КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Примітки
Розробка теоретичних схем базування та схем встановлення заготовки (на прикладі деталі рисунок 7.1)
Будувати теоретичні схеми базування (ТСБ) будемо у такій послідовності [17]: 1) формулювання задачі; 2) вибір поверхонь у комплект баз за принципом суміщення, тобто у якості технологічних будемо використовувати конструкторські бази; 3) визначення технологічних баз за ознакою позбавлення ними ступенів свободи переміщення заготовки; 4) реалізація теоретичних схем базування при встановленні заготовок у пристрій. 1. Якщо при реалізації ТСБ (п4) не вдається реалізувати комплект баз що призначений за принципом суміщення, то тоді у якості технологічної бази слід прийняти іншу поверхню, але при цьому треба перевірити додержання двох умов. Умова перша – допуск розміру (заданий конструктором), що при зміні баз не витримується безпосередньо від технологічної бази (нової), а одержується як замикальна ланка, повинен бути більше суми похибки базування і похибки метода обробки (). Умова друга – допуск розміру нової ланки, що за даною схемою базування витримується безпосередньо від технологічної бази (нової) повинен бути більше похибки методу обробки (). 2. Номінал і допуск нової ланки треба визначити з технологічного розмірного ланцюга (тобто треба здійснити перехід від конструкторського розмірного ланцюга (КРЛ) до технологічного (ТРЛ).
Таблиця 7.2 Маршрутна схема поетапної механічної обробки поверхонь деталі, зображеної на рисунку7.1
Примітка. Штриховими лініями наведено МОП, що визначається технологічними, а не конструкторськими вимогами. 3. Якщо одна або обидві умови не виконуються, то треба здійснити відповідні технологічні заходи, в кінцевому разі навіть повернутись до принципу суміщення баз за допомогою відповідного пристрою. Переходимо до нашого прикладу – деталь, рисунок 7.1 На першому етапі згідно таблиці 7.1треба обробити поверхні 1¸12, і в першу чергу поверхні під чистові технологічні бази у якості яких бажано використати поверхні 1 і 3.
1 Теоретична схема базування для обробки поверхні 1: 1) задача: обробити поверхню 1, витримуючи розмір 9мм, =2,5 мкм. 2) в комплект баз достатньо мати одну поверхню (неповна схема базування), цією поверхнею повинна бути поверхня Н (рисунок 7.1) (за принципом суміщення баз). 3) ця база повинна бути установчою. Ця схема базування реалізується за принципом суміщення і забезпечує виконання технологічної задачі 1.2. Ескіз теоретичної схеми базування (ТСБ). За цією схемою за одне встановлення можна також обробити поверхню 5. ТСБ №1
2 Теоретична схема базування для обробки отворів Æ10Н7: 1) задача – обробити отвір Æ10Н7, Rа=2,5 мкм, забезпечуючи при цьому його відстань від контуру полички 25/2, розмір (63+49) мм як довідковий і кут 60° від площини Б-Б те ж як довідковий (розміри – дивись рисунок 7.1) 2) в комплект баз треба взяти: поверхню 1 (до неї треба забезпечити перпендикулярність осі отвору Æ10Н7); вісь отвору Æ47Н7 від неї треба витримати розміри (49+63)мм, (47+12,5)мм, контур полички розміром 25мм; 3) поверхня 1 повинна бути установчою (забезпечується перпендикулярність осі отвору Æ10Н7 до цієї поверхні); вісь отвору Æ47Н7 повинна бути напрямною (вона позбавляє заготовку двох ступенів свободи); контур полички позбавляє заготовку обертання навколо осі отвору Æ47Н7 і позбавляє її одного ступеня свободи. Ця схема базування реалізується за принципом суміщення і забезпечує часткове виконання технологічної задачі 2.3.
ТСБ 2
3 Теоретична схема базування для обробки поверхонь 2 і 4. 1) задача – при обробці поверхні 2 витримати розмір 54мм, Ra = 20 мкм; при обробці поверхні 4 витримати розмір 29 мм, Ra = 40 мкм; 2) в комплект баз достатньо взяти одну поверхню – 1, яка буде установчою технологічною базою; 3) поверхня 1 – установча база. Ця схема базування реалізується за принципом суміщення і забезпечує виконання технологічної задачі 2.2 і частково 2.4. ТСБ №3
4 Теоретична схема базування для обробки поверхонь 6 і 7 1) задачі – обробити отвори Æ45мм, Æ52мм. Ra = 40мкм, поверхню 8, розмір =10 мм,Ra = 80 мкм, (дивись рисунок 7.1). 2) в комплект баз треба взяти три поверхні щоб позбавити заготовку шести ступенів свободи: поверхня 1 – 3 ступеня свободи, установча технологічна база; отвір Æ10Н7 на циліндричний короткий палець – напрямна технологічна база, два ступеня свободи; отвір Æ10Н7 на урізаний циліндричний короткий палець, один ступень свободи. Ця схема базування реалізується за принципом суміщення і забезпечує виконання технологічних задач 1.1; 2.1; 2.3; 2.4.
5 Теоретична схема базується для обробки поверхонь 9, 10. 11, 12 1) задачі – обробити 7 отворів Æ10 мм, 2 отвори Æ6 мм, отвір під нарізку та нарізати нарізку М16´1,5 витримуючи при цьому координацію отворів. Що задана кресленням та шорсткість обробки (дивись рисунок 6.1). 2) для забезпечення координації семи отворів Æ10 мм. треба застосувати накладний кондуктор з базуванням згідно ТСБ №4, теж саме треба зробити при виконанні двох отворів Æ6 мм і отвору під нарізку М16´1,5. Ескіз ТСБ№4
3) установчі технологічні бази – площини Д (для отворів Æ10 мм) і К (для отворів Æ6 мм). Напрямна й опорна для отворів Æ10 мм – два отвори Æ10Н7, напрямна – отвір Æ47, опорна – контур малого фланця – для отворів Æ6 мм. На етапах Е4, Е6, Е9 обробляються поверхні 6 і 7, для них використовується ТСБ №4.
7.2.4 Вибір методів і числа ступенів обробки поверхонь (МОП) (на прикладі деталі рисунок 7.1) Для розв’язання цієї задачі скористаємось формою таблиці 7.3. Методи обробки поверхонь призначаємо згідно таблиць економічної точності Д М2.9 КД або використовуємо типові МОП (таблиці Д М2.9 КД) залежно від виду поверхні, точності обробки та якості поверхні. Дані таблиці 7.3 використовуємо як базу даних при розробці маршруту обробки деталі (МОД).
7.2.5 Розробка маршруту обробки деталі (МОД) та попередній вибір обладнання При виборі оптимального варіанту МОД керуються наступним 1. Згідно з принципами технологічної та часової сумісності виявляють технологічні комплекси поверхонь, що характеризуються абсолютно, відносно чи умовно однорідними комплектами параметрів, тобто тих поверхонь, які можна обробляти з використанням принципів сталості баз та єдності методів обробки. 2. Першим для обробки вибирають базовий комплекс, в який включають поверхні., що на наступних операціях будуть використані як технологічні бази. 3. Порядок обробки інших комплексів визначають відповідно до етапу обробки, на якому знаходиться виконавча поверхня деталі або представник поверхні. При цьому в межах кожного етапу черговість обробки така поверхні основні, потім першого, другого і т.д. рангів. 4. Після чорнової обробки послідовність обробки поверхонь встановлюється зворотно ступеню їх точності й шорсткості. Чим точнішою й менш шорсткою повинна бути поверхня, тим пізніше вона обробляється, оскільки зняття кожного шару з поверхні заготовки викликає перерозподіл внутрішніх напружень і деформацію заготовки. Тому поверхні найбільш точні й найменш жорсткі повинні оброблюватись останніми, чим виключається або зменшується можливість зміни розмірів і ушкодження остаточно оброблених поверхонь. 5. Операції допоміжного або другорядного характеру /свердлення дрібних отворів, зняття фасок, прорізка канавок, зняття задирів тощо/ звичайно виконується на стадії чистової обробки. Послідовність виконання цих операцій може змінюватись, оскільки вона не впливає на якісні показники й економіку процесу в цілому. 6. Послідовність виконання операцій механічної обробки деталей встановлюється також з урахуванням термічної обробки. Місце термообробки в технологічному процесі залежить від її призначення. Так старіння для повного або часткового зняття внутрішніх напружень у матеріалі заготовки передбачають перед механічною обробкою або після чорнової обробки. Загальне загартування деталі супроводжується значними деформаціями, у зв'язку з чим передбачається перед кінцевою обробкою /як правило, шліфуванням/. Цианування і азотування для збереження міцного шару планують після кінцевої обробки або перед оздоблюваною обробкою. 7. Контрольні операції звичайно призначають після тих етапів обробки, де вірогідна підвищена кількість браку перед складними й відповідальними операціями і після них, перед операціями, які виконуються в інших цехах, перед термічною обробкою та після неї, а також у кінці обробки. 8. Вибір обладнання для кожного комплексу поверхонь та уточнення схем базування на всіх етапах обробки.
Таким чином, будь-який процес механічної обробки повинен вкладатись в таку схему послідовності обробки: 1. Обробка поверхонь - баз для наступних операцій. 2. Чорнова й чистова обробка основних поверхонь деталей. 3. Чорнова й чистова обробка другорядних поверхонь. 4. Термічна обробка заготовки, якщо вона передбачена кресленням і технічними умовами. 5. Виконання другорядних операцій, пов'язаних із термічною обробкою. 6. Виконання оздоблювальних операцій основних поверхонь.
Попередній вибір обладнання здійснюється за такими ознаками: · вид обробки; · розмір робочої зони; точність обробки. · точність обробки.
Щодо деталі рисунок 7.1 діємо наступним чином Згідно з кресленням деталі, принциповою схемою маршруту обробки (таблиця 7.2) та наміченими схемами базування і маршрутами обробки поверхонь (МОП. таблиця 7.3) об’єднуємо поверхні в комплекси. В перший комплекс повинні увійти поверхні, що представляють комплект технологічних баз. Раніше було визначено, що такими поверхнями є поверхня 1 (площина роз’єму кришки) і поверхні 3 (отвори для контрольних штифтів). Однак вони належать до різних класів і характеризуються абсолютно неоднорідними комплектами параметрів. Тому розділимо ці поверхні на два комплекси. Перший комплекс подаємо поверхнею 1 та поверхнею 5. Другий комплекс – двома поверхнями 3. Третій комплекс подаємо поверхнями 2 і 4. ці поверхні мають відносно однорідні комплекти параметрів і можуть бути оброблені за один установ. До четвертого комплексу включаємо поверхні 6, 7, 8, ці поверхні також мають відносно однорідні комплекти параметрів і також можуть бути оброблені за один установ. До п’ятого комплексу включаємо поверхні 9. До шостого комплексу включаємо поверхні 10. До сьомого комплексу включаємо поверхні 11, 12. Результати розробки МОД заносимо в таблицю 7.4. для подальшого аналізу й оцінки.
Таблиця 7.3 – Визначення методів обробки поверхонь (МОП) для деталі рисунок 7.1
Таблиця 7.4. Варіант МОД обробки деталі (рисунок 7.1)
Дата добавления: 2014-12-24; Просмотров: 636; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |