Построение модулей памяти

ПЗУ

Pн x n

Доходность акции

Решение.

Используя формулу (3.5), получаем:

Ро = 5\(0,2-0,1) = 50 руб.

В общем случае доходность акций рассчитывается по формуле:

сумма Е по i от 1 до n + (Pк-Pн)

R = --------------------------------------------- x 100% (3.6)

где: R - доходность акции из расчета годовых; Рн - цена покупки акции; Pк - цена продажи акции; Е - дивиденды, получаемые за период владения акций;

Так же как и в случае формулы 2.1, практические расчёты по ней затруднены, поэтому рассматриваются конкретные случаи.

Рассмотрим:

Если известна цена приобретения акции и произведена оценка ожидаемых дивидендов и курсовой цены акции в следующем году, то ожидаемую норму прибыли (доходность) акции можно определить по формуле:

R = (Е1+P1-P0)\Pо (3.7)

где R - ожидаемая норма прибыли на акцию; Е - ожидаемые дивиденды в следующем (первом) году; Ро - цена акции в базисном году; Р1 - ожидаемая цена акции в конце следующего (первого) года.

Пример 5.Инвестор приобрел акцию компании «Альфа» за 50 руб. Он ожидает, что диви­денды в следующем, году составят 5 руб., а цена акции достигает 55 руб. Найти ожидаемую норму прибыли на акцию.

Применяя формулу (2.1), получаем:

R = (5+55-50)\50 = 0,2 или 20%

Типы ПЗУ. Основным свойством памяти программ является её энергонезависимость, то есть хранение данных в отсутствии питания.

Различают следующие типы ПЗУ:

· масочно - программируемые – ROM,

· однократно программируемые пользователем –PROM,

· п ерепрограммируемые типа EPROM,

· перепрограммируемые типа EEPROM,

· FLASH – память.

Масочно - программируемые ПЗУ (ROM – Read - Only Memory) содержат информацию, которая записывается в них в процессе изготовления МС и в дальнейшем не может изменяться. При производстве этих МС используется специально разрабатываемый комплект фотошаблонов (масок), определяющих содержание хранящейся в них информации. Поэтому выпуск МС с памятью ROM возможен только по соответствующему заказу, который производитель получает от пользователя. Производство и применение таких микросхем экономически эффективно только при значительном объеме их выпуска. Например, в МС 155 РЕ21 прошит преобразователь двоичного кода в код русского алфавита.

Программируемые пользователем ПЗУ содержат информацию, которую заносит в них пользователь с помощью специального программатора. При использовании однократно-программируемых ПЗУ (PROM – Programmable ROM) запись в них возможна только один раз.

Репрограммируемые ПЗУ (EPROM – Electrically Programmable ROM) позволяют производить стирание ранее записанной информации путем облучения микросхемы ультрафиолетовым светом и затем записывать в них новую информацию с помощью программатора. Такие микросхемы помещаются в специальный корпус с окном из кварцевого стекла, пропускающего ультрафиолетовое излучение. Запись осуществляется высоким напряжением (25 В). Пример: MC К573РФ2.

В электрически репрограммируемых ПЗУ (EEPROM –Electrically Erased Programmable ROM) стирание и запись новой информации осуществляется с помощью электрических сигналов. Разновидностью EEPROM является флеш - память, в которой электрическое стирание реализуется не в каждой отдельной ячейке памяти последовательно, а одновременно для всех ячеек или их блоков.

Основой ячеек памяти EEPROM и FLASH являются структуры с накоплением заряда. Каждая ячейка построена на 1 или 2 полевых транзисторах, которые имеет специальную изолированную область – плавающий затвор. Этот слой может хранить заряд. При записи заряд помещается на плавающий затвор одним из двух способов: методом инжекции «горячих» электронов или методом туннелирования. Стирание, то есть снятие заряда производится методом туннелирования. Информация записывается целыми блоками.

