КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Лабораторная работа. Исследование тиристора
Контрольные вопросы Расчетное задание 3.3.1 Построить на одном графике, как показано на рисунке 3.5, входныехарактеристики транзистора Iб = f(Uбэ) при фиксированных напряжениях на коллекторе: Uкэ = 0В, Uкэ = 5В и Uкэ = 10В (по данным из таблиц 3.1. и 3.2). По характеристикам определить графическим способом параметры h11 и h12 для области, расположенной на середине восходящего участка, h11 = ΔUбэ / ΔIб - входное дифференциальное сопротивление транзистора, h12 = ΔUбэ / ΔUкэ = ΔUбэ1/(10В-5В) - коэффициент внутренней обратной связи.
Рисунок 3.5. Рисунок 3.6.
3.3.2 Построить на одном графике семейство выходныххарактеристик транзистора Iк=f(Uкэ) при фиксированных токах базы по данным из таблицы 3.3. По характеристикам определить графическим способом параметры h21 и h22 для области, расположенной приблизительно в середине семейства характеристик, как показано на рисунке 3.6 h22= ΔIк / ΔUкэ - выходная дифференциальная проводимость транзистора, h21 = ΔIк1/ ΔIб = ΔIк1/(Iб111-Iб11) – коэффициент передачи тока базы. 3.4.1 Принцип действия биполярного транзистора, физические процессы в р-n переходах Э-Б и Б-К. 3.4.2 Почему коллекторный ток слабо зависит от коллекторного напряжения? 3.4.3 От чего коллекторный ток зависит сильно? 3.4.4 Какая величина является входной в схеме ОБ? 3.4.5 Какая величина является входной в схеме ОЭ? 3.4.6 Изобразить входные характеристики транзистора по схеме ОБ. 3.4.7 Изобразить выходные характеристики транзистора по схеме ОБ. 3.4.8 Изобразить входные характеристики транзистора по схеме ОЭ. 3.4.9 Изобразить выходные характеристики транзистора по схеме ОЭ. 3.4.10 В чём достоинства системы h- параметров транзистора как 4-х полюсника? 3.4.11 Как определяют графическим способом h -параметры транзистора по характеристикам? Цель работы: - снятие вольтамперных характеристик тиристора; - определение параметров тиристора.
Дата добавления: 2015-05-06; Просмотров: 823; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |