Методические указания к выполнению работы. Лабораторная работа. Исследование характеристик и высокочастотных свойств диода

Рабочее задание

Лабораторная работа. Исследование характеристик и высокочастотных свойств диода

Введение

Настоящие методические указания к лабораторному практикуму предназначены для студентов, изучающих курс «Электроника и схемотехника аналоговых устройств 1». Лабораторные работы выполняются на стендах фирмы «DEGEM sistems». Основными целями данного цикла лабораторных работ являются:

- закрепить теоретические знания, полученные студентами при изучении материала учебников и лекционного материала;

- выработать умение определять параметры активных компонентов схем в дискретном исполнении и разрабатывать на их базе электронные схемы, проводить анализ электронных схем, в том числе с помощью машинных программ на ЭВМ; с помощью анализа и экспериментальных исследований оптимизировать схемы путем варьирования параметров компонентов и повторных расчетов.

В процессе подготовки к лабораторному практикуму каждый студент должен: изучить соответствующие разделы конспекта лекций и рекомендованной литературы, по необходимости выполнить расчеты компонентов схемы по исходным данным.

Отчет должен содержать:

• цель и задание работы;

• справочные данные исследуемых приборов;

• результаты проделанной работы (экспериментальные данные, расчеты, графики и др.);

• выводы по работе;

• список использованной литературы.

Отчет оформляется по ФС РК 10352 – 1910 - У - е - 001 - 2002. Работы учебные. Общие требования к построению, изложению, оформлению и содержанию должны соответствовать этому стандарту.

Цель работы:

- снятие и анализ вольтамперных характеристик (ВАХ) прямого и обратного включения полупроводникового диода;

- исследование и анализ явления накопления неравновесных носителей в области базы.

1.1.1 Собрать схему для снятия характеристики прямого включения полупроводникового диода согласно рисунку 1.1.

1.1.2 Измерить сопротивление R1.

1.1.3 Снять и построить ВАХ прямого включения диода.

1.1.4 Собрать схему для снятия характеристики обратного включения полупроводникового диода согласно рисунку 1.2.

1.1.5 Снять и построить ВАХ обратного включения диода.

1.1.6 Исследовать схему однополупериодного выпрямителя и проанализировать явление накопления неравновесных носителей в области базы;

1.2.1 Вставьте печатную плату ЕВ – 111 в стенд PU 2000 от DEGEM system.

1.2.1 Измерьте омметром сопротивление резистора R1.

1.2.3 Соберите схему, показанную на рисунке 1.1.

1.2.4 Повышая напряжение источника питания PS-1от нуля до максимального значения, записывайте значения тока Iд с интервалом 5 мА. Измеряйте значения напряжения Uд на диоде. Данные занесите в таблицу 1.1

Таблица 1.1

Iд, мА прям.
Uд, В прям.

1.2.5 Соберите схему, показанную на рисунке 1.2.

1.2.6 Повышая напряжение источника питания PS-2от нуля до максимального значения с интервалом 1 В, записывайте значения тока. Данные занесите в таблицу 1.2. По полученным данным постройте характеристику обратного включения полупроводникового диода.

Рисунок 1.1 – Схема для Рисунок 1.2 – Схема для

снятия ВАХ прямого снятия ВАХ обратного

включения диода включения диода

Таблица 1.2

Uд, В обр.

Iд, µА обр.

1.2.7 Соберите схему, показанную на рисунке 1.3.

Рисунок 1.3 – Схема для исследования однополупериодного выпрямителя и явления накопления неравновесных носителей в базе диода

1.2.8 Измерьте сопротивление резистора R3.

1.2.9 На вход Vinподайте синусоидальное напряжение от функционального генератора, размещенного на стенде PU – 2000, либо от отдельного генератора. Ток через диод будет протекать во время положительной полуволны входного напряжения, а на R3при этом будет напряжение, пропорциональное току через диод и резистор. Входное напряжение и выходное напряжение (на резисторе R3) измеряйте и зарисовывайте с помощью 2-х канального осциллографа. Исследование проводите на частотах 1 кГц, 10 кГц и 100 кГц.

1.2.9 На вход Vinподайте прямоугольное напряжение (меандр) тех же частот: 1 кГц, 10 кГц и 100 кГц с амплитудой 6В. При частоте 100кГц проведите измерения времени рассасывания t_расс и времени спада t_сп (см. рисунок 1.4)и рассчитайте амплитуды прямого и обратноготоков с помощью закона Ома.

Рисунок 1.4 – Временная диаграмма прямого и обратного токов диода

1.2.10 Амплитуду входного напряжения уменьшите до 1В и проделайте измерения тех же величин.

Дата добавления: 2015-05-06