Современные модификации флэш-памяти обеспечивают возможность ее репрограммирования без удаления из системы, а непосредственно на плате или на кристалле микроконтроллера (ISP – In - System Programming - внутрисхемное программирование).

Гарантированное число циклов стирания/записи составляет до 10⁵, информация хранится на протяжении до 10 лет. Современная флэш-память обычно изготавливается по 0,13- и 0,18-микронному техпроцессу.

Модули памяти со статическими ОЗУ. На рисунке 6.2. представлен модуль памяти, состоящий из МС статического ОЗУ и двух МС ПЗУ. Вывод выбора кристалла (CS) микросхем ОЗУ и ПЗУ позволяет объединять несколько микросхем для увеличения объема памяти.

Рис. 6.2. Модуль памяти со статическим ОЗУ.

Младшие разряды ША адресуют ячейку памяти в МС, а старшие с помощью схемы дешифрации (DC) выбирают МС путем подачи на нее активного уровня сигнала «Выбор кристалла» (CS). C ШУ МПС подаются управляющие сигналы чтения (RD) на ПЗУ и чтения/записи (R/W) на ОЗУ.

Модули памяти с динамическими ОЗУ. Пример построения модуля динамической памяти (DRAM) на МС 564РУ5 (64 К*1) показан на рисунке 6.3. В модуле соединены параллельно 8 МС (поскольку ШД восьмиразрядная, а МС - одноразрядные). При обращении МП к памяти для записи или считывания от МП на арбитр подается сигнал запроса на запись или чтение. Арбитр с помощью устройства управления (УУ) переключает мультиплексор (MS) на вход D1 и на адресные входы МС памяти подается адрес от МП. УУ вырабатывает комплекс управляющих сигналов (RAS, CAS, WE) и информация записывается в память с ШД или считывается из памяти на ШД.

Рис. 6.3. Модуль памяти на динамических ЗУ

Регенерация динамической памяти осуществляется построчно. Каждый импульс с тактового генератора посылает запрос, по которому арбитр дает разрешение на регенерацию, и УУ переключает мультиплексор на вход D2. После этого на адресные входы МС со счетчика адреса регенерации поступает адрес регенерируемой строки. Коэффициент пересчета счетчика адреса регенерации равен числу строк МС памяти.

Таким образом, с учетом процессов регенерации время выборки из памяти или записи в память в модулях динамической памяти увеличивается по сравнению с модулями статической памяти. Если в системе есть КПДП, то время обмена еще более увеличивается.

6.4. Циклы обращения к памяти.

Для чтения и записи данных МП реализует циклы обращения к ОЗУ и ПЗУ по системной шине. Типичный цикл обращения к памяти содержит следующие фазы:

· установка на шине адреса необходимого адреса,

· выдача на шину управления сигналов, определяющих тип цикла обращения: чтение (сигнал RD) или запись (сигнал WR),

· получение от ОЗУ или ПЗУ по шине управления сигнала готовности к обмену (READY),

· прием-передача считываемых или записываемых данных (команд) по шине данных.

Временная диаграмма цикла обращения к ОЗУ или ПЗУ приведена на рисунке 6.4. Стрелки показывают последовательность переходов из одного состояния в другое.

Рис. 6.4. Цикл обращения к памяти

Таким образом, реализация обращения к системной шине требует выдачи и приема нескольких сигналов управления обменом, которые передаются по шине управления.

В зависимости от способа организации обмена реализация цикла обращения занимает от 2 до 4 тактов системной шины. Тактовая частота системной шины может существенно отличаться от тактовой частоты МП. При современном уровне микроэлектронной технологии тактовые частоты микропроцессоров могут превышать 1 ГГц, а возможности технологии изготовления печатных плат обеспечивают возможности передачи данных по шинам с частотой до 133 Мгц. Поэтому обращение к ОЗУ требует значительно большего времени, чем выборка данных из регистров.

Дата добавления: 2014-01-03