Размерное квантование энергии электронов и дырок в полупроводниках. Квантоворазмерные структуры с низкоразмерным электронным газом

Твердые растворы GaAs и GaP также GaAs и AlAs

Состав п/п

Изготовление различных составов для получения прямозонных и не прямозонных п/п с различными .

Ширина запрещенной зоны в сплавах изменяется из-за движения X и L- долины по шкале энергии в зависимости от их составов.

GaAs- прямозонный п/п, GaP и AlAs- не прямозонные (X-долины).

Переход от прямозонного к не прямозонному зависит от скорости движения и X-долин с составом.

Общая схема зоны для гексагональных кристаллов

Валентная зона: снимается вырождение и подзон за счет взаимодействия кристаллического поля () которая в этих кристаллах сильнее из-за большей доли ионной связи.

Зона проводимости п/п – абсолютный минимум лежит в центре .

Раздел 3. Электронные состояния в реальном кристалле

3.1 Уравнение Шредингера реального кристалла. Метод эффективной массы. Локализованные состояния. Водородоподобные примеси и экситоны.

3.2 Глубокие примесные центры. Изоэлектронные примеси. Электрически неактивные примеси. Амфотерные примеси.

3.3 Примесные состояния в низкоразмерных структурах.. Поверхностные электронные состояния.

Дата добавления: 2014-01-07