КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Лазерное скрайбирование полупроводниковых пластин
Скрайбирование пластин из кремния, арсенида галлия и других материалов для последующего разделения пластин на отдельные элементы по линии надреза позволяет увеличить выход годных изделий, что даст очень большую экономию. Увеличение производительности за счет большой скорости скрайбирования также значительно уменьшает стоимость продукции.
Для скрайбирования полупроводниковых пластин используют исключительно ИАГ-лазеры непрерывного действия с модуляцией добротности (длина волны излучения l = 1,06 мкм, продолжительность импульса лазерного излучения 0,15 - 0,3 мкс, частота следования импульсов 1-40 кГц, средняя мощность последовательности импульсов 0,5-16 Вт при мощности в импульсе 1-20 кВт). При этом глубина надреза, выполненной пучком сфокусированного лазерного излучения, составляет 40 - 125 мкм, а ширина 20-40 мкм при толщине пластины 150-300 мкм. Скорость скрайбирования обычно 10-15 см/с. Возможно также полное разделение пластины. Большая плотность мощности 108 ¸ 109 Вт/см2 вызывает плавление и кремния и арсенида галлия (температура в месте воздействия сфокусированного лазерного пучка при скрайбировании составляет 2000 0С). Очень малая продол-жительность лазерного импульса и быстрое перемещение разрезаемой пластины (относительно сфокусированного лазерного пучка) является причиной того, что тепло, выделяющееся в прилегающую к надрезу область материала полупроводника, не вызывает существенных изменений в нем. Зона термического воздействия в прилегающем к надрезу слое полупроводника вообще не более 50 мкм. Рис.5. Зависимость мощности лазерного излучения от частоты следования импульсов.
Во время скрайбирования лазером часть удаляемого полупроводника может оседать около надреза на поверхности пластины. Эти загрязнения можно удалить, например, поместив надрезанные пластины в ультразвуковую ванну. Кроме того, разработаны специальные предохраняющие покрытия, которые наносят на поверхность пластины перед скрайбированием и удаляют после него. Чтобы избежать загрязнения поверхности со структурами, применяют скрайбирование во избежание повреждения структур при разламывании.
Дата добавления: 2014-12-26; Просмотров: 1140; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |