Основные справочные формулы

Структура твердых тел

Решение задач

Изучение курса ”Физические основы микроэлектроники” является весьма важным при подготовке специалистов соответствующего профиля. Как показывает опыт, решение достаточного числа примеров и задач существенно облегчает преодоление трудностей, возникающих при изучении данного курса. Решение задач помогает изучить физический смысл явлений, способствует закреплению в памяти формул, прививает навыки практического применения теоретических знаний.

Данная глава составлена с целью облегчить и углубить изучение основных вопросов курса. В ней содержатся задачи, которые можно использовать в качестве домашних заданий, на практических занятиях или в составе контрольных работ.

Глава содержит задачи по нескольким (основным) разделам курса. В начале каждого раздела приведены основные необходимые формулы. Ряд типовых задач приводится с решениями, которые позволяют понять основные алгоритмы их решения.

Правила выбора задач для контрольных работ определяются последними цифрами номера зачетной книжки студента. Для выполнения контрольных работ № 1,2,3,4 выбираются задачи, последняя цифра которых совпадает с последней цифрой номера зачетной книжки студента.

При выполнении контрольных работ необходимо выполнять следующие требования:

• текст вопросов и условия задач следует записывать полностью;
• ответы должны быть конкретными, иллюстрированы графиками, рисунками, примерами;
• должны быть оценены погрешности результатов;
• схемы, графики, рисунки следует выполнять аккуратно, соблюдая правила оформления ЕСКД;
• при решении задач следует приводить расчетные формулы, расшифровывать условные обозначения величин, входящих в формулу, указывать единицы их измерения (в системе СИ), а также литературные источники, откуда взяты формулы;
• в конце каждой контрольной работы следует привести перечень литературы, которой пользовался студент при выполнении работы.

● Молярный объем кристалла

, (3.1)

где M – молярная масса вещества;

ρ – плотность материала.

● Число элементарных ячеек в одном моле кристалла

, (3.2)

где V – объем элементарной ячейки, или

, (3.3)

где k – стехиометрический коэффициент элемента;

n – число атомов этого элемента в ячейке.

● Число элементарных ячеек в единице объема кристалла

. (3.4)

· Параметр кубической решетки

. (3.5)

· Для обозначения узлов направлений и плоскостей в решетке используются специальные индексы Миллера:

[[m n p]] – индексы узла;

[m n p] – индексы направлений;

(h k l) – индексы плоскостей.

Индексы m, n, p выражают число соответствующих параметров решетки. Индексы плоскостей h, k, l связаны с величиной отрезков, отсекаемых плоскостью на соответствующих осях (1/ h; 1/k; 1/l).

Дата добавления: 2017-02-01