изменения плотности уровней. Все уровни зоны проводимости будут свободны. В зоне проводимости не будет ни одного электрона. С повышением температуры некоторое количество электронов покидает валентную зону и переходит на уровни зоны проводимости.

Возникает вопрос: какова вероятность того, что тот или иной уровень в зоне проводимости будет занят электронами? Какова вероятность того, что тот или иной уровень валентной зоны лишится своего электрона и превратится в дырку?

Ответ на этот вопрос дает статистика Ферми-Дирака. Согласно этой статистике вероятность того, что состояние с энергией W при данной температуре Т занято электроном, выражается функцией Ферми для электронов:

.

Здесь k – постоянная Больцмана.

Вероятность выражается в долях единицы.

Очевидно, что имеется две возможности: 1) уровень занят электроном, 2) уровень не занят электроном. Сумма вероятностей этих событий должна быть равна единице. Вероятность того, что уровень в валентной зоне не занят электроном, есть вероятность нахождения на этом уровне дырки. Учитывая, что fn + fp = 1, получаем, что вероятность нахождения дырки на некотором уровне с энергией W описывается функцией Ферми-Дирака для дырок:

.

Величина WF называется энергией или уровнем Ферми. При любых значениях температуры уровень Ферми совпадает с тем энергетическим уровнем, для которого характерна 50% вероятность занятия (или не занятия) его электроном (при W = WF, fn = fp = 0,5).

Физически уровень Ферми представляет собой химический потенциал, а химический потенциал для равновесной системы обязательно одинаков по всей системе, следовательно, он будет одинаков для образца состоящего из различных полупроводниковых материалов.

 
 

При Т = 0 функция Ферми для электронов для всех значений W > WF будет равна нулю. Значит, при Т = 0 ни один уровень с энергией большей энергии Ферми не будет занят электронами. Мы уже знаем, что при температуре абсолютного нуля все уровни зоны проводимости будут свободны. Отсюда можно сделать вывод, что все уровни зоны проводимости лежат выше уровня Ферми.

Для всех значений W < WF функция Ферми при Т = 0 обращается в единицу. Это в свою очередь означает, что все уровни с энергиями W, меньшими, чем энергия Ферми, будут заняты электронами. Действительно, в этих условиях полностью заняты все уровни в валентной зоне. Следовательно, все уровни валентной зоны лежат ниже уровня Ферми. Это значит, что уровень Ферми расположен ниже свободной и выше валентной зоны, то есть в запрещенной зоне. Далее мы увидим, что в собственном (беспримесном) полупроводнике уровень Ферми располагается вблизи середины запрещенной зоны.

При Т = 0 положение уровня Ферми WFi показано на рис.3.2,а, где WC – нижняя граница (дно) зоны проводимости, WV – верхняя граница (потолок) валентной зоны.

Вид функции Ферми при Т = 0 изображен на рис.3.5,б в виде ступеньки. С повышением температуры функция Ферми превращается в плавную кривую. Вероятность нахождения электрона в зоне проводимости становится отличной от нуля.

Нас не должно смущать, что значениям энергий, лежащим в запрещенной зоне, соответствуют некоторые значения функции Ферми. Это вовсе не означает, что электроны могут располагаться на уровнях в запрещенной зоне. Мы имеем право пользоваться функцией Ферми только на тех участках, где имеются уровни, разрешенные для электронов.

Положение уровня Ферми в запрещенной зоне можно характеризовать энергетическим состоянием его от границ разрешенных зон:

.

В большинстве случаев для полупроводников соблюдаются неравенства:

.

В этом случае экспонента в функции Ферми для уровней зоны проводимости намного превысит единицу, а в валентной зоне экспонента много меньше единицы. Тогда распределение электронов и дырок по квантовым состояниям описываются упрощенными формулами Максвелла-Больцмана

, .

Если ширина запрещенной зоны мала, и какая-либо из разностей окажется соизмеримой с kT, то необходимо пользоваться распределением Ферми. Полупроводники, у которых уровень Ферми расположен в зоне проводимости или в валентной зоне называются вырожденными. Полупроводники, для которых применимо распределение Максвелла-Больцмана являются невырожденными.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 1248; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.